Wedding……

兄弟结婚了，朋友结婚了，朋友的朋友结婚了；男的结婚了，女的结婚了，不男不女的也结婚了；有感情的结婚了，没感情的结婚了，认识不认识的结婚已经无所谓了……     

恶性斗殴为何屡禁不止？——运营商互殴：粗暴宣泄何以为“道”!

“我有一个梦想：某一天三大运营商员工不摆摊了,不打架了,员工年收入差距缩小了,前端营业员待遇提高了,后端装维与资源矛盾化解了,服务质量提高了,恶性竞争消除了,重复建设停止了,不再破坏对手广告了,不互挖墙角搞策反了,不再零元购机了,不打价格战了,都能活的有尊严了”.     

智能卡ISO面沾污的解决

简介了GT(软封胶)封装的智能卡封装过程,给出了智能卡I SO面沾污的情况,通过分析设定了产生沾污问题的原因。然后用一系列实验的手段加以验证,找到了产生沾污的根本原因,最后提出了沾污评估的方法,得出了相应的解决方案,并对方案进行了讨论,得出了结论。     

CDMA2000 EV-DO系统接纳控制算法研究

文中基于CDMA2000 EV-DO系统,对通信系统接纳控制算法进行了研究.首先介绍了接纳控制在CDMA系统中的重要作用.然后研究了基于QoS的接纳控制判决条件,分析了在增加新的QoS流和切换过程中的系统资源预留打开条件.通过仿真方法分析了各种QoS流与BE流之间占用扇区带宽的换算,继而研究了基于扇区带宽的接纳控制算法.运用色阶的方式,介绍了一种CPU利用率的控制方法,研究了在不同CPU利用率的情况下的接纳控制算法.最后提出了两种基于扇区用户数的接纳控制算法,并分析了各自的特点.     

某测试转台电控系统设计

给出了测试转台电控系统的组成,着重讨论了伺服控制单元的设计,详细介绍了伺服主控模块的设计和对外接口,分析计算了转台负载力矩,并由此给出了伺服电机的选型,简要介绍了系统的电源设计。最后研制出了测试转台样机,给出了测量误差,对类似工程设计具有一定的参考意义。     

一种基于数字电路的纳秒级脉冲产生方法

介绍了超宽带无线电的基本概念和技术特点,对几种典型的超宽带窄脉冲产生方法进行了描述和比较,提出了一种采用数字电路实现超宽带纳秒级窄脉冲的新方法,叙述了电路的基本原理和核心器件的主要性能,给出了电路结构,并对试验电路进行了测试。最后给出了测试结果并对测试结果进行了分析,得出了相关的结论。     

有一种现象叫马云

忘记了是在什么时候记住马云的,也忘记了明媚的春天是在哪一年来得更早。前不久有幸结识到《谁认识马云》,立刻便被开篇的刘东华序给吸引了——我们这些中国老乡,真的认识马云、认识阿里巴巴了吗?日本人孙正义因为真正认识了马云,率先给阿里巴巴做了舅舅;美国人杨致远因为真正认识了马云,急急忙忙让雅虎做了阿里     

一种采用电容共用技术的DC-DC开关电源软启动电路

开关电源DC-DC转换器已经在各种电子设备中取得了广泛的应用。软启动电路保证了DC-DC转换器的正常启动,防止了器件的损坏。从理论上分析了软启动电路原理,设计了一种新型的开关电源软启动电路,该电路引入了电容共用方法,通过与频率补偿电容共用节省了软启动电容,降低了应用成本。并给出了具体电路实现,Spectre仿真结果验证了这种电路的可行性。     

数字集成电路设计成本模型初探

本文首先阐述了集成电路成本核算的必要性,接着分析了数字集成电路成本的构成,着重论述了影响数字集成电路成本的各种因素,进行了量化建模,最后给出了系数的选取原则。     

亚70nm CMOS工艺低漏电流、高噪声容限的低功耗多输入多米诺或门的设计

提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺"或门"的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限.采用新的电路技术设计了八输入多米诺"或门"并基于45nm BSIM4 SPICE 模型对其进行了模拟.模拟结果表明,设计的两种新多米诺电路在同样的噪声容限下有效地降低了动态功耗,减小了总的漏电流,同时提高了工作速度.与双阈值多米诺电路相比,设计的两种电路动态功耗分别降低了8.8%和11.8%,电路速度分别提高了9.5%和13.7%,同时总的漏电流分别降低了80.8%和82.4%.基于模拟结果,也分析了双阈值多米诺电路中求值点的不同逻辑状态对总的漏电流的影响.     

改善ZnO压敏元件温度特性的研究

从实验上探索了降低ＺｎＯ压敏陶瓷元件泄漏电流温度系数的途径和方法，研制了特殊添加物，在通常的ＺｎＯ压敏瓷料中添加适量特殊添加物，可以改变ＺｎＯ压敏陶瓷泄漏电流的温度特性，达到降低泄漏电流温度系数的目的。泄漏电流随温度变化在３１～３４°Ｃ出现极大值可能是杂质离子对电子的散射作用所致。     

基于广义回归神经网络的阳极效应自动预测

摘要：针对当前阳极效应预测方法存在精度低、过拟合等缺陷,根据阳极效应的非线性、时变性等变化特点,设计了一种基于广义回归神经网络的阳极效应自动预测模型。首先采集阳极效应预测的样本,并对样本数据预处理,建立阳极效应预测的学习样本,然后将阳极效应的学习样本输入到广义回归神经网络进行学习,构建阳极效应自动预测模型,最后进行了具体的阳极效应预测仿真实验,并与其它模型进行了阳极效应预测的对比测试。结果表明,广义回归神经网络可以有效的拟合阳极效应变化特点,提高了阳极效应预测精度,而且预测误差明显要小于当前其它阳极效应预测模型,具有较高的实际应用价值。     

压电陶瓷在外力作用下的多次压电效应研究

分析了多次压电效应的产生过程,利用有限元法得出了压电陶瓷在外力作用下的多次压电效应仿真分析结果.采用PZT-5叠堆进行了正压电效应开始的多次压电效应的实验研究,通过改变PZT-5叠堆的边界条件进行信号的解耦和分离,得到了实验结果.实验数据表明,二次逆和三次正压电效应均与所施加的外力具有线性关系.     

红外成像系统仿真

基于红外设备外场试验可以获得很多系统参量,提出红外成像系统效应仿真应基于设备外场试验参量进行.分析了红外成像系统的像差效应、离焦效应、空间积分效应和噪声分布,分别就红外成像系统的光学系统效应和探测器效应进行了仿真.结合红外系统试验参量给出了红外成像系统效应仿真结果.     

激光陀螺捷联惯导尺寸效应误差分析与补偿

在高动态条件下,加速度计尺寸效应已成为影响激光陀螺捷联惯导系统精度的重要误差源.文中从理论上分析了尺寸效应的产生机理,认为尺寸效应的产生是由于加速度计测量点不一致而引起,分析了激光陀螺机械抖动引起的尺寸效应误差.对加速度计组件在一般安装关系下的尺寸效应误差模型进行了推导.对于加速度计非正交安装情形,在常规静态标定模型基础上,推导了考虑尺寸效应后的动态标定模型.以导航速度为观测量,建立了加计组件尺寸效应误差补偿的一般模型方程.一系列的试验证明,尺寸效应补偿有效地提高了导航精度.     

霍尔效应和霍尔传感器的教学方法研究

磁电效应(电磁感应、霍尔效应、磁致电阻效应)是磁场与物质之间的重要的物理效应。只有深入理解电磁学原理,才能进一步学好霍尔传感器。本文针对现有教材状况,强调从理解电磁学中带电粒子在磁场、电场中的运动规律开始,进而深入学习霍尔效应和霍尔传感器。本文还介绍了用形象生动的教学方法,使学生扎实牢固地掌握该知识。     

海面雷达信号环境多路径效应建模与仿真技术研究

为了提高雷达信号环境仿真的逼真性,分析了多路径效应对雷达侦察设备的影响,对海面多路径效应进行了研究,阐述了多路径效应的产生原理及其计算方法,建立多路径效应物理和数学模型,给出了雷达信号环境多路径效应的半实物仿真系统实现方案。     

The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model

A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors （RC-IGBT）. Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect （including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect） and hysteresis effect perfectly.     

N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化

研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量——器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应.     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。