用于10Gb/s光接收机的BiCMOS放大电路

设计了一种用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级光接收机中的BiCMOS放大电路,包括NMOS共栅-共源前置放大器和差分式BiCMOS主放大器;各个放大器中都引入了负反馈;并精选了元器件参数,采取了提速措施,以保证放大电路在低功耗下工作在10Gb/s或更高速率上.实验结果表明,所设计的放大电路在10Gb/s速率上,主放大器输入动态范围为42dB(3.2～500mV),50Ω负载电阻上的输出限幅约为250mV,小信号输入时的最高工作速率达到12Gb/s,放大电路可采用1.8～5.6V电源供电,平均功耗约为230mW,从而满足了光纤通信系统中的高性能要求.     

低功耗CMOS限幅放大器设计

利用0.18μm CMOS工艺设计了应用于光接收机中的10Gb/s限幅放大器.此限幅放大器由输入缓冲,4级放大单元,一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路构成.输入动态范围为38dB(10mV～800mV),负载上的输出限幅在400mV,在3.3V电源电压下,功耗仅为99mW.整个芯片面积为0.8×1.3mm2.     

0.18 μm CMOS 10 Gb/s光接收机的单片集成数据再生电路

利用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计的,应用于光纤传输系统SDH STM-64速率级(10 Gb/s)的单片光接收机.该接收机包括限幅放大器、时钟恢复、数据判决电路.后仿真可工作在10 Gb/s速率上.该电路采用1.8 V电源电压,功耗500 mW,50 Ω负载上单端输出.摆幅340 mV,芯片面积1.968 mm×1.135 mm.     

10Gb/s 0.18μm CMOS光接收机前端放大电路

介绍了利用TSMC 0.18μm CMON工艺设计的应用于SDH STM-64速率级(10Gb/s)光接收机前端放大电路。该电路由前置放大器和作为主放大器的限幅放大器构成,其中前置放大器采用RGC形式的互阻放大器实现,限幅放大器采用改进的Cherry—Hooper结构。模拟结果表明该电路可以工作在10Gb/s速率上。     

0118 Lm CMOS 10 Gbös 光接收机的 单片集成数据再生电路

摘　要: 利用TSMC 0118 Lm CMO S 工艺设计的, 应用于光纤传输系统SDH STM 264 速率级(10 Gb?s ) 的单片光接收 机。该接收机包括限幅放大器、时钟恢复、数据判决电路。后仿真可工作在10 Gb?s 速率上。该电路采用118V 电源电压, 功耗500 mW , 50 8 负载上单端输出。摆幅340 mV , 芯片面积11968 mm ×11135 mm。     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

10Gb／s0．18μm CMOS限幅放大器

采用SMIC0．18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb／s速率上。小信号增益为46．25dB,-3dB带宽为9．16GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1．8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。     

基于CMOS工艺高速光纤通信系统的限幅放大器

基于CMOS工艺,设计了高速光纤通信系统中的限幅放大器,主要包括四部分:输入缓冲级、输出缓冲级、宽带放大单元和失调电压补偿回路.其中宽带放大单元采用有源反馈技术和并联峰化技术扩展带宽,使限幅放大器的带宽达到6.8GHz,增益为46dB.当输入信号比特率为7Gb/s,输入电压峰峰值在10mV到1V之间波动时,输出摆幅稳定在1.4V.在标准的1.8V电源电压下,整体电路功耗为192.3mW.     

用于SDH STM-64光接收机的GaAs HBT限幅放大器

采用2μm GaAs HBT工艺实现了10Gb/s的限幅放大器.整个系统包括一级输入缓冲、三级放大、一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路四个部分.采用双电源供电,正电源为3.3V,负电源为-2V,功耗为500mW.在输出电压幅度保持恒定(单端峰峰值300mV)的条件下,输入动态范围约为38dB.芯片面积为1.15×0.7mm².     

10Gb/s OEIC光接收机前端及3.125Gb/s限幅放大器

摘要：基于南京电子器件研究所Φ76mm GaAs pHEMT工艺,研制了10Gb/s OEIC光接收机前端,并首次采用耗尽型PHEMT设计并实现了限幅放大器。借助模拟软件ATLAS建立并优化了器件模型,组成形式为MSM光探测器和电流模跨阻放大器,探测器带宽超过10GHz,电容约3fF/μm,光敏面积50×50μm2,整个芯片面积1511μm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积1950μm×1910μm,在3.125Gb/s传输速率下,分别输入10mVpp和500mVpp,可以得到500mVpp恒定输出摆幅。     

900MHz CMOS锁相环/频率综合器

采用TSMC 0 .2 5μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达5 0 d B,输入动态范围小于5 m Vpp,最高工作速率可达7Gb/ s,均方根抖动小于0 .0 3UI.此外核心电路功耗小于4 0 m W,芯片面积仅为0 .70 mm×0 .70 m m.可满足2 .5 ,3.12 5和5 Gb/ s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

A Low Noise,1.25Gb/s Front-End Amplifier for Optical Receivers

设计并实现了一种基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的低噪声、1.25Gb/s和124dBΩ的光接收机前端放大器.跨阻放大器设计采用了有源电感并联峰化和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题.测试结果表明,在2pF的寄生电容下,前端放大器工作速率达到了1.25Gb/s,在光功率为-17dBm的光信号输入下得到了清晰的眼图.芯片采用3.3V电压供电,功耗为122mW,差分输出电压幅度为660mV.     

低噪声1.25Gb/s光接收机前端放大器

设计并实现了一种基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的低噪声、1.25Gb/s和124dBΩ的光接收机前端放大器.跨阻放大器设计采用了有源电感并联峰化和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题.测试结果表明,在2pF的寄生电容下,前端放大器工作速率达到了1.25Gb/s,在光功率为-17dBm的光信号输入下得到了清晰的眼图.芯片采用3.3V电压供电,功耗为122mW,差分输出电压幅度为660mV.     

2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级0.35μmCMOS限幅放大器

采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p，单端输出摆幅为400mVp-p，功耗250mW，含信号丢失检测功能，可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。     

12Gb/s 0.25μm CMOS数据判决和1∶2数据分接电路

采用TSMC 0.25μm CMOS工艺成功实现了用于光纤传输系统的12Gb/s数据判决和1∶2数据分接电路.测试结果显示,在3.3V电源供电情况下,功耗为600mW,其中包括3路输出缓冲.输入信号单端峰峰值为250mV时,该芯片的工作速率超过12Gb/s,相位裕度超过100°.芯片面积为1.07mm×0.99mm.     

12Gb/s 0.25μm CMOS数据判决和1∶2数据分接电路

采用TSMC 0.25μm CMOS工艺成功实现了用于光纤传输系统的12Gb/s数据判决和1∶2数据分接电路.测试结果显示,在3.3V电源供电情况下,功耗为600mW,其中包括3路输出缓冲.输入信号单端峰峰值为250mV时,该芯片的工作速率超过12Gb/s,相位裕度超过100°.芯片面积为1.07mm×0.99mm.     

10Gb/s,0.2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计

对基于0.2μm GaAs PHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3.3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57.8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0.5mm×0.4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.     

10Gb/s,0.2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计

对基于0.2μm GaAs PHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3.3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57.8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0.5mm×0.4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.     

一种用于千兆以太网的高增益、宽带限幅放大器

设计了一种高增益、宽带限幅放大器,最大速率为1.25Gb/s。限幅放大器包括多级放大级、输出驱动级、失调消除和信号检测电路,提供固定的正参考发射机耦合逻辑(PECL)输出电平,且可通过编程设定信号丢失(LOS)指示。当输入信号降低到设定门限时关闭输出以达到静噪之目的。放大器采用3.3V单一电源,采用TSMC0.35μmBiCMOS工艺设计版图,放大器版图面积为1.3mm×1.1mm。测试结果显示,在3.3V电源下具有超过52dB的动态范围,功耗仅60mW。     

1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器

文章介绍了采用0.35 μm双极型互补氧化物半导体(BiCMOS)工艺制作的光纤通信用低功耗的1.25 Gbit/s限幅放大器,其电路采用3.3 V单电源供电,电路增益可以达到70 dB,功耗为20 mW,在27 dB的输入动态范围内,可以保持800 mV的恒定输出摆幅.整个芯片的面积为1.30 mm×0.75 mm.