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中科院化学所有机固体院重点实验室宋延林研究员与瑞士苏黎世理工学院的F.Diederich教授、中科院物理所高鸿钧研究员等人合作,在利用具有推拉电子基团的分子晶态薄膜进行超高密度信息存储研究方面取得了新的进展。他们在以往的工作基础上,设计合成了具有强电子给体和电子受体、物理化学性质稳定的有机分子1,1,2-tricyano-2-[(4-dimethyl-aminophenyl)ethynyl]ethene(TDMEE)。采用真空沉积的方法,成功地制备出给体-受体反平行规整排列的晶态薄膜并系统研究了TDMEE的薄膜生长特性。通过在STM针尖和HOPG衬底之间施加电压脉冲的方法,在T… 相似文献
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斜角入射沉积TiO_2薄膜的光学特性和表面粗糙度 总被引:3,自引:0,他引:3
采用电子束热蒸发技术在K9玻璃基底上以不同的沉积入射角沉积了单层TiO2薄膜,研究了不同入射沉积角沉积的TiO2薄膜的光学特性、填充密度和表面粗糙度,并比较了不同膜层厚度下薄膜表面粗糙度与入射沉积角之间的关系。研究结果表明,随着入射沉积角的增加,TiO2薄膜的透射率增加,透射峰值向短波移动,薄膜的填充密度从入射沉积角0°时的0.801降低到入射沉积角为75°时的0.341;薄膜的表面粗糙度随着入射沉积角的增加而增加,当入射沉积角为75°时,薄膜的表面粗糙度略高于基底的表面粗糙度。在沉积入射角不变时,随着膜层厚度的增加,膜层的表面粗糙度降低。 相似文献
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p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求. 相似文献
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采用射频(RF)磁控溅射工艺于玻璃衬底沉积了镓钛 共掺杂氧化锌(GZO:Ti)半导体薄膜,研究了沉积 温度对薄膜微观结构和光学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)和紫外分光光度计对其晶体 结构和透射光谱特 性进行表征,同时利用光谱拟合法获取了薄膜的光学常数。研究结果表明,所有薄膜均具备 六角纤锌矿结 构和c轴择优取向特性,沉积温度对薄膜的微结构参数、光学 常数和光学带隙具有明显调控作用,当沉积 温度为653K时,GZO:Ti薄膜的晶粒尺寸最大(82.12nm)、位错密度最低(1.48×10-4 nm-2) 、微应变最小(0.001)、可见光区平均透射 率 最高(82.06%)及光学带隙值最大(3.57eV )。 相似文献
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高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高,薄膜的化学键结构发生变化,N—H键含量和氮含量增大,Si—H键含量和氢含量降低。薄膜沉积速率是影响薄膜物理和光学性质的重要工艺参数。禁带宽度(E04)主要受薄膜中氮原子含量的调制,随着沉积速率增大,氮原子含量增大。另外,介电常数和折射系数则随之增大。最后得到满足薄膜晶体管性能要求的最佳工艺参数。 相似文献
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本文综述PbTe材料及其薄膜的当前研究进展,并针对PbTe薄膜的不同制备方法及特点进行了探讨,得出了PbTe薄膜的化学组成、组织结构、形态、光学特性与材料自身性质、基底特性、沉积温度、制备方法有直接关系的结论.上述结论对今后的PbTe薄膜研究具有重要意义。 相似文献
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氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质 总被引:9,自引:2,他引:7
研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术.发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征.通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中,两种衬底上的CdTe薄膜具有相同的结构.研究了玻璃衬底上CdTe薄膜的电学与光学性质,观察了后处理对上述薄膜性质的影响,并研制出了效率达1338%的小面积CdTe 薄膜太阳电池. 相似文献
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带有周期排列纳米孔结构金薄膜的散射光学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
利用离散偶极近似的方法(DDJA),对具有周期排列纳米孔金薄膜的散射光学性质进行了研究.通过计算得到的散射光谱曲线,确定了表面等离子激元(SPPS)在增强和抑制薄膜散射性质方面起到了重要的作用,通过改变孔间距、孔数量和孔直径能够控制表面等离子激元对薄膜散射系数的影响.同时也分析了膜宽、膜厚对薄膜散射系数的影响,结果表明随着薄膜厚度的增加,表面等离子共振峰强度降低. 相似文献
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使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现,随着RF功率增大,薄膜应力增大,表面粗糙度减小,薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数,制作了SiOx/nGaN金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)器件,结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10-7A/cm2,SiOx/n-GaN界面态密度为2.4×1010eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN界面态密度低,薄膜绝缘性能良好. 相似文献
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本文阐述了利用紫外可见分光光度法检测CdS薄膜光学性质的基本原理,设计了测试系统,并利用所设计的系统对化学水浴法沉积CdS薄膜的光谱透过率进行测试。通过对不同沉积时间的CdS薄膜的光学性能分析,得出其在一定温度条件下沉积时间薄膜的光学性质有较大的影响。 相似文献
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沉积温度对电子束蒸发沉积ZrO2薄膜性质的影响 总被引:8,自引:6,他引:8
摘要ZrO2薄膜样品在不同的沉积温度下用电子束蒸发的方法沉积而成。利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)检测了ZrO2薄膜的晶体结构和表面形貌,发现室温下沉积ZrO2薄膜样品为非晶结构,随着沉积温度升高.ZrO2薄膜出现明显的结晶现象,在薄膜中同时存在四方相及单斜相。薄膜表现为自由取向生长,晶粒尺寸随沉积温度升高而增大。同时发现薄膜中的残余应力随沉积温度的升高,由张应力状态变为压应力状态,这一变化主要是薄膜结构变化引起的内应力的作用结果。同时讨论了不同沉积温度对ZrO2薄膜光学性质的影响。 相似文献
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低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
SnO2:F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,在较低温度制备出透明SnO2:F导电薄膜。用XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明,在360℃积温度下制备的SnO2:F薄膜,其方块电阻为4.7Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高。 相似文献
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