长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.     

Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTeMIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.     

HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)

介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化 单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．     

Au／CdTe＋ZnS／HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar^ 束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C－V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数。实验表明：溅射沉积介质膜CdTe ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦麦面器件表面钝化的各项要求。     

不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.     

不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层（CdTe+ZnS）钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能．通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流．通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因．     

MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵

采用分子束外延(MBE)技术在表面生长碲化镉(CdTe)介质膜的p型碲镉汞(HgCdTe)材料,并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌(ZnS)的生长、形成p-n结的B+注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了原位CdTe钝化的n+-on-p...     

ZnS-HgCdTe钝化膜表面及界面的研究

对ZnS薄膜进行了深入的研究,发现HgCdTe表面经抛光、腐蚀及钝化处理后,ZnS-HgCdTe界面过渡区内缺Cd、Hg,而在HgCdTe表面预先阳极氧化一层氧化膜能改善过渡区状况。在俄歇电子能谱(AES)和X射线电子能谱(XPS)的测量过程中对元素的灵敏度因子进行修正,使两者结果趋于一致。     

碲镉汞物理与化学钝化界面的AES研究

采用化学和物理方法分别在Hg1-xCdxTe (MCT)表面制备了阳极氟化膜、CdTe、ZnS和类金刚石薄膜(DLC)钝化层.采用俄歇光谱(AES)和红外透射光谱(IR)研究了这些钝化层与MCT之间的界面特性.结果表明与阳极氟化膜和CdTe膜相比,ZnS和DLC膜能较好地抑制MCT组元的外扩散.ZnS层中的Zn和S 易于向MCT内部扩散,而且发现在ZnS层中有O的存在,这可能是由于ZnS易与空气中水份发生作用所致.而DLC中C向MCT内表面扩散较少.MCT表面沉积DLC薄膜后红外透过率较ZnS有明显的提高.     

硫化的激光器腔面上溅射ZnS钝化膜的研究

提出了一种新的激光器腔面钝化方法.先用(NH4)2S溶液硫化解理后的激光器腔面,然后使用磁控溅射方法对激光器的前腔面镀ZnS钝化膜、后腔面镀Si/SiO2高反射膜.ZnS钝化层光学厚度为λ/4,在中心波长为808 nm处透过率可达95.5%.钝化前激光器的光学灾变损伤(COD)阈值为1.6 W,钝化后为2.0 W,提高了25%倍;未镀膜的激光器阈值电流为0.25 A,经硫化再镀ZnS后阈值电流为0.20 A,降低了20%.实验结果表明,经硫化后溅射ZnS对激光器腔面具有良好的钝化和增透效果.     

多孔阳极氧化铝模板合成纳米点阵列的研究进展

多孔阳极氧化铝具有耐高温、成本低、空洞分布均匀有序且大小可控等优点,是制备高度有序纳米材料的理想模板.介绍了多孔阳极氧化铝模板的制备和以多孔阳极氧化铝为模板采用常规方法制备高度有序纳米点阵列材料的最新研究进展,以及纳米点阵列的应用前景.     

超薄阳极氧化铝模版的制备

采用二次阳极氧化铝的方法制备出厚度仅为509 nm超薄多孔阳极氧化铝模版,氧化铝模版上孔洞大小均匀.呈完美的六角分布,孔径为35 nm左右,孔间距约为100 nm.成功地将多孔阳极氧化铝模版转移到硅衬底上,并在磷酸溶液中通孔,使薄膜上小孔双向贯通.可以十分方便的利用该模版合成纳米点、纳米柱等纳米结构.     

多孔阳极氧化铝模板的制备

以多孔阳极氧化铝膜为模板制备纳米结构材料具有独特的优越性,得到了广泛的关注。介绍了多孔阳极氧化铝膜的形成机理、结构类型和在草酸溶液中制备多孔氧化铝模板的工艺。在本实验中,使用高纯铝片(99.99%)和0.3 mol/L浓度的草酸,利用电化学二次阳极氧化法制备出多孔阳极氧化铝模板,用SEM对其形貌进行了观测,得到的模板孔径在50～70 nm,孔间距约为100 nm。     

A multiwafer plasma system for anodic nitridation and oxidation

An experimental, high throughput and clean multiwafer system for plasma anodization is described. The applications of this system towards growing anodic silicon nitride and anodic silicon dioxide films, as well as the anodic nitridation of SiO2films are demonstrated. Pure nitride films thicker than 15 nm may be produced at 950°C. Oxide films are grown at temperature as low as 600°C. SiO2films can be converted to a high percentage of nitride by anodic treatment.     

铝合金硬质阳极氧化的能谱分析

本文对铝合金硬质阳极氧化膜进行了俄歇电子能谱和Ｘ光电子能谱分析，对膜层表面的耐磨耐腐蚀性能作了微观机理分析，其分析结果对铝合金硬质阳极氧化工艺的完善具有一定的参考价值。     

Stable InP MIS device using silicon nitride/anodic oxidedouble-layer dielectric

MIS devices are fabricated on InP using a double-layer dielectric consisting of anodic oxide and PECVD silicon nitride. Two different sets of experiments are conducted using tartaric acid and oxalic acid based AGW electrolyte solutions respectively for growing the anodic oxide layer. Devices having the oxalic acid grown anodic oxide layer exhibit capacitance-voltage (C-V) characteristics close to the ideal and are stable for 7200 s under applied bias conditions. The stability of MIS devices is evaluated by determining the accumulation layer charge density versus time     

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅰ．水合氧化膜存在下的阳极氧化膜的形成

铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器     

铝阳极氧化膜耐电压机制研究

建立了(+)Al/Al2O3/电解液(-)系统耐电压模型。在该模型中,耐电压测试时施加于样品系统上的恒稳测试电流被分离成了介质层充电电流及缺陷漏电流两部分。使用该模型对恒稳电流下铝阳极氧化膜耐电压随时间的变化进行了模拟,模拟结果与实测值几乎完全重合,并准确预测出了铝阳极氧化膜升压时间及180s时的耐压值。另外,对铝阳极氧化膜耐电压曲线进行了初步解释。     

Light-controlled Anodic oxidation of n-GaAs and its application to preparation of specified active layers for MESFET's

A new technique of anodic oxidation of n-GaAs is presented, whose principle is based upon the photo-avalanche multiplication effect during anodic oxidation under light illumination. An attractive feature of this technique is that the impurity concentration-thickness product of an n-GaAs epitaxial layer on a semi-insulating GaAs substrate can be automatically and precisely controlled to a desired value without knowing the initial thickness and the impurity concentration of the epitaxial layer. This etching technique has been successfully applied to the GaAs MESFET fabrication process, where the well-controlled drain saturation current and pinchoff voltage are obtainable simply by varying the illuminating light intensity during anodic oxidation.     

基于多孔氧化铝模板的一维ZnO纳米线的制备

多孔氧化铝由于具有纳米级的孔径、尺寸可调等独特的优点,成为合成纳米材料的一种常用模板.以多孔氧化铝为模板,制备出了纳米量级的纤维、纳米棒、金属管、半导体等新型材料.制备出了优良的多孔氧化铝有序孔洞阵列;以其为模板,采用直流电化学沉积的方法,在其规则排列的孔中沉积得到锌的纳米线;然后将其在高温下氧化,得到氧化锌的纳米线.利用X射线衍射谱、扫描电子显微镜等手段研究了它们的微结构性质,X射线衍射谱表明,用电化学沉积方法得到的锌和氧化锌纳米线均为多晶结构.