掺杂Lu_2O_3对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷性能的影响

以Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Lu2O3进行改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yLuy)9.33Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Lu2O3能很好地把Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降至1 260℃,当y=0.05时Ba4Sm9.33Ti18O54为类钨青铜结构,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:4.33GHz时εr约为76,Q.f约为2532,τf为–42×10–6/℃;y<0.5时生成了类钨青铜结构晶相,y≥0.5主晶相变成烧绿石相,不具备介电性。     

(Sr_(1-x)Ba_x)La_4Ti_4O_(15)微波介质陶瓷的显微结构及介电性能

采用传统的固相反应法制备(Sr1-xBax)La4Ti4O15(x=0~1,BSLT)微波介质陶瓷,并对其物相组成、晶体结构及微波介电性能进行分析。研究结果表明,Ba2+含量的增加降低了BSLT陶瓷的烧结温度,陶瓷的主晶相为(Sr,Ba)La4Ti4O15,并伴随有第二相La2TiO5的生成。在微波频率下,随Ba2+含量的增加,BSLT陶瓷的微波介电常数εr及品质因数与频率之积Q×f值先增大后减小,谐振频率温度系数τf为(-4~-11)×10-6/℃,优化出(Sr0.9Ba0.1)La4Ti4O15陶瓷具有最佳微波介电性能:εr=47.5,Q×f=31 582GHz,τf=-7.5×10-6/℃。     

ZrO_2掺杂BaO-La_2O_3-TiO_2陶瓷预烧温度研究

采用固相反应法,在不同温度(1100~1250℃)下预烧后烧结制备了Ba4La9.33(Ti0.95Zr0.05)18O54微波介质陶瓷,研究了预烧温度对其相组成、显微结构以及微波介电性能的影响。结果表明:不同预烧温度下制备的陶瓷样品主晶相均为类钨青铜结构的BaLa2Ti4O12晶相。1200℃预烧制备的陶瓷样品晶粒为典型的柱状晶,分布均匀,且晶粒尺寸最大。1200℃预烧后,于1400℃烧结制备的陶瓷样品具有最佳的微波介电性能:εr=86.83,Q·f=5875GHz(4.482GHz),τf=81.99×10–6/℃。     

Effects of Lu2O3 doping on the performance of Ba4Sm9.33Ti18O54 microwave dielectric ceramics

以Ba4Sm9.33Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Lu2O3进行改性,形成固溶式为Ba4(Sm1-yLuy)9.33Ti18O54的结构.结果表明,掺杂Lu2O3能很好地把Ba4Sm9.33Ti18O544微波介质陶瓷的烧结温度降至1 260℃,当y=0.05时Ba4Sm9.33Ti18O54为类钨青铜结构,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:4.33 GHz时εr约为76,Q·f约为2 532,τf为-42×10-6/℃;y＜0.5时生成了类钨青铜结构晶相,y≥0.5主晶相变成烧绿石相,不具备介电性.     

低温烧结微波介质陶瓷

在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。     

Ba_(0.2)Sr_(0.8)La_4Ti_4O_(15)微波介电陶瓷的两步烧结法制备及性能表征

采用两步烧结法制备了Ba0.2Sr0.8La4Ti4O15微波介电陶瓷,并通过分析陶瓷的晶相、显微结构及介电性能,与采用传统高温直接烧结法制得的陶瓷样品进行了对比。结果表明,较之高温直接烧结法,采用两步烧结法可通过较长时间保温而制备出粒度小而均匀、无裂纹且介电性能较好的陶瓷。在一次烧结温度为1 600℃、二次烧结温度为1 500℃并保温10 h条件下所制陶瓷介电性能最优:εr=46.52,Q.f=65 496 GHz,τf=–12.1×10–6/℃。     

ZnO对BaSm_2Ti_4O_(12)陶瓷性能的影响

讨论了Zn O对Ba Sm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O添加能推动Ba Sm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结,可至少将其烧结温度降低至1 280℃。当添加过多的Zn O时,Zn2+会进入晶格,可能导致晶格畸变,由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷,降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt%Zn O的Ba Sm2Ti4O12试样在1 280℃烧结时,综合介电性能最好:εr=76.46,Q×f=6 334 GHz。     

TiO_2对BLT微波介质陶瓷结构及介电性能的影响

采用传统固相烧结工艺制备了BaO-La2O3-nTiO2(n为3,4,5和6)微波介质陶瓷,研究了该系陶瓷的相组成、微观形貌和微波介电性能之间的关系。结果表明:该系陶瓷具有较优介电性能的主晶相为斜方晶系BaLa2Ti4O12,并且第二相的存在对其介电性能影响明显。烧结体致密性是Q·f及τf的重要影响因素。当n为4时,获得相对较优的介电性能:εr为139.7,Q·f为1239.0GHz和τf达180.0×10–6℃–1。     

ZrO2掺杂对Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应烧结法制备了ZrO2掺杂的Ba(Zn1/3Ta2/3)O3微波介质陶瓷,研究了陶瓷的烧结特性和介电性能。结果表明,ZrO2掺杂能有效降低Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷的烧结温度,改善陶瓷的微波介电性能。当x(ZrO2)=4%时,Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷致密化烧结温度由纯相时的1 600℃降至1 300℃,同时陶瓷材料的微波介电性能达到最佳值,即介电常数εr=34.79,品质因数与频率的乘积Q×f=148 000(8GHz),谐振频率温度系数τf=0.3×10-6/℃。     

Ba2Ti9O20/PTFE微波介电复合材料的制备及性能

采用粉末冶金工艺制备了以微波介质陶瓷Ba2Ti9O20微粉增强PTFE的微波基片复合材料。研究了陶瓷微粉含量对其介电性能的以及介电性能的频率和温度特性，并用介质混合法则对其介电常数进行拟合分析。发现某些组分的Ba2Ti9O20／PTFE复合材料的介电常数和介电损耗具有良好的频率和温度稳定性，拟合结果与实验测试结果一致性较好。     

（Pb,Nd）（Ti,Mn,In）O3陶瓷的微波介电性质

近年来，越来越多的具有高介电常数和低介质损耗的陶瓷介质用于微波领域。（Ｐｂ，Ｎｄ）（Ｔｉ．Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷是一种新型的微波介质材料。在本文中，作者致力于（Ｐｂ．Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷的微波介电性质的研究，并且讨论了Ｍｎ含量对微波介电性质的影响。     

Inorganic–Organic Hybrid Dielectrics for Energy Conversion: Mechanism,Strategy, and Applications

Dielectric materials with higher energy storage and electromagnetic (EM) energy conversion are in high demand to advance electronic devices, military stealth, and mitigate EM wave pollution. Existing dielectric materials for high-energy-storage electronics and dielectric loss electromagnetic wave absorbers are studied toward realizing these goals, each aligned with the current global grand challenges. Libraries of dielectric materials with desirable permittivity, dielectric loss, and/or dielectric breakdown strength potentially meeting the device requirements are reviewed here. Regardless, aimed at translating these into energy storage devices, the oft-encountered shortcomings can be caused by either of two confluences: a) low permittivity, high dielectric loss, and low breakdown strength; b) low permittivity, low dielectric loss, and process complexity. Contextualizing these aspects and the overarching objectives of enabling high-efficiency energy storage and EM energy conversion, recent advances in by-design inorganic–organic hybrid materials are reviewed here, with a focus on design approaches, preparation methods, and characterization techniques. In light of their strengths and weaknesses, potential strategies to foster their commercial adoption are critically interrogated.     

微波基板用陶瓷材料Li_2Mg_(1-x)Zn_xTi_3O_8微波性能研究

通过传统固相反应法制得三元系尖晶石结构的Zn掺杂的Li_2Mg_(1-x)Zn_xTi_3O_8(LMT)陶瓷。讨论了Zn掺杂对Li_2MgTi_3O_8陶瓷试样的相结构、显微结构及微波介电性能的影响。当Zn掺杂量为0.06时,Li_2Mg_(0.94)Zn_(0.06)Ti_3O_8陶瓷试样在1 075℃烧结4h可获得良好的显微结构与微波性能,其中介电常数适中(ε_r≈26.58),品质因数较高((Q×f)≈44 800GHz),谐振频率温度系数趋近于0(τ_f≈1.9μ℃~(-1))。该研究得到的陶瓷材料具有良好的微波介电性能,可作为无机填充材料运用于微波复合介质基板材料的研制中。     

SrTiO3-Nd2O3系陶瓷的介电频谱研究

研究SrTiO3-Nd2O3系陶瓷的介电频谱特性。由介电频谱确定了此种陶瓷的介电弛豫频率和介电弛豫时间，并对介电频谱进行了理论分析和讨论。     

低介电常数(low-k)介质在ULSI中的应用前景

本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在ULSI中应用的前景.     

FCCL高频介电性能和介电热系数的测量

由于FCCL机械性能特点,FCCL大量用于刚挠结合电路。而应用在FCCL电路的传输频率较低,高频介电性能如介电常数Dk和介电损耗角正切Df未被重视起来。本文利用分离式介质谐振腔法测量FCCL的介电性能,测试频率范围为1.1 GHz~15.5 GHz,并测量其介电常数热系数TCEr。     

现代介质薄膜

介质薄膜是一类重要的电子薄膜。现代常用的介质薄膜种类很多，按其成分可分为无机薄膜、有机薄膜和复合薄膜三类。同一种介质薄膜当制造工艺略有不同时，就会出现性能差别较大的结果，且随着膜厚的减小，这种现象表现得越来越明显。现在介质薄膜的进展可归纳为：（１）成膜技术的提高，其工艺特点是精细、程控和准确；（２）薄膜下限厚度的减小，如陶瓷薄膜已降到１μｍ，大量生产的高分子聚合物薄膜已降至１００ｎｍ；（３）涌现出了不少新型介质薄膜。从８０年代以来兴起了对纳米级介质薄膜的研究热潮     

钡镧钛系列高介电常数陶瓷研究

采用固相烧结法制备了BaO-La2O3-nTiO2(n=3,4,5和6,BLT)微波介质陶瓷。研究了TiO2含量以及添加Bi2O3和SrTiO3对所制BLT陶瓷的微观结构及介电性能的影响。结果表明:当n=4时,BLT陶瓷晶体结构致密。当n=5并添加Bi2O3和SrTiO3进行改性,所制BLT陶瓷的相对介电常数εr从93增大到210,介质损耗tanδ从2.5减小到1.2,电容温度系数αc向负方向移动。     

微波介质陶瓷材料综述

从使用微波介质陶瓷材料制作微波介质谐振器的角度，详细综述了微波介质陶瓷材料的特性、发展现状，讨论了提高微波介质材料性能的途径，指出了其今后的发展和应用方向。     

氰酸酯树脂的结构与性能

概述高频印制电路板基材和氰酸酯树脂系列的结构与性能。