色谱分析高纯PH3和B2H6中烃杂质的方法

本文叙述了高纯PH3和B2H6中烃杂质色谱分析的方法。分别使用A柱和B柱，对检定器有剧毒的主组份PH3和B2H6进行了切割或吸附的分离处理，烃杂质用氢焰检测器检出。可分别测出CH4，C2H4、C2H2、C3H6、C3H8等杂质，最低检测浓度为0．4ppm。给出了色谱图，提高了相应的分析流程。     

高纯PH3和B2H6中微量H2、O2、N2的分析

前言 半导体工艺过程及大规模集成电路生产中所使用的高纯PH3和B2H6，由于其中含有O2、N2等杂质成份，直接影响了电子产品的质量，所以，必须严格地加以检测和控制。目前，一些发达国家对特气产品中杂质的监控十分重视，且都相应地研制出专门仪器进行检测。如法国TBT公司所研制的TBT色谱仪，对磷烷、硅烷、砷烷及乙硼烷中永久性气体杂质和总烃杂质都能进行检测。     

专利技术

一种增大CH4和N2分离因子的分子筛改性方法本发明公开了一种增大CH4和N2分离因子的分子筛改性方法,属于分子筛技术领域。方法是：将Naβ型分子筛浸渍于一定浓度的H2SO4、H3BO3和NH4NO3的水溶液中,经过滤、干燥、灼烧,     

SiCl4-H2为气源低温制备多晶硅薄膜

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90 %以上。薄膜中不含Cl、H、C、N、O等杂质 ,暗电导率高达 10 -4Ω-1·cm-1,光照稳定性好。对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。     

相变材料CH3COONa·3H2O的研究进展

本文介绍了CH3COONa·3H2O用作相变材料的储能特性，综述了针对CH3COONa·3H2O过冷和相分离现象的解决方法以及CH3COONa·3H2O某些共晶盐的研究，同时简要概括了各因素对CH3COONa·3H2O结晶速度的影响，指出CH3COONa·3H2O未来的发展方向。     

SnO2纳米晶修饰多孔Co3O4纳米棒的制备及气敏性能研究

以CoCl2.6H2O和CO(NH2)2为原料采用水热法合成多孔Co3O4纳米棒,之后通过自组装的方法将SnO2纳米晶修饰到多孔Co3O4纳米棒上。研究了SnO2纳米晶修饰对多孔Co3O4纳米棒气敏性能的影响。气敏测试结果表明SnO2纳米晶的修饰明显增强了多孔Co3O4纳米棒对CH3CH2OH和H2S的响应,对CH3CH2OH和H2S的检出下限分别达到5.0×10-6和1.0×10-6。     

高纯硅烷中痕量CO、CO2、H2O转化色谱分析

本文叙述高纯SiH4中痕量杂质的转化色谱分析条件，装置及流程。通过弱极性有机担体柱有效地将硅烷中ppm级杂质与主组份分离，分离后的主组份经氢气氛下高温还原和电石转化生成烃类，送FID高灵敏检测，当进样量为1毫升，记录仪为1毫伏（250毫米）时，本试验所得灵敏度；CO，0.15vpm/mm；CH4，0.08vpm/mm(j样品直接送FID检测灵敏度)；CO2，0.5vpm/mm3H2O，0.3vpm/mm。同时确定了较满意的分析操作参数，提出了相应的分析流程。     

高纯磷烷的研制

用亚磷酸热分解法制备的磷烷，经分级冷冻、真空蒸馏后，除去H2、N2、O2、CH4及大部分H2O等杂质，然后进一步用A型分子筛及高效干燥剂吸附干燥，障去微量水及碳氢化合物，从而获得电子级高纯磷烷。     

H2C2O4稳定剂对SOl-Gel法制备LiNbO3薄膜的影响

研究了分别以H2C2O，HNO3，HCOOH和CH3COOH作稳定剂的LiNbO3薄膜先驱液的稳定性，发现H2C2O4作稳定剂的先驱液的稳定性最好，用sol-gel法在Si(110)基板上制备了以H2C2O4作稳定剂的LiNbO3薄膜，并对LiNbO3薄膜进行了IR，XRD和SEM表征，结果表明，生成的LiNbO3为多晶，与HNO3相比，以H2C2O4作稳定剂制备的LiNbO3薄膜形貌较差。     

四氧化三钴的制备及在过氧化氢电化学传感器中的应用

以六水氯化钴、聚乙烯亚胺和辛胺为主要原料,通过水热法得到片状氢氧化钴（Co(OH)2）前驱体,并进一步煅烧得到片状Co3O4电催化活性材料。采用滴涂法制备Co3O4/GCE修饰电极,通过循环伏安法和计时安培法对过氧化氢（H2O2）进行电化学检测分析,研究煅烧温度对所得到的Co3O4形貌以及H2O2检测性能的影响。结果表明：经200 ℃煅烧得到的Co3O4晶体为稳定的六方形片状结构,修饰电极200-Co3O4/GCE对H2O2检测表现出最高的响应电流值,该电极电流响应值与H2O2浓度在0.01~0.20 mmol/L范围内具有良好线性关系,检测限为6.53 μmol/L(S/N=3),灵敏度为875.66 μA/(mmol·L-1·cm2);同时修饰电极Co3O4/GCE在对H2O2检测中表现出较好抗干扰能力。     

保定市北方特种气体有限公司4．5N高纯乙硼烷全杂质分析方法研发成功

2010年9月，保定市北方特种气体有限公司经过一年的实验，成功研发高纯乙硼烷中的O2，N2，CH4，C2H6，CO，CO2，CH3Cl的分析方法，     

Co3O4纳米线的模板合成及其电化学性能

以三甲基氯硅烷(TMCS)和氨丙基三乙氧基硅烷(APTS)进行外内表面修饰的SBA-15为模板,Co(NO3)2·6H2O为原料,成功地合成了Co3O4纳米线.采用透射电子显微镜(TEM)、N2吸附-脱附、X-射线衍射(XRD)等多种手段对修饰后的SBA-15和Co3O4纳米线进行表征.结果证明:内外表面修饰后的SBA...     

叶腊石及其粉末基本性质和工艺性能

叶腊石为晶体结构，属层状硅酸盐矿物，其晶体结构是每一结构单位层由上下二层（Si—O）四面体层中间夹一层（Al—O，OH）八面体层组成。结构式为Al2[Si4O10]（OH）2，实验式为Al2O3·4H2O，理论化学成分为Al2O3 28．3％，SiO2 66．7％，H2O 5．0％，自然界很少见到纯叶腊石，往往有各种杂质伴生。[第一段]     

锂离子电池正极材料Li3V2-2x/3Mnx（PO4）3的溶胶凝胶法合成和电化学性能

以CH3COOLi·2H2O、V2O5、Mn(CH3COO)2·4H2O、(NH4)2HPO4和蔗糖为原料,采用溶胶–凝胶法合成了掺锰磷酸钒锂/碳(Li3V2-2x/3Mnx(PO4)3/C)复合正极材料,用XRD、XPS、SEM、电化学性能对样品进行了表征.测试结果表明,少量锰的掺杂并未改变Li3V2(PO4)3/C的单斜结构,Li3V1.94Mn0.09(PO4)3中的Mn和V分别以+2和+3价存在,其颗粒类似球形,直径比较均匀且小于200 nm,并表现出良好的电化学性能.在0.1C倍率和3.0～4.8 V电压内,该样品的首次充、放电容量分别为182.1和168.8 mAh/g,放电效率高达92.69%,而且100次循环后,其放电比容量仍是首次放电容量的77.4%.     

四阀四柱分析流程在检测含氟特种气体中杂质的应用与探索

近些年来含氟特种气体市场需求不断的加大,高纯含氟气体生产工艺数据的分析与产品质量的检测对氦离子气相色谱仪提出了更高的要求,本公司就CF4中NF3杂质及SF6中O2、N2、CF4、CH4、C2F6、SO2F2、C3F8等杂质检测在GC-126PDD四阀四柱分析流程上得到很好的解决。     

氢的纯化方法（Union Carbide法）

用途 可以纯化90～99．999％纯度的氢，除去各种杂质(N1、CO、CH4、CO2、水、空气，C2～C8^ 、甲醇、氨，硫化氢及其它有机硫化物)。而且，也适用于从乙烷中分离甲烷等其它分离过程。     

Cu3(BTC)2对PDMS/PEI复合膜气体分离的改性研究

将金属骨架化合物(MOFs) ——Cu3(BTC)2填充到聚二甲基硅氧烷中,制备聚二甲基硅氧烷/聚醚酰亚胺(PDMS/PEI)非对称平板复合膜,进行了4种气体O2、N2、CO2及CH4的渗透过程研究,考察了Cu3 (BTC)2填充量及操作条件对膜分离性能的影响.结果表明,随Cu3 (BTC)2填充量的增加,4种气体的渗透通量及O2/N2、CO2/N2和CO2/CH4的分离系数较未改性的复合膜均有所提高,其中填充量为25％的改性复合膜获得了较优的效果;随操作压力的升高,气体的渗透通量增大而分离系数略有上升;随操作温度的升高,气体的渗透通量增大,CO2/N2和O2/N2的分离系数有所下降,而CO2/CH4的分离系数略有增加.     

室温条件下-(CH2)3NH2修饰的介孔分子筛MCM-41的合成与表征

在室温条件下,以3-氨丙基三乙氧基硅烷为前驱体,使有机官能团-CH2CH2CH2NH2修饰了硅铝介孔分子筛MCM-41(Si/Al=35),制备了无机-有机复合材料MCM-(CH2)3NH2.并通过XRD,DTA-TGA,FTIR,N2吸附-脱附对复合材料MCM-(CH2)3NH2进行了表征.     

半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究

在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。     

相变储热材料CH3COONa·3H2O的研究及发展趋势

简单介绍了无机水合盐CH3COONa·3H2O用作相变储热材料时的优缺点,针对其存在过冷和相分层问题,目前研究所得的解决方法是添加增稠剂和成核剂.综述了分别添加增稠剂、成核剂及同时添加时对CH3COONa·3H2O相分层和过冷抑制的研究进展,分析了不同的添加剂和添加量对抑制作用的不同以及温度影响添加剂抑制作用的原因,最后指出了CH3COONa·3H2O今后主要的研究方向.