镀金溶液中的添加剂

自1847年发现氰化物镀银液添加二硫化碳可提高银层光亮度以来,人们十分重视各种添加剂的特殊作用。向镀金液添加Te、Ag、Ni、Pb、Sn、Cu、Co、Ni、Fe、Mo、Cd、Zn、In、Pd、Sb、Re、Rh、Cr、Bi、As等元素,是各国电镀工作者长期研究的结果。与此同时,人们还进一步研究了这些元素对镀液的作用机制,以便选择最佳添加量,拓宽其用途,优化工艺条件。本文试图对与此有关的问题进行考察,希望得到同行们指正。     

滚镀金技术

本文研究了手表柄头滚镀金加工技术,另件经除油、浸酸后,先滚镀光亮镍,再滚镀金钴合金,采用柠檬酸盐镀液,温度为30～50℃,Dk0.5～1.5A/dm~2。本文对温度、pH值及电流密度对镀层厚度、硬度、光洁度及色泽的影响均作了研究。最后所得的制品,其硬度为Hv 160、厚度5μm、表面光洁度▽ 9级以上,满足了生产上的技术要求。     

05年电子产业10大热点回顾暨06年预测

2005年全球半导体市场表现平淡，增长率只有个位数，但未来5～10年半导体产业可能发现的变局在2005年已经尽显端倪，包括曾经金光灿烂的欧洲和日本老牌半导体厂商开始褪色、中国半导体产业镀金时代来临等。2005年全球电子产业都有哪些大事发生，对2006年甚至更远的将来带来什么影响？     

激光强化电镀金工艺

介绍了激光镀金和激光喷镀金所有物激光设备，用此设备研究了激光在电镀过程中的作用。实验结果表明，激光照射可以加速电沉积速度，改善镀层质量，提高镀层结合力。利用激光喷镀实现无蔽电镀也是可行的。     

同步辐射X射线光刻掩模镀金工艺的研究

介绍了利用北京正负对撞机(BEPC)同步辐射X射线光刻装置,进行LIGA工艺技术深结构光刻实验研究,详细论述了X射线光刻使用的掩模制备过程及掩模镀金工艺,在国内最早曝光出直径为400μm、厚为27～45μm的三维立体齿轮胶图形。     

高手教你解决内存报警故障

内存是电脑中最容易出现故障的配件产品之一,如果在按下机箱电源后机箱喇叭反复报警或是电脑不能通过自检,大部分情况下故障源于内存。而在形形色色的内存故障中,基本上都是以内存烧毁为主,这时我们往往会将烧毁后的内存丢在一边而直接更换内存条。内存报警的故障较为常见,主要是内存接触不良引起的。例如内存条不规范,内存条有点薄,当内存插入内存插槽时,留有一定的缝隙;内存条的金手指工艺差,金手指的表面镀金不良,时间一长,金     

高速局部镀金工艺研究

试验表明，对高速局部镀金工艺的电流密度范围、沉积速率及镀层质量有较大影响的因素，除了镀液温度及金盐浓度外，还有电源的整流波形、磁性泵喷液流速、添加剂浓度和ｐＨ值等。此外，还建议加强镀液的日常维护，防止杂质进入而产生不良后果。     

无氰化学镀金技术的发展及展望

综述了化学镀金的研究进展.详细阐述以亚硫酸钠及硫代硫酸钠为配位剂的无氰化学镀金的研究及发展现状.同时介绍了用于印刷线路板(PCB)的置换镀金工艺现状及前景,以期对无氰化学镀金的研究现状及未来发展有更好的了解.     

硫代硫酸盐化学镀金

通常采用化学镀技术制备厚的金镀层,其镀液中必须含有主盐和还原剂,此外还添加一些如络合剂、pH调节剂和稳定剂等。这里介绍的硫代硫酸盐化学镀金溶液却不含还原剂,它的组成如下:硫代硫酸金三钠0.5~5 g/L;硫代硫酸钠10~60 g/L;苯亚磺酸2~25 g/L;草酸1~15 g/L;磷酸二氢钾5~25g/L