具有过量PbO的Ph（Zn_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbTiO_3系

合成了添加过量ＰｂＯ后的Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ）系陶瓷，并研究了其相结构及介电性能、在（１—ｘ）ＰＺＮ—ｘＰＴ（０．１＜Ｘ＜０．２）系陶瓷体中，添加过量ＰｂＯ提高了钙钛矿结构的稳定性，但过多地添加ＰｂＯ不利于提高其介电性能，当ＰＴ的摩尔浓度为１４—１９ｍｏｌ％时，这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关，而其介电常数的温度特性仍随频率变化而弥散     

具有过量PbO的Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—PbTiO3系陶瓷的相结构和介电性能

合成了添加过量ＰｂＯ后的Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ）系陶瓷，并研究了其相结构及介电性能，在（１－ｘ）ＰＺＮ－ｘＰＴ（０．１＜ｘ＜０．２）系陶恣体中，添加过量ＰｂＯ提高了钙钛矿结构的稳定性，但过多地添加ＰｂＯ不利于提高其介电性能。当ＰＴ的摩尔浓度为１４－１９ｍｏｌ％时，这些组分最大介电常数和温度的关系与频率无关，而其介电常数的温度特性及仍随频率变化而弥散。     

Pb（Zn1／3Nb2／3）O3基复相陶瓷的制备及其介电温度特性

采用两相混合烧结法制备Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ陶瓷。结果表明：在一定烧结温度下起始两组元可以共存形成复相结构，从而改善材料了的温度特性，成功地获得了低烧，高介，具有Ｘ７Ｓ温度特性的温度稳定型ＰＺＮ复相陶瓷。／     

Pb（Ni_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三

对Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，即ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３（０．２≤ｘ≤０．６，０．２≤δ≤０．５）三元系固溶体的压电性能进行了研究，结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界（ＭＰＢ）附近，压电常数ｄ３１值可达２６０×１０－１２Ｃ／Ｎ．讨论了结构相变对压电性能的影响．     

PbMn1／2Nb1／2O3粉体的制备及表征

建立了用固相反应法制备了ＰＺＴ热释电陶瓷添加剂铌锰酸铅ＰｂＭｎ１／２Ｎｂ１／２Ｏ３的方法，制备出了化学和相组成稳定，纯度高的ＰｂＭｎ１／２Ｎｂ１／２Ｏ３结晶粉末，简便，工艺成熟。对反应条件进行了优化，并对ＰｂＭｎ１／２Ｎｂ１／２Ｏ３的元素价态，晶形结构等进行了表征。     

低温烧结Nb2O5-Bi2O3-ZnO系高频介质陶瓷

本文研究液相添加剂（ Ｃｕ Ｏ、 Ｖ２ Ｏ５ 、 Ｌｉ Ｆ、 Ｐｂ Ｏ、 Ｈ３ Ｂ Ｏ３ 、 Ｂｉ２ Ｏ３） 对 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结和介电特性的影响基于实验结果, 研制的 Ｎｂ２ Ｏ５ Ｂｉ２ Ｏ３ Ｚｎ Ｏ 系陶瓷的烧结温度９００‘ Ｃ, 介电性能为： εｒ ＝ １５０ ～１７０ , ｔａｎ δ＝ ０００２ ～０００８ （１００ Ｍ Ｈｚ） , 电容温度系数（ Δ Ｃ Ｃ） ±５ ％（１ Ｍ Ｈｚ）     

复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能

采用两相混合烧结法在Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３－ＰｂＴｉＯ３系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料，相组成研究表明，该陶瓷具有两相共存的复相结构，对复相陶瓷的介电性能进行了研究，结果表明，复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性、频率特性和介质老化性能。     

PbTiO3—Pb（Cd1／3Nd2／3）O3系高温高频压电陶瓷材料的研制

对（１－ｘ）ＰｂＴｉＯ２＋ｘＰｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３系压电陶瓷进行了研究实验结果指出 ，当ｘ＝０．１４时掺入适量的改性加物ＮｉＯ２，ＭｎＯ２，ＷＯ３，经过适当的工艺过程，可得到压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料，其中，材料的居里温度ＴＣ〉４００℃，机械品质因数Ｑｍ〉２０００，机电耦合系数Ｋｔ可达０．４５，介电常数ε小于２１０，是一种很有前途和高温同频压电陶瓷材料。     

颗粒包覆法制备X7R特性PZN基复相陶瓷

采用溶胶－凝胶颗粒包覆技术在Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基固溶体颗粒表面形成一层低熔硼硅包覆物,以包覆后的两种固溶体为高低温组元制备复相陶瓷。结果表明,颗粒包覆物可显著降低复相陶瓷的烧结温度,并有效抑制两相固溶反应。     

Pb（Mg1／2W1／2）O3—PbTiO3—PbZrO3l陶瓷的化学不均匀性和介电行为的…

研究了Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３－ＰｂＴｉＯ３－ＰｂＺｒＯ３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ｉ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．２７０Ｗ０．３６７Ｚｒ０．１８２）Ｏ３．０９１；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ０．１０９Ｗ０．１８７Ｔｉ０．２０４Ｚｒ０．３４０）Ｏ２．７５８。两种居里点分别为：ＴＣＩ〈－６５℃，ＴＣＩ＝１０５℃，图像处理     

复合钙钛矿Pb（Fe1／2Nb1／2）O3的弛豫特性

制备了纯钙钛矿相Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）陶瓷，研究其介电性能表明，ＰＦＮ陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变（ＤＰＴ）现象，未退火试样εｍａｘ对应的温度Ｔｍ不随测量频率变化，退火试样的Ｔｍ随频率变化，即表现出Ｔｍ频率色散现象，结合ＸＲＤ分析，指出ＰＦＮ应属弛豫铁电体。     

氧化铅含量对富铅气氛烧结的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3基陶瓷介电性能的影响

从不同含量的ＰｂＯ初始粉体出发并在烧结时维持铅气氛的情况下,用二次合成法制备了０．７５Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．１５ＢａＴｉＯ３－０．１０ＰｂＴｉＯ３三元系固溶体陶瓷,研究了初始粉体中不同的氧化铅含量对在铅气氛条件下烧结的该体系陶次的介电性能的影响。实验表明在富铅气氛的作用征,微量氧化铅欠缺的初始粉体所制备出的陶瓷具有较好的介电性能,尤其是当初始粉体中氧化铅欠缺５％时的陶瓷具有最大的峰值介电常数。     

用于深油井超声探测换能器的PT—PSN系压电陶瓷

如果在ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）粉末中添加适量的Ｐｂ（Ｓｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＳＮ）粉末，可以制成高温ＰＴ－ＰＳＮ系陶瓷，并可以此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器，本文主要报导ＰＴ－ＰＳＮ系压电陶瓷的制备工艺，性能参数和试验结果。     

PZN—BT系统的相变温度与纳米结构

由两个铁电体所组成的固溶体的平均相变温度通常都处于这两个铁电体的相变温度之间．然而，Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＢＴ）的平均相变温度却呈现出明显不同的变化规律．随着ＢＴ含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ的平均相变温度迅速下降．本文从化学组成复杂的系统中存在着纳米分相的假设出发，提出在ＰＺＮ－ＢＴ系统中存在着以Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３为主的顺电微区．采用热力学的方法，解释了ＰＺＮ－ＢＴ系统的相变温度的反常下降．     

用于深油井超声探测换能器的PT－PSN系压电陶瓷

如果在ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）粉末中添加适量的Ｐｂ（Ｓｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＳＮ）粉末，可以制成高温ＰＴ－ＰＳＮ系陶瓷，并可以把此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器。本文主要报导ＰＴ－ＰＳＮ系压电陶瓷的制备工艺、性能参数和试验结果。     

铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷介电与压电性能的研究

用二步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３原料,并制成了纯钙钛矿结构压电陶瓷。研究三方－四主相界附近组份及工艺与性能的关系。材料以１２００℃附近保温１５０ｍｉｎ为佳。材料性能表明,有希望成为新型压电陶瓷。     

Pb（Mg_（1／2）W_（1／2））O_3－PbTiO_3－PbZrO_3陶

研究了Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／２）Ｗ＿（１／２））Ｏ＿３－ＰｂＴｉＯ＿３－ＰｂＺｒＯ＿３陶瓷的化学不均匀性和介电行为。ＥＤＳ分析得到：体系中存在富Ｗ和富Ｚｒ、Ｔｉ的两相，平均分子式为：Ⅰ相（富Ｗ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．２７０）Ｗ＿（０．３６７）Ｔｉ＿（０．１７８）Ｚｒ＿（０．１８２））Ｏ＿（３．０９１）；Ⅱ相（富Ｚｒ、Ｔｉ相）：Ｐｂ（Ｍｇ＿（０．１０９）Ｗ＿（０．１８７）Ｔｉ＿（０．２０４）Ｚｒ＿（０．３４０）Ｏ＿（２．７５８）。两相居里点分别为：Ｔ＿（ｃＩ）＜－６５℃，Ｔ＿（ｃＩ）＝１０５℃，图像处理得到两相的面积比为：Ｓ＿Ⅰ＝６８．６４％，Ｓ＿Ⅱ＝３１．３６％。按３－３模型复合，得到两相体积比为：７６％、２４％。复合相的介电性能符合Ｘ７Ｒ要求，｜ＴＣＣ｜≤１２％，且介－温曲线与原材料有相同的规律。     

铌锌酸铅基陶瓷的铁电行为研究

采用具有改进ＳａｗｙｅｒＴｏｗｅｒ电路的全自动铁电体电滞回线测试系统，对（０．９ｘ）Ｐｂ（Ｚｎ１／２Ｎｂ２／３Ｏ３０．１ＢａＴｉＯ３ｘＰｂＴｉＯ３［（ｘ＝０．０５，０．１０，０．１５，简称ＰＺＮＢＴＰＴ（０．１／ｘ）］系列铁电陶瓷样品在０℃～１９０℃温度范围内强场下的极化强度进行了详细测试，并与其弱场介电行为对比，探讨了铁电宏畴微畴不同的强场极化特性，发现ＰＺＮＢＴＰＴ（１０／１５）铁电陶瓷样品的极化强度在自发正常铁电体弛豫型铁电体转变温度Ｔｎｒ下有一个增大过程。     

B位掺杂对（Pb,Ca）（Fe1／2Nb1／2）O3陶瓷微波介电性能的影响

研究了Ｂ位分别掺杂Ｓｎ＾４＋、Ｚｒ＾４＋、Ｃｅ＾４＋对（Ｐｂ０．４５Ｃａ０．２５）（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＣＦＮ）陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结果表明,掺杂样品能在相对较低的温度下烧结（１２００℃／２ｈ）,Ｂ位大半径离子的掺入使介电常数降低,适量的Ｂ位掺杂能不同程度的改进ＰＣＦＮ陶瓷的综合微波介电性能。用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为９２８．４ＭＨｚ下,插入损耗为２．４６９ｄＢ,满足插入损耗应小于３ｄＢ的要求,在移动通信中有着实际应用前景。     

铌镁酸铅系低烧高介X7R瓷料的研究

报道了利用混合烧结法制得铌镁酸铅Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３系低烧高介Ｘ７Ｒ瓷料，其烧结温度为１１００－１１５０℃。２５℃时介电常数达４３００，介电损耗为０．９８％，绝缘电阻率为３．２×１０＾１２Ω．ｃｍ，十倍时间老化率为１．７％＋十倍。