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ULSI相移光刻技术* 总被引:2,自引:0,他引:2
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。 相似文献
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EUV光刻技术的发展 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子工业专用设备》编辑部 《电子工业专用设备》2008,37(10)
介绍了半导体产业在制造极限的技术路线选择方面,下一代光刻技术—极紫外光刻设备面临的挑战及其开发和技术应用的进展现状,指出了在未来的22nm技术节点极紫外光刻进入量产的可能性。 相似文献
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首先介绍了光刻技术的发展及其面临的挑战。随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础,而纳米光刻技术是纳米结构制作的基础,基于表面等离子体的纳米光刻作为一种新兴技术有望突破45nm节点从而极大提高光刻的分辨力。介绍了表面等离子体的特性,对表面等离子体(SPs)在光刻中的应用作了回顾和分析,指出在现有的利用表面等离子体进行纳米光刻的实验装置中,或采用单层膜的超透镜(Superlens),或采用多层膜的Super-lens,但都面临着如何克服近场光刻这一难题;结合作者现有课题分析了表面等离子体光刻的发展方向,认为结合多层膜的远场纳米光刻方法是表面等离子体光刻的发展方向。 相似文献
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光刻与微纳制造技术的研究现状及展望 总被引:1,自引:0,他引:1
首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。 相似文献
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刘多勤 《电子工业专用设备》1993,22(1):1-8,24
光刻是集成电路及其它半导体器件制造的核心工艺,号称关键性和战略性技术。本文首先对光刻的概念及其相关词语的含义进行了探讨,试图澄清一些模糊的认识,而后简要地回顾了光刻技术发展的历史教训,重点讨论90年代的光刻技术及其最佳选择。 相似文献
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光子嫩肤技术是美容外科领域的最新技术 ,也是目前国际上的热门技术。本文简单概述了其工作原理及国内外进展 ,介绍了相关滤光片的设计及镀制工艺。 相似文献
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局部放电是高电压技术教学中的重要教学内容,局部放电教学仿真分析软件可以帮助学生理解局部放电的产生过程与测量方法,本文利用National Instruments公司的软件平台LabVIEW实现了局部放电产生过程与测量的仿真。运行结果表明,该软件不仅能够较好地演示局部放电的放电原理和放电过程,而且测量及分析方法对提高学生的动手能力与分析能力非常有效。 相似文献
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T5557是兼容e555x的RFID芯片,但又具有与e555x系列芯片不同的新性能。文章着重介绍了T5557的新特点及工作原理,并对其FSK工作模式下读写器的电路设计作了分析,最后给出了D类功放和FSK解调的应用电路。 相似文献
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Flash存储器技术与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
吴东坡 《微电子学与计算机》1998,15(6):55-56
本文主要介绍了Flash存储器的特性及其存储技术,并探讨了Flash存储器的应用领域。 相似文献
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张广山 《信息技术与信息化》2000,(1)
本文简要说明什么是TFT- LCD, TFT- LCD产品的技术特点及其在工业、国防、教育、医疗、交通运输、家电、视像和信息产业中的广泛应用,指出了TFT-LCD技术发展的美好前景。 相似文献
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王双全 《电子工业专用设备》2011,40(2):38-42
在SolidWorks软件中,建立了键合机推料器托架和推料器的三维实体模型,再调用SolidWorks的有限元模块-COSMOSWorks,得到该托架和推料器装配体的有限元模型,并进行频率分析和受力分析.最后依据分析的数据和图解,对托架结构进行了优化,取得了比较好的结果. 相似文献
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