基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.     

在通用平台上实现舰载雷达PPI显示

分析了舰载雷达PPI显示需求，并在传统解决方案的基础上，结合当今IT技术发展现状，提出了使用通用软、硬件平台来解决舰载雷达聊显示的新途径，进而对这种新方案的可行性作了论证测试。     

多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500,并生长了器件级SiGe HBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件,其性能为:β=60@VCE/IC=9V/300μA,β=100@5V/50mA,BVCBO=22V,ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指,3V/10mA.多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和120指的SiGe HBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在900MHz和3.5V/0.2A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE＝22dBm/11dB/26.1%.120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE＝33.3dBm (2.1W)/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.     

玉门油田青西地区高陡地层防斜钻井技术

针对青西油田高陡地层钻井易井斜难题，对造成井斜的原因进行了分析，提出了两套解决方案，取得了较好的现场应用效果，对高陡地层防斜钻井有重要意义。     

用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60     

用放射配体结合法测定小鼠心肌M-胆硷受体

本文用~3H-QNB作特异结合配基,用简单灵敏的放射配体法测定鼠心肌M受体。经28000×g低温离心制备膜制剂,在2ml Na-K磷酸缓冲液(pH7.4)中含0.8mg膜蛋白,不同浓度~3H-QNB 37℃温育半小时,用国产79型滤膜分离结合与游离部份,用0.01μM QNB作测非特异结合用。对四批ICR纯种小鼠测得的K_D值为0.0918±0.0136nM。实验中用~3H-QNB测得结合曲线,用Scatchard、Hill及双倒数作图法求得K_D和B_~(max)值,还测定了非标记QNB取代50％时剂量、~5H-QNB的结合速度常数与解离速度常数及其t_(1/2)等参数。     

二维Ge岛成核早期阶段的动力学蒙特卡罗模拟

采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段.引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正.研究了温度和应力场分布对二维Ge岛成核位置以及尺寸分布的影响,结果表明应力场对二维岛的成核具有决定作用,采用调制应力的方法可以有效控制量子点的自组织生长过程.     

基于非平衡格林函数的共振隧穿二极管模型

应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电压曲线.为验证该数值模型的正确性,文中还给出了基于Wigner函数的解析模型,将两者的结果进行了比对,并对其结果进行了分析.