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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ... 相似文献
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吴庆芳 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
新型高成品率０．４μｍ ＧａＡｓ工艺《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９３年第１５期报导，美国弗吉尼亚州国际电话电报（ＩＴＴ）公司ＧａＡｓ技术中心开发了一种新型的０．４卜ｍ多功能自对准栅（ＭＳＡＧ）工艺。与其它ＧａＡｓ大规模集成电路所用的工... 相似文献
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用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因． 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1994,(3)
采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９... 相似文献
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续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。 相似文献
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用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快 相似文献
9.
国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。 相似文献
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本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶结构材料测到±２级卫星峰；而对于ＴＭＧ／ＴＭＩｎ源，非故意掺杂载流于浓度为３．１×１０￣１５ｃｍ￣（－３），最窄光致发光峰值半宽为８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶 相似文献
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冷静 《红外与毫米波学报》1994,13(1)
研究在外加电场０～５０ｋＶ／ｃｍ范围内，Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８ＡＳ宽量子阱电透射光谱中１１ｈ激子跃迁的谱线宽度（ＦＷＨＭ）．它可分解为由温度及界面粗糙度引起的非均匀展宽（高斯型）和由外场引起的均匀展宽（劳伦兹型）．用线性叠加的近似公式代替高斯和劳伦兹方程的卷积，再与实验光谱拟合．谱线总宽度、高斯展宽成份及线性叠加系数η均作为拟合参数得到，从而可得劳伦兹展宽．将与外场的关系曲线与理论作比较，在数量级上一致． 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
用Ｉｎ_（０．５）Ａｌ_（０．５）Ｐ作发射区的新型ＧａＡｓＨＢＴ近年来，异质结双极晶体管（ＨＢＴ）在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《ＩＥＥＥＥＤＬ》第１５卷１期报道．Ｊ．Ｍ．Ｋｕｏ等用气源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术首次生长出了Ｉｎ０．５Ａｌ０．５... 相似文献
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ＤｉｆｆｕｓｉｏｎｏｆＺｉｎｃｉｎＩｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ，ＩｎＰａｎｄＧａＡｓ￥ＺＨＵＡＮＧＷａｎｒｕ；ＺＯＵＺｈｅｎｇｚｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＦｅｎｇ；ＳＵＮＦｕｒｏｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉ... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(1)
高灵敏Ｉｎ_（０．５３）Ｃａ_（０．４７）Ａｓ／ＩｎＰ霍尔传感器虽然霍尔效应早已众所周知，而且最早在固态传感器方面得到开发利用，但是霍尔效应器件迄今仍然极受重视。半导体工艺技术和应用潜力极大的磁场传感器的发展则更激起了人们的研究热情。近来，Ⅲ－Ｖ族半导... 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1995,15(3):222-227
采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应 相似文献