多层陶瓷电容器端电极银浆料匹配问题的研究

针对多层陶瓷电容器一种自主研发的瓷料的银电极匹配问题,运用扫描电子显微镜分析了端电极烧结后的微观结构,并用能谱仪对其进行成分分析,结合实际的生产实践,找出与该瓷料匹配的银浆料。端电极用银浆由有机载体、玻璃料和银粉等组成。经封端、烘干和烧端形成ML-CC的端电极。实验结果表明:用2#银浆作端电极的MLCC具有附着力高、损耗低等特点,完全能满足该系列MLCC生产线的使用要求。     

一种MLCC焊接失效分析

为找出某厂生产的多层陶瓷电容器端电极存在焊接失效的原因,运用体视显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪对问题批次样品的端电极进行分析。从分析结果可知,在多层陶瓷电容器Cu端电极烧结过程中,Cu端表面有玻璃相溢出,这导致端电极部分区域的Ni层和Sn层电镀异常,最终造成电容器的焊接失效。经过对玻璃相溢出原理的分析,提出可以从铜浆料选择、烧结温度和封端工艺方面来解决该问题。     

专利文摘

<正> 本专利提出了装于印刷电路板上的多层陶瓷电容器的结构。其内部金属化电极竖直安排,因此,在上下表面上水平完成预制式外电极。这种结构能使多层陶瓷电容器安装到Al_2O_3基片的厚膜导体上的工序简化。电容器的下表面直接连到印刷导体上,而上表面用短接片连到相应的印刷导体上。此类电容器的特点是可靠、电感低、比电容大     

陶瓷电容器的发展方向

陶瓷电容器仍将在世界电容器市场上居主导地位,而片式电容器将主宰陶瓷电容器和钽电容器市场。小型化、大容量、高电压、高频率、抗干扰和阵列化仍将是陶瓷电容器发展的方向。1005型片式陶瓷电容器已流行,但0603型产品已上市,且0402型产品已在开发。目前,利用薄层和多层化（600-800层）技术以及内电极贱金属技术,     

银钯内电极与多层陶瓷电容器(MLC)的可靠性

银钯合金广泛用作多层陶瓷电容器的内电极。从一个失效分析实例出发，讨论了不同银钯内电极对多层陶瓷电容器可靠性的不同影响。     

Ni电极片式多层陶瓷电容器产生开裂的几种因素分析

在片式多层陶瓷电容器的生产制作过程中,电容器开裂现象是比较常见的质量问题之一。本中对陶瓷介质与内电极浆料的匹配、膜片密度、Ni重、排胶、烧结这五个因素是如何导致电容器开裂进行了深入的分析。     

真空镀膜在片式多层陶瓷电容器上的应用

提供了一种采用真空镀膜方式形成片式多层陶瓷电容器外电极的技术,一方面避开开发生产银、镍、铜等端电极浆料技术难题,同时减少对环境的污染,由于端电极是真空镀膜上去的,无须进行烧结,简化生产工艺,能够有效地降低片式多层陶瓷电容器的制造成本,提高产品竞争力.     

无机添加剂对多层陶瓷电容器钯银内电极浆料的影响

为了满足多层陶瓷电容器陶瓷介质与钯银内电极浆料烧结一致性要求,研究了无机添加剂纳米BaTiO3和纳米ZrO2对钯银内电极浆料的烧结过程产生的影响。结果表明所用添加剂使MLCC烧结过程中钯银内电极浆料的收缩与陶瓷介质的收缩保持一致。     

射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

片状化云母电容器

<正> 云母电容器在电容器总产值中当前仅占2～3％,但在高频、高稳定性、高精度和高可靠性方面,云母电容器目前和未来会继续发挥特有的优势。 为了改善云母电容器的性能,为了实现小型化,独石(又称多层)结构的云母电容器应运而生。这种电容器是在被银云母片表面留出供焊接部分,印刷一层低熔点玻璃层,迭片后在加压力条件下加热,使各层间形成一个致密整体。然后制备引出电极。这     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

Ni电极X8R多层陶瓷电容器的制备及性能

采用具有抗还原性的X8R瓷粉、镍内电极浆料和柔性导电端头浆料为原料,制备了Ni电极X8R多层陶瓷电容器(MLCC),研究了烧结升温速率以及柔性导电端头浆料对所制MLCC性能的影响。结果表明:最佳烧结升温速率为2℃/min,制备的Ni电极X8R-MLCC在-55～+150℃范围内,容量变化率≤±15%,电性能优良,可靠性高,适用于汽车电子等高温应用领域。     

射频高Q值MLCC的设计和工艺

为了提高射频多层陶瓷电容器( MLCC)的Q值,采用NPO瓷粉、钯银内电极浆料和银端电极浆料等为原材料制备MLCC.研究了设计和工艺对所制MLCC的固有寄生参数Rs和Ls的影响.结果表明:特殊的设计能减小内电极电阻和内外电极的接触电阻;合适的内电极厚度保证了烧结后内电极良好的连续性;合理的倒角和烧端工艺保证了内外电极的...     

片式MLC三层端电极中的Sn－Pb合金电镀

片式ＭＬＣ上涂烧Ｔ９４１０银浆。由瓦特型镀镍法得到镍阻挡层。通过加入稳定剂使氯化亚锡、酒石酸──碱式碳酸铅、乙二胺四乙酸钠──柠檬酸体系稳定，再加入醇类和胺类表面活性刘，在ｐＨ值５．０～６．０、温度２７～３５℃、电流密度０．３～０．７Ａ／ｄｍ２条件下得到致密、均匀而白亮的镀层。在１２０６型片式ＭＬＣ上经６５ｍｉｎ电镀，得到厚度约８μｍ的锡铅镀层，具有与锡铅焊料类似的金相结构，可焊性优良，在１０Ｎ的拉力下５ｓ不脱落。     

304不锈钢基片用绝缘介质浆料的研制

选用BaO-Al2O3-SiO2体系微晶玻璃为主要成分,研制出适用于304不锈钢基片的介质浆料。通过丝网印刷、烘干和烧结,能够为304不锈钢基片提供可靠的介质层。介质层厚度达到70 mm以上时,其击穿电压不低于2 100 V,完全满足大功率厚膜电路对基片绝缘性能的要求。     

AlF_3-MgF_2-SiO_2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能研究

制备了AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料,用XRD、SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、显微结构、介电性能以及与Ag电极浆料共烧等性能。结果表明:该材料可以在900℃烧结致密化,烧成后的样品具有低的介电常数(6.2)和介质损耗(<0.002)、较低的热膨胀系数(7.4×10–6/K)、较高的弯曲强度(220 MPa)和热导率[2.4 W/(m.K)],能够与Ag电极浆料共烧,是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷基板和无源集成介质材料。     

A high efficiency GaAs MCM power amplifier for 1.9 GHz digitalcordless telephones

A GaAs MCM power amplifier has been developed for 1.9-GHz digital cordless telephones. Power-added efficiency of 40.2% and P_1dB of 22.2 dBm have been obtained at drain supply voltage of 3.6 V. Adoption of the multilayer MCM structure, i.e., multilayer microwave integrated circuits (MuMIC), and on-chip ferroelectric capacitors successfully reduced the GaAs total chip area to be 1.1 mm². We consider that the MuMIC is the most effective candidate for high frequency circuits     

Evaluation of diffusion patterning as an alternative substratetechnology for automotive applications

In automotive applications, electronic circuits are becoming more sophisticated in terms of functionality, power, and density. Specifically, the engine control unit (ECU) is being moved to direct engine mounting, minimizing interconnection length, reducing interference, and simplifying assembly and testing. This type of mounting will reduce the overall manufacturing cost. Therefore, the electronics have to survive higher working temperatures, vibration, and wider temperature excursions during on/off and temperature cycles. These requirements have been the driving force for robust multilayer substrates. Diffusion patterning (DP), a multilayer dielectric technology developed by DuPont Electronics, is evaluated for next generation ECUs. This high density thick film technology achieves via formation through a complex chemical reaction utilizing an imaging paste. Moreover, the DP technology may incorporate buried resistors and capacitors. Using the DP technology, engine controllers with both four-layer and six-layer structures have been built. The six-layer substrate contains several buried resistors and capacitors. This paper discusses the critical parameters in fabrication of these substrates. The processibility and capacitance variations with different process parameters and firing conditions are also presented. Another aspect of DP technology is that it is compatible with surface mount and flip chip technology. Long term reliability testing of flip chips on DP substrates has been performed. After 4000 cycles, reliability data were excellent; no failures were identified. Reliability test results will be reviewed     

高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究

对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。