B_3N_3H_6微波等离子体增强化学气相沉积B－N薄膜

采用Ｂ３Ｎ３Ｈ６－Ｎ２混合气体为原料，余辉微波等离子体增强化学气相沉积ＢＮ薄膜．漫反射富氏变换红外光谱分析表明，在５５０℃沉积温度下，ＩＣｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ基片上获得了低含氢量的ｃ－ＢＮ和少量ｈ－ＢＮ相的混合薄膜．薄膜Ｋｎｏｏｐ硬度值为２０．８ＧＰａ．划痕试验法测定薄膜的附着性，临界载荷为８．１Ｎ．     

采用不同载气混合B3N3H6原料制备B—N薄膜

采用Ｎ２，Ｈ２和Ａｒ三种载气混合的Ｂ３Ｎ３Ｈ６原料，余辉微波等离子体增强化学气相沉积ＢＮ薄膜。通过漫反射富氏变换红外光谱，Ｋｎｏｏｐ硬度和附着性划痕试验分析薄膜的结构，成分和性能。结果表明，Ｎ２和Ｈ２混合的Ｂ３Ｎ３Ｈ６原料制备的薄膜具有ｃ－ＢＮ和ｈ－ＢＮ双相组织，Ａｒ混合的Ｂ３Ｎ３Ｈ６原料具有ｈ－ＢＮ单相组织。     

采用不同载气混合B_3N_3H_6原料制备B－N薄膜

采用Ｎ２、Ｈ２和Ａｒ三种载气混合的Ｂ３Ｎ３Ｈ６原料，余辉微波等离子体增强化学气相沉积ＢＮ薄膜．通过漫反射富氏变换红外光谱，Ｋｎｏｏｐ硬度和附着性划痕试验分析薄膜的结构，成分和性能．结果表明，Ｎ２和Ｈ２混合的Ｂ３Ｎ３Ｈ６原料制备的薄膜具有ｃ～ＢＮ和ｈ－ＢＮ双相组织，Ａｒ混合的Ｂ３Ｎ３Ｈ６原料具有ｈ－ＢＮ单相组织．载气直接参与Ｂ３Ｎ３Ｈ６气相合成ＢＮ的反应过程，决定薄膜的结构特征，影响薄膜的性能．     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

离子束增强沉积Si3N4／Si多层红外干涉滤波薄膜

利用离子束增强沉积工艺，在硅基片上制备Ｓｉ３Ｎ４／Ｓｉ多层红外干涉滤波薄膜。结构表明，Ｎ＾＋２＋Ｎ＋的辅助轰击对于合成接近化学配比的Ｓｉ３Ｎ４薄膜起了关键作用。薄膜的折射率可达１．７４－１．８４。实验测得的多层滤波薄膜的红外反射谱与值相当接近。     

C3N4膜的制备,结构和性能

采用微波等离子体化学气相沉积法，用高纯氮气（９９．９９９％）和甲烷（９９．９％）作反应气体，在多晶铂（Ｐｔ）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。利用扫描电子显微镜和扫描隧道显微镜观察薄膜形貌表明，薄膜由针状晶体组成。Ｘ射线能谱分析了这种晶态Ｃ－Ｎ膜的化学成分，对不同样品不同区域的分析结果表明，Ｎ／Ｃ比接近于４：３。Ｘ射线衍射结构分析说明，该厝主要由α－Ｃ３Ｎ４和β－Ｃ３Ｎ４和β－Ｃ３Ｎ４组成。ａｎｏ Ｉｎｄｅ     

超硬薄膜β-C3N4的制备和表征

本文采用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法,用高纯敢（９９．９９９％）和甲烷（９９．９％）作反应气体,在单晶硅多晶铂基片上沉积β－Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析了这种晶态Ｃ＝Ｎ膜的化学成分,对不同样品的分析结果表明,Ｎ／Ｃ原子比在１．１－２．０范围内,Ｘ射线衍射结构分析结果与计算的α－和β－Ｃ３Ｎ４单相Ｘ射线的峰位和强度相比较,说明它共价键的存在。薄膜的体弹性模量达到３４９ＧＰＡ。     

在不锈钢上电沉积烧结Cr_2O_3－Y_2O_3薄膜及其改性后的抗高温氧化性能

分别在Ｃｒ（ＮＯ３）３、Ｙ（ＮＯ３）３及二者混合溶液中以１Ｃｒ１８ＮｉｇＴｉ不锈钢为阴极，电沉积Ｃｒ（ＯＨ）３、Ｙ（ＯＨ）３及Ｃｒ（ＯＨ）３－Ｙ（ＯＨ）３复合薄膜，然后经烧结生成Ｃｒ２Ｏ２－Ｙ２Ｏ３及其复合薄膜层。通过研究末沉积试样与具有不同［Ｃｒ３＋］和［Ｙ３＋］配比的薄膜试样在高温下静态氧化行为及表面氧化膜形貌、组成等，来探讨１Ｃｒｌ８Ｎｉ９Ｔｉ表面经Ｙ、Ｃｒ的氧化物改性后的抗高温氧化性能。     

电沉积Ni—P,Ni—P—Si3N4非晶态合金及其结构,性能研究

研究了Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｐ－Ｓｉ３Ｎ４非晶态合金薄膜的是沉积工艺，通过ＳＥＭ－ＥＤＳ，ＸＲＤ，ＥＭＰＡ等微观分析方法，提出了获取８￣１４ｗｔ％Ｎｉ－Ｐ和Ｎｉ－Ｐ－Ｓｉ３Ｎ非晶合金镀层的镀液组成和电沉积参数。实验表明，Ｎｉ－Ｐ非晶态合金镀层在碱液中具有优越的耐蚀性能，在含Ｃｌ＾－１的中性盐液中有良好的耐蚀性，且不产生点蚀；Ｎｉ－Ｐ－Ｓｉ３Ｎ４非晶合金镀层，经晶化处理后，耐蚀性能提高，且与基材呈冶金结合     

IBAD薄膜与基体界面的显微结构

采用中能离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术，在单晶Ａｌ２Ｏ３（０００１）基片上沉积Ｍｏ膜，在ＧＡＡｓ（００１）基片上合成Ｆｅ１６Ｎ２薄膜，用ＨＲＥＭ等研究了Ｍｏｅａｊｄ－Ａｌ２Ｏ３（０００１），Ｆｅ１６ｎ２膜－ＧａＡｓ（００１）界面的显微结构，结果表明：Ｍｏ膜的晶粒呈细小柱状或纤维状，晶粒平均尺寸约８ｎｍ，Ｆｅ１６Ｎ２薄膜为等轴晶，晶粒平均尺寸约为１０ｎｍ，在Ｍｏ膜－Ａｌ２Ｏ３（０００１）界面及Ｆｅ１     

涂层与薄膜

２０００１２０１ 原位退火时磁控溅射Ｎｄ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的影响——Ｍｏｒｉ Ｚ．Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ,１９９９,３５４（１～２）：１９５（英文） ＮｄＢａ２Ｃｕ３３Ｏ７－δ（ＮＢＣＯ）薄膜经原位退火后,薄膜质量得到改善。用单靶直流磁控溅射方法在 ＭｇＯ（１００）上制备 ＮＢＣＯ薄膜,沉积后将薄膜冷却至室温,然后在４００ＰａＯ２气氛中,将沉积室温升高至３５０－６００℃,保温０．５～８０．０ ｈ。经此处理后,薄膜的超导性能以及电阻率、粗糙度明显改善。原位退火后可提高薄膜Ｃ轴向零电阻温度…     

非晶态Ti—B—N薄膜的制备及晶化研究

采用双靶轮流溅射技术，以Ｔｉ和六方氮化硼反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，并采用ＸＲＤ，ＴＥＭ和显微硬度计研究薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，镀态Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜为非晶体Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）化合物，其硬度达到ＨＫ２４７０；薄膜经过热处理晶化形成ＴｉＮ结构类型的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）晶体，硬度略有降低。     

Si3N4薄膜的DC—PCVD沉积工艺及结构

用不附加另外电源的ＤＣ－ＰＣＶＤ装置沉积Ｓｉ３Ｎ４薄膜，，ＸＲＤ ＴＥＭ检查出这种Ｓｉ３Ｎ４是非晶态、ＩＲ，ＡＥＳ验证这种薄膜的主要成分是Ｓｉ３Ｎ４、ＴＥＭ与ＯＭ研究 薄膜组织结构。     

在不锈钢上电沉积烧结Cr2O3—Y2O3薄膜及其改性后的抗高温氧化性能

分别在Ｃｒ（ＮＯ３）３、Ｙ（ＮＯ３）３及二者混合溶液中以１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔ９不锈钢为阴极，电沉积Ｃｒ（ＯＨ）３、Ｙ（ＯＨ）３及Ｃｒ（ＯＨ）３－Ｙ（ＯＨ）３复合薄膜，然后经烧生成Ｃｒ３Ｏ４－Ｙ２Ｏ３及其复合薄膜层。通过研究未沉积试样与具有不同配比的薄膜试样在高温下静态氧化行为及表面氧化膜形貌、组成等。来探讨１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ表面经Ｙ、Ｃｒ的氧化物改性后的抗高温氧化性能。     

MPCVD法在Si衬底上生成β—C3N4晶态薄膜的研究

以Ｎ２,ＣＨ４作为反应气体,采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）进行碳氮膜的合成研究。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压,在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基底上气相合成β－Ｃ３Ｎ４晶态薄膜。扫描电子显微镜（ＳＥＲＭ）下观察到生长在Ｓｉ基底上的薄膜具有六角晶棒的密结构。ＥＤＸ分析胡沉积条件的不同,六角晶棒中Ｎ／Ｃ在１．０～２．０之间。Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）发现薄膜中含有β－Ｃ３     

PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性研究

用 Ｂ２Ｈ６和 ＳｉＨ４作反应气体,通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法,在 Ｓｉ（１００）面上沉积生长ＢＮ薄膜,用Ｓ－５２０扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测,并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温、压力为 ８ × １０－４ Ｐａ条件下,对 ＢＮ薄膜的电流一电压特性进行测量,并得到了 Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ特性曲线,ＢＮ膜的场发射开启电场为９ Ｖ／μｍ,在电场３７．５ Ｖ／μｍ时,电流密度达到２４．８ ｍＡ／ｃｍ２。     

ECR—PECVD制备Si3N4硬质陶瓷薄膜的研究

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ）技术制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜。利用显微硬度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面微硬度。由摩擦测试机对ＳｉＮ４薄膜的摩擦性能进行了测试分析。结果表明，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的摩擦系数和单位时间的磨损量较小，该膜具有良好的耐磨性和耐划伤能力。     

Ba1—xSrxTiO3薄膜的制备及特性研究

用溶胶－凝胶方法制备Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）薄膜材料，研究薄的结构和电性能。用ＸＤＲ及ＳＥＭ分析了沉积在硅片上的ＢＳＴ薄膜的结构，测试了在室温下ＢＳＴ薄膜的电滞回线及介电特性。     

C2H2／N2流量比对沉积Ti（C,N）薄膜影响的研究

以Ｃ２Ｈ２和Ｎ２为反应气体，Ａｒ作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）薄膜。所制轩的薄膜分别用ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＸＰＳ等技术进行分析与测试。结果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在１．５－２．０μｍ。     

Pb（Ni_（1／3）Nb_（2／3））O_3－PbZrO_3－PbTiO_3三

对Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，即ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３（０．２≤ｘ≤０．６，０．２≤δ≤０．５）三元系固溶体的压电性能进行了研究，结果表明材料压电活性较高的配方位于准同型相界（ＭＰＢ）附近，压电常数ｄ３１值可达２６０×１０－１２Ｃ／Ｎ．讨论了结构相变对压电性能的影响．