晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨

由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。     

射频功率晶体管发射极宽度的设计研究

本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点,通过计算有效发射区宽度Seff,提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计。作为应用实例,给出了工作频率分别为30MHz、108MHz、400MHz和1000MHz四个系列产品的发射极宽度优化设计的典型数据。     

非晶硅发射区双极晶体管的低温特性

本文研究了非晶硅发射区双极晶体管的低温特性，得出了如下结论：低温下电流增益随基区杂质浓度的上升而下降，不同于常规同质结双极晶体管的情况，集电极电流则随基区杂质浓度的上升而上升。这些结果将为低温双极晶体管的设计提供理论依据。     

SiGe HBT的速度优化设计

从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法。结合双极晶体管的工艺限制，介绍了SiGeHBT的基本原理，讨论了SiGeHBT的发射区／基区／集电区设计。最后，以一个100GHzfmax和fT的HBT为例，对电路制作工艺参数进行了讨论。     

多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型

在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分析了发射区渡越时间与多晶／单晶界面参数之间的关系，区分了支配ＲＣＡ器件和ＨＦ器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理，得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论．     

一种新型LEC结构晶体管的研制

本文介绍了一种新型低发射区浓度（LEC）结构的高电流增益晶体管3DA3807的设计与制造。着重阐述了它与一般常规晶体管比较所显示的结构特点和性能优势。讨论了在研制中遇到的一些问题，提供了一些有关的实际数据以及相应分析图表。     

双极晶体管电流增益与发射区杂质浓度关系的温度特性

本文从理论和实验两方面对积极型晶体管电流增益HFE与发射区杂质浓度NE的关系的温度特性进行了探讨。研究结果表明，HFE与NE的相关程度与温度有关，在常温下，HFE随NE的增加而增加；当温度升高时，HFE将随NE的增加而更剧烈地增加。     

性能优良的RCA微波功率晶体管

首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 RCA器件直流增益的温度特性的影响及对微波性能的影响     

77K多晶硅发射区双极型晶体管

本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。     

双极型晶体管发射区物理参量的测定

本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复合寿命.考虑到发射区中重掺杂效应,本文采用了费米-狄拉克统计分布.此测定方法简便而实用.     

晶体管发射极电流集边效应理论研究的新进展

介绍了晶体管基区电位微分方程精确解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管设计提供更确切的理论依据。     

双极晶体管发射极电流集边效应理论及其在大生产中的应用研究

本文对双极晶体管发射极电流集边效应的理论研究作了回顾。文章指出：1971年,J.Olmstead等人在四个假设下,导出了一维的描述该效应的微分方程,并给出了它的近拟解。我们采用分离变量法,不作任何近似,导出了该微分方程的解析解,从而使描述该效应的理论得到了改进。该解析解理论应用于射频功率晶体管的版图设计中,取得明显效益。解析解不仅提高了描述该效应的精度,更重要的,是拓宽了理论适应的范围,从弱注入到极强注入的所有注入范围内,它都能适用,都能给出基区电位和发射极电流的分布函数。     

多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟

在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上，根据国内现有的双极工艺水平，设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程，并给出了一个最小尺寸晶体管的版图，最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。     

晶体管发射结正向电容的测量及分析

晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试 ,估算了晶体管的正向渡越时间的范围 ,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容。     

选择离子注入集电极技术研究

为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。     

采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能

研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.     

多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间均匀性从12%改善至9%,显著提升了产品的成品率。     

复合介质L型侧墙形成技术

:给出了 E- B之间复合介质 L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易 ,成品率高 ,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中 ,器件具有良好的电学特性。