三端电压控制型负阻器件（4）

三端电压控制型负阻器件（４）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第四章“∧”双极晶体管［１３，１４］“∧”双极晶体管（ＬａｍｂｄａＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＬＢＴ。是以一ｎ沟增强型ＭＯＳ管作为反馈器件与一ｎｐｎ型纵向双极管（主器件...     

三端电压控制型负阻器件（7）

三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＭＯＳＤｅｖｉｃｅ）也称作“Ａ”微分负阻ＭＯＳＦＥＴ...     

硅光学双稳态(SOB)器件

利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT）或光电“∧”双极晶体管（PLBT）两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT（或PLBT）作为光的输入器件,以其驱动一发光管（LED）作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率（Pout）-输入光功率（Pin）特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。     

三端电压控制型负阻器件（2）

三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＥＧＩＴ是在栅控晶...     

三端电压控制型负阻器件（1）

三端电压控制型负阻器件（１）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）负阻器件从１９５２年埃伯斯（Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ）［１］提出和１９５６年摩尔（Ｊ．Ｌ．ＭＯＭｉ）等［２］研制出晶闸管和１９５８年江崎［３］发现隧道二极管到现在已经近四十年了。在这一段时...     

光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。     

双向负阻晶体管的脉冲应用

双向负阻晶体管的脉冲应用高广和，冯明昭，付连生关键词负阻晶体管，阶跃二极管，亚钠秒脉冲１引言双向负阻晶体管（ＢＮＲＴ）是我国发明的一种新功能器件，该器件是一种合并晶体管结构，如图１（ａ）所示，它在电路中的符号参照图１（ｂ）。两输出电极Ｅｌ和Ｅ２具有完...     

光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特性，设计和制造了在光强度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ，     

三端电压控制型负阻器件（3）

三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕｐ双极管作为反馈器件，将其集电极与另一纵向ｎｐｎ双极管（作为...     

一种新型硅三端负阻器件

提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。     

双管S型负阻器件的研究

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。     

三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟，得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布，解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明，随控制电压的增大，转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后，对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟，总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。     

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。     

光电双基区晶体管中的光控电流开关效应

光电双基区晶体管体在光电混合模式工作条件下具有光控“Ｓ”型负阻特及其光控电流开关效应。测量了光照时ＩＢＥ－ＶＢＥ特性,Ｉｔｈ－Ｒｃ特性等曲线。并利用用电注入双基区晶体管的“Ｓ”型负阻产生机理解释了测得的结果。     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

表面杂质浓度分布对晶体管负阻特性的影响

本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．找到了改善晶体管击穿特性的具体措施     

用硅光电负阻器件产生光学双稳态

本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用，开辟一条新途径     

半导体部件负阻的观测与应用

用晶体管图示仪观测电子部件的负担，由得到的曲线指导设计，在实验电路中，得到了两个负阻区相对应三个稳态值的新结果。     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性.     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性