基于双馈风力发电机三维温度场耦合的设计研究

本文结合流体力学和传热学的相关理论,建立了三维温度场耦合求解的数学、物理模型,为便于计算,还列出了相应的假设条件和边界条件,采用有限体积法对电机内的流体场和温度场进行了耦合求解。最后,对电机内部冷却系统流变特性和温度场特性进行了简单介绍。     

快速氧化生长超薄硅氧化层的变入射角椭圆偏振研究

采用多角度椭圆偏振光谱测量，并结合一定的数值计算方法，首次同时精确测出了多种工艺条件下由快速热氧化法生长的超薄氧化层厚度与折射率，对该方法生长的氧化层厚度与氧化时间平方根的关系进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能，同时也对薄氧化层折射率与氧化层厚度的关系进行了探讨．     

Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律

为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小，对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究．首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律，并在此基础上进一步分析推导，加以适当的简化，提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型，用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合．同时，实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象．运用这些规律，将氧化长度的精度控制在0.5μm内，基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性．     

提高硅片氧化均匀性的一种方法

采用加大硅片的片与片之间距离的方法，通过氧化通量模型，证实了加大硅片氧化时的间距能使氧化剂气流更好地硅片表面均匀反应，提高了氧化层的均匀性，在实际生产中取得了很好的效果。     

大气湿度对AFM针尖氧化加工金属Ti膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的Ti纳米氧化线，是基于Ti膜-半导体纳米器件的基础，由大气湿度决定的Ti膜表面水吸附层的厚度，对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。通过大量实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响，结果表明进行氧化加工Ti膜的较好湿度范围为30％～50％。     

先栅氧后场氧化MOS工艺研究

常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化。在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素，使栅氧化层质量难于提高。本研究从根本上改变这种流程，利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层，可明显改善栅介质层质量，简化工艺，提高成品率，统来很好的经济效益，经过十多年的反复应用试验，证明该工艺确实可行。     

用于纳米光电器件的Ti纳米氧化线的AFM加工

为利于与微电子加工工艺相结合，基于Ti氧化线的纳米电子和光电器件需要加工μm级长的Ti氧化线。偏置电压和扫描速度是AFM阳极氧化加工Ti纳米氧化线的决定因素。在温度(20℃)、相对湿度(30％)和氧气浓度(20％)基本保持不变的情况下，在不同的偏置电压和扫描速度下加工了5μm长的Ti氧化线，研究了不同偏置电压和扫描速度对Ti氧化线加工特性的作用，在偏置电压8V和扫描速度0.1μm／s条件下得到了比较理想的长Ti氧化线。     

气流式加速度传感器的敏感机理

介绍了在研制气流式加速度传感器过程中，为对气流式加速度传感器进行建模，作者对气流式加速度传感器的工作机理进行了理论性探讨。在分析过程中以流体力学、传热学和惯性理论为基础并结合实验结果，建立了适合于气流式加速度传感器的气体运动方程和能量方程。同时还讨论了热线测量加速度的方法及根据实验分析了输入加速度对腔体内温度及传感器输出电压的影响，从而为进一步研究一系列气流式传感器的工作机理提供了方法。     

铁镍铬封接合金氧化晶须的透射电镜研究

在透射电镜下考察了在铁镍铬封接合金氧化膜表面生成的氧化晶须，观察到了氧化晶须的几种形貌，确认了氧化晶须的头部为多面体。结合电子衍射和能谱分析结果，证实了氧化晶须为（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ＿２Ｏ＿４。     

AlGaAs湿法氧化特性实验研究

研究了AlxGa1-xAs／GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400-500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性。许多影响因素，如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化速率，影响到氧化物限制工艺的整体质量。实验得到AlxGa1-xAs中x值、厚度、氧化温度等因素与氧化速率有关，并发现气流量对AlxGa1-xAs层的氧化过程有重要的影响，实验测定了气流量与AlxGa1-xAs层氧化速率的关系。     

不同形状台面的AIGaAs湿氮氧化规律研究

详细研究了凸形、凹形与条形台面的A1GaAs湿氮氧化规律。对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试，发现凸形、条形及凹形台面的氧化速率顺次下降，且随氧化时间的加长，差距明显增大。运用氧化动力学方法分析，是由于不同形状台面内的氧化剂浓度及氧化剂扩散速率不同引起；并推导得出台面形状、尺寸与氧化速率的对应关系。所推导的氧化规律模拟曲线与实验数据基本吻合。进一步指出当台尺寸较小时，由于氧化剂在气相传送中也受到了限制，凹形台面氧化速率的实验值与理论值会出现较大偏差。     

圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律

AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数，故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究. 首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线，再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型，对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律，推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型，所得模型曲线与实验数据均吻合较好，并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.     

相对湿度对AFM针尖阳极氧化金属薄膜的影响

AFM针尖诱导氧化加工的金属(Ti、Al、Nb等)纳米氧化线是实现金属-半导体纳米器件的基础，由大气湿度决定的金属膜表面水吸附层的厚度，对控制阳极诱导氧化加工的结果起重要作用。实验研究了大气湿度对Ti氧化线高度、宽度和纵横比的影响，结果表明进行氧化加工Ti膜的较好的湿度范围为30％～50％。     

AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响

结合垂直腔面发射激光器的制备,详细研究了AlAs选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和AlAs薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响,给出了合理的定性解释,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件.在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器.     

氧化膜的形成机理与电容器的可靠性

分析了铝电解电容器阳极氧化膜的形成过程，研究了影响氧化膜击穿和电解液闪火的因素，结论是氧气的析出是氧化膜击穿和电解液闪火的前驱点，以此为指导对电容器的老练工艺提出了改进。电容器的成品率得到大幅度的提高。     

铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量

在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。     

替代黑氧化处理工艺的技术概要和动向

概述了黑氧化处理的问题点，利用蚀刻的铜箔粗化和替代黑氧化处理工艺的技术动向。     

氧化工艺对玻璃—金属封接管壳气密性的影响

进行了氧化工艺试验，分析了可伐预氧化质量对玻封金属管壳气密性的影响，提出了改进可伐预氧化工艺的途径。     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅰ．水合氧化膜存在下的阳极氧化膜的形成

铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器