高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器

该文介绍了一种双声通道纵向耦合结构的高频高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。利用有限元仿真研究了AT石英材料上高声速的声表面横波与浅体声波的激励情况,并进行了浅体声波抑制研究。通过调节叉指换能器金属化比,大幅降低了浅体声波对滤波器阻带抑制的影响,并制作出中心频率为1 220 MHz,插入损耗为5 dB、1 dB带宽700 kHz、阻带抑制50 dB的低损耗高阻带抑制极窄带声表面波滤波器。     

群型单向换能器低损耗声表面波滤波器分析与设计

群型单向换能器(Group-type unidirectional transducer简称G-UDT)低损耗声表面波(SAW)滤波器,最近几年,在国外受到广泛的重视,在国内也仍是急待解决的研究课题.本文首先简述了低损耗SAW滤波器的由来,比较了几种实现低损耗滤波器的方法.对G-UDT SAW滤波器进行了详细的分析;叙述了脉冲模式滤波器综合设计程序.根据本文分析和设计方法,对f_0为60MHz和10.7MHz两种滤波器进行实验,带宽分别为3%和5%.利用Y_128°-X传播LiNbO_3,用合适的加权换能器,合理的工艺和移相元件,得到6dB的插入损耗,通带波动很小,阻带抑制在40dB左右.理论与实验基本相近.     

一种低损耗高抑制的声表面波滤波器

该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y X LiNbO3为基片材料,其中心频率约475 MHz,插入损耗小于2 dB,阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性,结果表明该设计方法具有很好的实用性。     

声表面波纵向耦合谐振滤波器通带特性研究

在理论方面,作者应用COM理论分析研究了纵向耦合谐振滤波器通带波纹大小和耦合换能器与输入/输出换能器间距离的关系。在工艺上,作者采用剥离工艺制作了相应的纵向耦合谐振滤波器,并给出了所设计的纵向耦合谐振滤波器频率响应的测试结果。实验测得样品滤波器中心频率为895 MHz,1 dB带宽40.5 MHz,阻带抑制达到47 dB,插入损耗3.8 dB,通带波纹小于0.9 dB。实验与理论分析比较一致。     

16～17 GHz体声波延迟线技术研究

通过优化高频低损耗换能器设计、极薄压电薄膜生长、微波网络匹配、高频气密封外壳的电磁兼容设计等技术,研制出了工作在16～17 GHz的微波声体波延迟线,其带宽为1 098 MHz,延迟时间0.34 μs,插入损耗-54 dB,三次渡越抑制28 dB,直通抑制44 dB.     

用双曲锥形换能器制作SAW滤波器组

双曲锥形换能器能从一个宽的换能器孔径中的某点激励一束窄的SAW滤波束,这束SAW的中心沿换能器空间成线性变化。当它发出一束SAW,这种换能器就能进行空间频率分选,这就使得它成为制作滤波器组或频率分离多路器。采用双曲锥形换能器实现了制作14信道的信号倍增器,其中心频率为180MHz,带宽120MHz,带外抑制40dB,插损19dB,而采用级联SAW滤波器结构阻带抑制超过80dB,插损大约在30dB左右。     

平坦通带高频纵向耦合谐振滤波器的研制

应用耦合膜理论,重点研究了纵向耦合谐振滤波器耦合换能器与输入/输出换能器间距对纵向耦合谐振滤波器通带波纹的影响,探讨了制作纵向耦合谐振滤波器中金属铝的干法刻蚀工艺。基于理论模拟得出的结论,文中给出了中心频率为900MHz纵向耦合谐振滤波器频率响应的计算模拟结果和实验测试数据。测得1dB带宽25.9MHz,3dB带宽28.7MHz,阻带抑制达到50dB,插入损耗3.85dB,通带波纹小于0.7dB。实验结果与理论分析相吻合。     

低频高阻带抑制SAW有源滤波组件

介绍了一种低频高阻带抑制SAW有源滤波组件的设计方法，并介绍了最新研制的滤波组件的性能。其中心频率18MHz，通带波动0.5dB，近端阻带抑制达105dB，远端阻带抑制大于95dB（其中三次谐波抑制大于75dB)，增益8dB。     

10.7MHz中等带宽晶体滤波器的研制

文中使用了一种较为简单但非常实用的设计方法,采用四节八晶体差接桥型电路,设计和研制出了一种小型化低损耗中等带宽的石英晶体滤波器。该产品的中心频率为10.7 MHz,通带带宽属中等,阻带抑制要求较高,插入损耗较小,矩形系数小,晶体滤波器外形尺寸偏小。解决的关键技术问题是:晶体滤波器电路的设计,滤波器晶体谐振器的设计,滤波器的插损IL≦3 dB、3 dB带宽Bw3dB≥±19 kHz、通带波动≦1 dB、阻带衰减≥60 dB(偏离中心频率50 kHz以外)等技术指标的实现。     

高频宽带低损耗声表面波滤波器

从分析产生压电漏表面波（ＰＬＳＡＷ）的材料和镜像阻抗连接耦合换能器型双通道低损耗结构入手,介绍了宽带低损耗声表面波滤波器的设计方法,在超高频段上,给出了一些我们的实验数据,得到了宽带低损耗、高阻带抑制的结果     

改进型3IDT-LCR结构的低损耗小矩形系数SAW滤波器

通过理论仿真,该文研制了一种改进型的3IDT-LCR结构,并基于该结构在42°Y-X LiTaO₃压电基片上研制出一种低损耗、小矩形系数的SAW滤波器。滤波器标称频率为253.75 MHz,实测插入损耗1.05 dB,低端带外抑制接近80 dB,高端带外抑制接近65 dB,-1 dB带宽10.52 MHz,-3 dB带宽12.54 MHz,-40 dB带宽16.68 MHz,矩形系数1.33。实测结果表明,该改进型3IDT-LCR结构的SAW滤波器具备低插入损耗、小矩形系数和高带外抑制的特点。     

96 MHz锥形叉指宽带声表面波滤波器

介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。     

低插损高频SAW滤波器的研究

采用单层膜、梯形结构基于128°YX-LiNbO3材料研究了Al电极厚度、叉指占空比、反射栅周期、拓扑结构对插损、带外抑制和矩形度的影响.为了降低带内波动和插入损耗,该文设计了一种叉指换能器(IDT)型反射栅结构,该结构对采取优化措施前后谐振器的带内最大尖峰损耗分别降低了8.84％和0.55％.最后采用此反射栅结构设计...     

低频大带宽声表面波滤波器

介绍了一种低频大带宽声表面波滤波器(SAWF)的设计方法，并介绍了最新研制的滤波器的性能。其中心频率16．28MHz，通带波动1．0dB，插入衰耗23dB，阻带抑制达40dB。     

基于纵向耦合结构的宽带声表面波滤波器设计

基于纵向耦合五换能器结构,采用41°-YX-LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.5 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗-3 dB,相对带宽达到10.1%,矩形系数小于2.5,阻带抑制大于40 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。     

一种IPD吸收式低通滤波器的设计

为解决反射信号损害系统性能的问题,提出了一种具有高带外抑制和高带外吸收的小型化吸收式低通滤波器。该滤波器通过高通通路和低通通路实现了吸收式低通滤波器;通过抑制增益支路实现了高带外抑制。利用ADS和HFSS仿真软件对滤波器结构进行优化设计,并进行了实物的加工和测试。实测结果表明:该滤波器的3 dB截止频率为4 GHz,其带内最小插入损耗0.88 dB,通带内DC到3.5 GHz的回波损耗大于20 dB,阻带回波损耗大于10 dB,10.5 GHz处的阻带抑制大于45dB,从8 GHz到30 GHz的带外抑制大于33 dB,实测结果与仿真结果有较好的吻合。该滤波器尺寸仅为1220μm×650μm×87.71μm,相比传统PCB、LTCC工艺的滤波器,体积大大缩小,符合现代射频与微波系统小型化的发展趋势。