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Tang Ning Shen Bo Wang Maojun Yang Zhijian Xu Ke Zhang Guoyi Gui Yongsheng Zhu Bo Guo Shaoling Chu Junhao 《半导体学报》2006,27(2):235-238
在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率. 相似文献
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对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分增大,器件的阈值电压向正方向偏移,转移特性增强;当偏置条件一定时,漏源电流的增长幅度随着Ge组分的增大而减小;器件的输出特性呈现出较为明显的扭结现象. 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2007,(1)
O47 2007010615Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响/唐宁,沈波,王茂俊,杨志坚,徐科,张国义,桂永胜,朱博(北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室)//半导体学报.―2006,27(2).―235~238.在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率。图3表0参5 相似文献
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本文论述了AlGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的特性,该结构使用Al组分为7%的AlGaN来代替传统的GaN作为缓冲层。Al0.07Ga0.93N缓冲层增加了二维电子气沟道下方的背势垒高度,有效提高了载流子限阈性,从而造成缓冲层漏电的显著减小以及击穿电压的明显提高。对于栅尺寸为0.5100μm,栅漏间距为1μm的器件,AlGaN/GaN 双异质结器件的击穿电压(~100V)是常规单异质结器件的两倍(~50V)。本文中的双异质结器件在漏压为35V、频率为4GHz下,最大输出功率为7.78W/mm,最大功率附加效率为62.3%,线性增益为23dB。 相似文献
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AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性 总被引:1,自引:1,他引:0
在考虑Al Ga N / Ga N异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了Al Ga N / Ga N HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响.用准二维物理模型计算了Al Ga N/ Ga N HEMT器件的输出特性,给出了相应的饱和电压和阈值电压,并对计算结果和Al Ga N/ Ga N HEMT器件的结构优化进行了分析. 相似文献