等离子腐蚀铬掩模版的横向腐蚀分析

本文给出了进行等离子腐蚀铬掩模版图形的一个典型工艺条件,并对在此工艺条件下腐蚀的铬掩模图形的实验结果进行分析,给出了等离子腐蚀中的横向腐蚀量。实验结果确证了腐蚀技术是制造超大规模集成电路和超高频功率器件掩摸版的最好腐蚀技术。     

一种用于集成电路的新的掩模

美帝贝尔实验室正在研制用于制作集成电路的实验性透明(Se—through)光掩模,据称它兼有通用光掩模所达不到的耐久性和精确度。同时,它比铬或乳胶掩模有更好的抗蚀性。这种新的金属—氧化物掩模既具有一般透明乳胶掩模的透明和易于对准的特性,又具有铬掩模的耐久性。同时,它解决了乳胶掩模的不耐用问题和铬掩模的不透明和针孔问题。贝     

电子束制备亚微米掩模

采用微细的电子束通过化学腐蚀工艺而不是剥离工艺制得了亚微米线宽的铬掩模。在计算机控制的扫描电镜(SEM)中进行电子束曝光。用旋转涂敷法在铬版上涂上聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)抗蚀剂,电子辐照之后,样品用适当的工艺进行显影,对铬版曝光区域进行化学腐蚀。在曝光中,电子束的能量、电流和直径分别为15千电子伏、0.1毫微安和小于0.1微米、无需后烘工序。利用这些技术制得了表面波换能器和集成电路的铬掩模。     

硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺

掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺.要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求.一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷.因此提出使用Su-8负性光刻胶结合铬金属制备多层掩模.这种掩模结构制备工艺简单,经济实用;提高了掩模在高速刻蚀时的掩蔽性能,实现了深刻蚀.实验表明,其能满足300μm以上深刻蚀的要求,可用于硅及玻璃等材料的微加工.     

用硬接触法复印大型化铬掩模

随着生产集成电路芯片的大型化,生产光刻用的大型化铬掩模显得尤为重要了.本文介绍了用硬接触法复印大型化格掩模的设备和工艺条件,并对复印中的问题进行了分析.对所生产的4吋和5吋的铬掩模复印精度测量,其图形尺寸容差是±0.2微米.     

全等离子干法腐蚀工艺

SiO_2和Al的选择腐蚀肯定可由等离腐蚀来完成。此项工作虽然还处于实验室阶段,但看来是很有前途的。等离子腐蚀已用于去胶、腐蚀多晶硅与单晶硅,Si_3N_4以及腐蚀作为掩模用的铬膜等。而且SiO_2膜与Al膜的腐蚀也是完全可以实现的,所有的腐蚀工艺都可以进行干腐蚀。本文着重叙述利用等离子腐蚀来实现SiO_2与Al的腐蚀问题,详细地汇总一下其研究情况。有关离子腐蚀及等离子成膜技术在这里就不准备介绍了。     

1微米条宽的铬掩模图形常规制作技术

本文描述了用常规制版工艺制作1微米窄条铬掩模光刻版的各种工艺困难和解决方法。在此基础上采用一些改进措施,在常规制版工艺线上,用普通光学系统,能够重复地制作出比较均匀的1微米线宽的铬掩模。     

形成硅多层微机械结构的“掩模-无掩模”腐蚀新技术

本文介绍了一种制作硅多层微结构的体微机械加工新技术．基于KOH溶液的无掩模腐蚀特性，仅用一层掩模进行一次从有掩模到无掩模的连续腐蚀工序，可在（100）硅片上制作各种以（311）晶面为侧面且进棱沿（110）晶向的多层次立体结构，原则上层面数不受限制，各个层面的位置和深度都可由一块掩模的设计和相应的腐蚀深度确定，该技术突破了传统各向异性腐蚀的局限性，使体微机械技术的加工能力大为扩展，可望在微电子机械系统的结构制作中广泛应用．     

乳胶掩模工艺技术

在半导体工业中,大约75%的生产用的光刻掩模是采用高分辨率光刻版。高分辨率掩模成本低的优点抵销了它相对于硬表面掩模(铬以及氧化铁等)来说成品率低和寿命短之不足。不断地研究出提高光刻掩模的成品率和降低成本的方法。本文介绍了乳胶掩模工艺以及干燥枝术方法和设备的目前情况。工艺和干燥是提高掩模成品率的最重要方面。     

光掩模涂层的薄膜分析

<正> 半导体生产中的光刻工艺要求使用能确定器件某种特征的高质量的掩模材料。除了要求掩模材料能阻挡光刻操作所必需的光化辐射外(主要是紫外线),对掩模材料的要求可能是完全不同的。对各类掩模的基本要求是薄膜要耐用、耐划、热稳定性好、与玻璃的粘附性好、以及能抵抗有机清洗剂或溶剂的浸蚀,没有针孔等。最通用的材料是在钠钙玻璃或硼硅玻璃板上的700～1000埃厚的铬。铬掩模较早地取代了照相乳剂掩模,因为不透光层较薄、较硬,以及线条清晰。超大规模集成电路(VLSI)微型化的趋势,结合由电子束制造主掩模和投影复印,也已增加了对掩模材料的要求。发展 VLSI 的重点放在低缺陷密度和无针孔的材料上。增加图形的复杂性和使用正性抗蚀剂导致了大量掩模的大范围不透明,因此定位更     

加工对称梁岛结构的微机械加工新技术

本文报道了一种用无掩模腐蚀技术加工对称梁岛结构的微机械加工技术。根据硅台阶在ＫＯＨ无掩模腐下形状和尺寸的变化规律，可以设计制造出一般掩模腐蚀难以形成的微机械对称当今岛结构。由于该技术工艺简单，易于控制，为制作对称梁岛结构的硅 速度传感器提供了新的加工手段。     

激光直写制作二元光学元件掩模研究

介绍了激光直写技术制作二元光学元件铬版掩模的原理,分析了影响铬版上铬膜氧化程度的因素,研究了铬版上 刻写掩模图案时激光能量与刻写半径之间的关系,总结了利用激光直写方法刻写二元光学元件铬版掩模过程中激光能量的 形成方法。     

在等离子腐蚀中的一种新的钻蚀现象

硅和硅介质膜的腐蚀是在硅衬底表面上形成精细图形的一种基本技术。本文的目的是报导在硅、硅介质膜和铬膜气体等离子腐蚀时所观察到的一种新的腐蚀方法。众所周知,钻蚀现象是由于采用溶液的通常湿化学腐蚀方法的一种固有现象,因为腐蚀是以中心位于光致抗蚀剂的边缘按两维的正向推进。因此,当光致抗蚀剂掩模图形宽度和腐蚀的图形宽度分别定为 W_1和 W_2时,钻蚀的量△W=(W_1—W_2)/2在通常湿化学腐蚀方法的情况下总是正的。氟利昂—14气体等离子可以腐蚀硅和硅介质膜,同时腐蚀速率按下列次序:多晶     

硅多层微机械结构无掩模腐蚀新技术及在力敏结构制作中的应用

提出一种新型硅无掩模腐蚀技术，利用设计一块掩模和进行一次常规有掩蚀之后的无掩模腐蚀工艺，可制作多层次的硅微机械结构，结构层数原则上不受限制，各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术，给出了制作的几例多层力学量传感器结构结果。该技术将可望广泛应用于半导体微机械传感器和执行器中。     

氧化铁选择透明掩模的制备及应用

本文描述了在氧化性气氛中,用低温热分解并氧化五羰基铁的方法,在经过仔细清洁处理的玻璃衬底上形成1500～2000埃厚的彩色氧化铁膜,采用普通的光刻技术容易获得线宽为1～2微米的选择透明掩模。该种掩模无论制备还是质量,均较目前仍广泛使用的乳胶掩模、铬掩模优越,值得指出的是在汽相沉积中如何克服五羰基铁的毒性及在使用该类掩模中防止和消除图形边缘的沾污则是全面推广急待解决的课题。     

极坐标激光直写技术制作微结构

简述了极坐标激光直写技术原理,并利用该技术研究了在铬板、光刻胶版表面制作微 结构的工艺,制作了光栅、非涅耳透镜、曲面衍射透镜、平面连续微结构衍射透镜掩模以及基于MEMS技术的微型太阳敏感器光学掩模。     

钼金属掩模的选择性化学腐蚀

本文主要叙述薄膜集成电路所用的钼金属空花掩模的制备。简述了制备工艺流程,阐明了用硝酸、磷酸、醋酸的混合液选择性化学腐蚀的机理,讨论了化学腐蚀的主要影响因素,从而制定了腐蚀液的最佳配方和腐蚀的工艺条件。     

改造双极生产线Cr版代替明胶版光刻技术研究

本文叙述了用匀胶铬版制作光刻掩模代替超微粒干版制作光刻掩模的工艺过程，文中就图象发生器直接曝光匀胶铬及图象的黑白反转工艺作了较为详尽的介绍，对集成电路的光 刻技术有一定参考作用。     

用钽吸收体作图形的高反差、亚微米x射线掩模

研制了一种钽吸收体图形的 x 射线掩模。为了制作钽吸收体图形,采用了反应离子刻蚀全干式工艺,这样不仅使得亚微米图形成形极为精确,而且简化了掩模制造过程。精确地控制好射频溅射时的氩气压,使钽膜的应力保持在±10kg/mm~2以内。在制作吸收体图形时,采用中间体 SiO_2层作为腐蚀掩蔽层,用反应溅射腐蚀的方法得到了高于10的 Ta/PMMA 腐蚀选择比,获得了高反差的亚微米 x 射线掩模,最小图形宽度为0.2μm、最大高宽比大于3。     

掩模材料与新颖的衬底方案关键问题及新的良机(英文)

通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45nm及以下技术节点的掩模要求。此外类似于折射指数、平整度、成分、均匀性和应力等衬底材料的固有特性严重地影响到掩模加工性能和光刻性能。评述了45nm及以下技术节点对空白材料,掩模及晶片层面的要求。指出了对于关键问题及出现的问题的可仿效实施的方法,最后研究了集成用于高效光掩模工厂的掩模材料的实际情况分析。