干式变压器绕组热点温度的一种计算方法

运用软件Fluent对一台干式变压器建立了可计算模型,并计算了绕组热点温度。     

论材料代用对压力容器性能的影响

简要介绍结合实际案例,对压力容器设计、制造中的材料代用可能对容器的性能产生的影响进行了分析。     

管理提升话安检

新年伊始,企业总要开展管理提升活动,将查短板、破瓶颈作为创新管理工作的突破口。笔者认为,查找安全检查中的"短板",是提升安全管理的当务之急。要真正让安全检查达到预期目的,首先,要创新安全管理机     

炭发热材料在供暖领域的应用

本文叙述了碳的热电学性质,论述了利用炭作为发热元件供暖的产品结构及发热原理,介绍了炭发热元件的制作工艺流程及特性,指出炭发热材料作为一种新兴的、科学的采暖产品,具有高效、节能、环保、经济、发热迅速、不易老化、使用寿命长等优点,炭作为发热材料在供暖领域的应用前景十分广泛.     

采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。     

基于SiGe虚拟衬底的低场迁移率提升140%的应变Si沟道NMOS器件 Cui Wei(崔伟)1,2,Tang Zhaohuan(唐昭焕)2, Tan Kaizhou(谭开洲)2, Zhang Jing(张静)2,

本文研究了一种应变SiGe沟道的NMOS器件,通过调整硅帽层、SiGe缓冲层,沟道掺杂和Ge组分变化,并采用变能量硼注入形成P阱的方式,成功完成了应变NMOS器件的制作。测试结果表明应变的NMOS器件在低场(Vgs=3.5V, Vds=0.5V)条件下,迁移率极值提升了140%,而PMOS器件性能保持不变。文中对硅基应变增强机理进行了分析。并利用此NMOS器件研制了一款CMOS倒向器,倒向器特性良好, 没有漏电,高低电平转换正常。     

畅所欲言表心声

3月8日,在兴隆庄矿工作了近三个月的14名新招安监员齐聚安监处会议室,谈体会,提建议,畅所欲言表心声。为充分了解新招安监员工作开展情况,听取他们的心声,掌握他们在安全监察中的难点问题,更好地帮助和促进他们的工作,该处借安监员集中轮休的时机,特意开展了"表     

金宗帅的三级跳

十二年,对于人的一生来说并不算长,但是在一个人的工作历程里,却是一段不短的时间。2009年是山东兖矿集团兴隆庄矿职工金宗帅参加工作的第十二个年头。金宗帅没有辜负自己,也没有辜负这十二年的光景。     

雨夜

寂静的夜里 雨声 是最美妙的天籁之音 沉实 安静     

矿山老伙计

在这儿,老伙计不是一个称谓. 在这儿,老伙计不是泛指. 老伙计,多么温暖的字眼,我独心仪矿山老伙计. 经历了岁月淘洗,跨越了生死考验,于300米井下摸爬滚打,惺惺相惜,非三年五年时光、非磕头盟誓所能堪比.那是并肩几十载,共担风雨,同尝甘苦,虽有争吵分歧,但相扶相携,肝胆相知,一起走过千米幽巷,走进退休生活的老伙计.