介孔材料制备及研究进展

介孔材料是一类孔径分布在1．5～50nm之间的多孔材料，具有比表面积大，孔隙率高，孔径分布窄，孔排布有序的特点，在催化、分离等领域具有广阔的应用前景。综述了介孔材料近些年在制备、应用、机理等方面的最新进展与前景展望。     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

一种高分辨率视频转换系统的设计

介绍了一种视频信号转换系统,本系统能将医学专用显示设备上播放的非标准单色模拟视频信号转换为标准电视视频信号、标准SVGA视频信号,也可直接输出标准数字视频信号。使非标准单色模拟视频信号能够在通用隔行或逐行显示设备上显示,解决了医学系统产生的视频信号在教学、演示或传输方面的需要。本系统在多家医院试用,达到设计功能。     

一种CMOS静态双沿顺序脉冲发生器的设计

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

遗传算法在GSM移动通信网络频率规划中的应用

应用遗传算法设计和开发了针对爱立信GSM900系统的频率规划软件。在设计中，采用了交叉点存储、变异回退以及分割分步降维的方法，从而提高遗传算法的执行速度。     

GSM无线公话产品中的干扰研究

GSM90 0 /1 80 0固定无线公用电话桌面型话机在开发过程中遇到严重的噪音问题 ,一度成为开发工作的瓶颈。本文就这一噪音问题进行了分析与测试 ,并针对干扰源采取相应的措施 ,在产品开发中付诸应用 ,最终解决了 GSM桌面型无线公话的噪音问题     

超宽带极窄脉冲设计与产生

超宽带(UWB)技术是以持续时间极短的脉冲作为传输载体进行数据通信的无线新技术。基于BJT雪崩特性,本文采用并行同时触发的工作方式,设计并产生了高重复速率的UWB脉冲电路发生器,极大地减少了时延,缩短了上升时间,提高了脉冲的幅度,并从等效电路法的观点分析计算了脉冲的特性参数,理论结果与实测结果具有较好的一致性。     

Windows2000环境下实时控制系统的软件实现

文章介绍了在windows2000环境下通过编写WDM（Windows Driver Model）设备驱动程序实现实时数据采集和控制的一种方法。采用研华数据采集卡PCL818L产生中断信号．通过编写WDM驱动程序实现了在windows2000环境下转台的位置控制。并在实验中调试通过。实验结果表明：在采样频率为1KHz的情况下。控制系统很好实现了输出对输入的跟踪，证明了采用方法的正确性。该方法解决了windows2000环境下的实时性问题，为在windows环境下实时控制系统的实现提供了有益的尝试。