N型GaN的持续光电导

本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明,未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比,样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加,提高了ＧａＮ中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特     

界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ直流输出特性的影响．考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小．     

超短工作面悬移支架放顶煤开采技术

分析了超短工作面悬移支架放顶煤开采的可行性, 在生产实践中,研究解决了超短工作面放顶煤中矿压、顶煤回收及瓦斯、煤尘治理等问题。     

制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析

近年来,复合纳米线的制备成为低维纳米结构研究的一个热点.综述了几种典型复合纳米线的生长方法,分析了它们的生长机制,以及影响它们生长的各种因素.希望通过这几个制备复合纳米线的实验的分析与研究能对相关实验研究工作提供一些参考.     

7.8μm二级分布反馈量子级联激光器

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47－xAs/In0.52－yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93～173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K．在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW．     

量子级联红外探测器

半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景.目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器( QWIPs).传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制.量子级联探测器( QCDs)是一种新型的光伏型量子阱红外探测器.其工作原理基于电子吸收光子后在量子阱的子带间跃...     

车用动力锂电池组的测量与均衡方法分析

分析目前多种动力锂电池组的测量方法和均衡方案,采用LTC6802进行单体电池电压的测量与均衡,该芯片内部集成了串联锂电池组单体电压测量和均衡的功能,最后提出了一种与充电机配合的均衡方法,这种使用集成芯片采集电池组单体电压和均衡的方案,在实际应用中具有测量速度快,测量精度高,均衡方式灵活,功能配置方便,体积小巧,电路设计...     

粉末烧结铝镍钴永磁合金的质量控制

分析了粉末烧结铝镍钴（AlNiCo）永磁合金的主要缺陷及对产品质量的影响;根据多年的生产经验,针对具体缺陷提出了改善方案。粉末烧结AlNiCo永磁合金中主要缺陷包括气孔、变形、夹杂脏化等。从理论和实际生产的角度分析了造成“脏化”的原因,针对不同类型的“脏化”提出了不同的解决方案。     

湿法氧化Al0.85Ga0.15As时SiO2层的保护作用

本文研究了有无氧化硅保护层时Al0.85Ga0.15As层的高温湿法氧化。实验结果表明：氧化硅层对Al0.85Ga0.15As层的高温侧向湿法氧化速率基本无影响;被氧化区域SEM图像的衬度和有氧化硅保护层样品As拉曼峰的缺乏归因于被氧化区域中不存在氧化反应产物As,这有利于提高氧化层的热稳定性;有SiO2保护层样品的发光强度比无SiO2保护层样品的发光强度强的多,且具有SiO2保护层样品的发光峰位和半高全宽与氧化前的样品基本一致,而无SiO2保护层样品的发光峰位红移,半高宽展宽,这是由于氧化硅层阻止了GaAs盖层的氧化。     

Distributed feedback quantum cascade lasers operating in continuous-wave mode at λ≈7.6μm

正Distributed feedback(DFB) quantum cascade lasers(QCLs) in continuous-wave(CW) mode emitting atλ≈7.6μm are presented.Holographic lithography was used to fabricate the first-order distributed feedback grating. For a high-reflectivity-coated QCL with 14.5-μm-wide and 3-mm-long cavity,CW output powers of 300 mW at 85 K and still 10 mW at 270 K are obtained.Single-mode emission with a side-mode suppression ratio(SMSR) of about 30 dB and a wide tuning range of ~300 nm in the temperature range from 85 to 280 K is observed.