面积优化的高阶跳耦△-∑调制器的设计

该文设计实现了一个四阶的跳耦Delta-Sigma DAC.基于过采样技术和反馈控制技术,Delta-Sigma调制器在高精度数据转换器实现方面比其他方案有更多优势.这种拓扑结构对于系数的变化不敏感.为了以最优的方式实现调制器,给出了最小字长Delta-Sigma调制器的设计方法.调制器系数量化成了2的幂次,因此系数乘法可以通过移位操作实现,而同时调制器性能并未因此而下降.信噪比并未因为字长的减小而变化.     

一个应用于数字音频的高性能、低功耗ΣΔ模数转换器

本文介绍了一个应用于18位高端音频的ΣΔ模数转换器(ADC)。它包括一个2-1级联结构的ΣΔ调制器和一个数字抽取滤波器。在系统设计、电路实现和版图设计的过程中采取了许多优化措施,包括：选择了一个能够实现高过载水平的调制器结构并对其系数进行优化,实现了一个高能效的A/AB 类跨导放大器和一个面积和功耗优化的多级抽取滤波器。模数转换器在中芯国际0.18μm 混合信号CMOS 工艺中流片。测试结果表明在22.05 KHz带宽内,信噪失真比和动态范围分别达到91dB和94dB,而芯片面积为2.1 mm2,其中模拟部分仅消耗2.1mA静态电流。     

阶梯栅氧结构的NLDMOS热载流子效应研究

本文对一种新型的阶梯栅氧结构的NLDMOS（Step Gate Oxide NLDMOS , SG-NLDMOS）的热载流子效应进行了研究。采用直流电压应力实验、TCAD仿真、电荷泵测试等方法,对退化现象进行了分析,并提出了退化机制。然后研究了漂移区注入剂量对器件热载流子效应的影响,结果表明低的漂移区注入剂量可以更有效地减小器件导通电阻的退化。     

摄像头组智能车图像预处理算法研究

本文以大学生＂飞思卡尔＂杯智能汽车竞赛摄像头组比赛为背景,通过分析数字摄像头图像采集原理,提出了几种图像预处理算法,提高了一般情况下智能车对图像识别的准确度。     

高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究

高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 ,所有参数达标     

汉字三字节编码的探讨——DGS—200上的一种实现方案

本文在对汉字编码及大系统的汉化问题进行探讨的基础上,提出了一个新的三字节汉字编码方案,解决了3字节编码的二义性、兼容性问题.最后介绍了它在DGS—200终端上的具体实现.     

深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究

研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。     

CMOS磁敏/光敏兼容传感器集成电路的设计

研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路。该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理电路和相关二次采样电路进行磁敏和光敏信号的采集和降噪处理,具有较高的磁场灵敏度(0.0361T-1)感光灵敏度(2V/lx.s),实现了在一个芯片上同时传感磁信号和光信号的功能。     

静电放电人体模型测试标准EIA/JEDEC中的问题研究

通过具体的实例说明目前的静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）人体模型测试标准EIA／JEDEC尚存在一些需要完善的问题。目前的标准EIA／JEDEC中缺少对起始测试电压的规定,导致有些测试直接从千伏（kV）量级的高压开始进行,造成一些设计不良的ESD防护器件在低压发生失效的状况可能被漏检的后果。本文研究对象为一个漏端带N阱镇流电阻（Nwell-ballast）的GGNMOS（Gate-Grounded NMOS）型ESD防护结构。用Zapmaster对它做人体模型（Human Body Model,HBM）测试,发现从1Kv起测时,能够通过8Kv的高压测试;而从50V起测时,却无法通过350V。TLP测试分析的结果显示此现象确实存在。本文详细剖析了该现象产生的机理,并采用OBIRCH失效分析技术对其进行了佐证。因该问题具有潜在的普遍性,因此提出了对目前业界广泛采用的EIA／JEDEC测试标准进行补充完善的建议。     

42"PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现

在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42″数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容（BCD工艺）,而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42″PDP显示系统的需求.