不同触发条件下的钛酸锂电池热失控特性研究

以两款商用的、不同容量、不同封装形式的钛酸锂电池为研究对象,利用过充、针刺、加热的方式进行了热失控触发的实验研究.通过对实验结果的归纳与总结,发现对于钛酸锂电池,同样的电流激励下,其在过充期间的产热更为明显;针刺方向与电池封装形式对热失控触发存在较大影响;过充电池在相同功率下的加热热失控所需时间远远小于满电态电池.     

布袋桩施工技术在桥涵基础防腐中的应用分析

布袋桩施工技术的应用,可以有效的提高混凝土结构的耐久性和安全性。因此,布袋桩施工技术在桥涵基础防腐中得到了广泛的应用。     

硅中与钯相关的深能级的研究

本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同能量状态的看法,但发现缺陷的微观构成与B无直接关联,而很可能同间隙Pd与硅中本征空位缺陷形成的络合物相关.     

半导体材料性能检测技术的新进展

综述了近年来半导体材料性能检测技术的新进展，特别重点地介绍了高空间分辨的快速，无损，自动测试技术发展现状及其在评价半导体材料微区性能方面的重要作用，希望能引起国内同行的重视，使我国的半导体材料测试分析技术上一个新台阶。     

晶体化学中的键电荷模型及其应用前景

键电荷模型将晶体中原子的有效电荷与键长有机地联系起来，从而提供了一种揭示分子晶体结构和电子结构相关关系的方法。键电荷模型的建立被看作是当今无机固体化学的一个重大进展，它具有简洁性、可靠性和实用性的特点。对于晶体中原子的电荷分布，结构畸变的研究和键长的确定有独特之处。值得研究和发展。本文简述了这一模型的基本原理及其应用前景。同时做出了简单的评价。     

GaInP材料生长及其性质研究

用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高、Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源．１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关．     

混晶半导体中深能级的展宽及其有关效应

本文以GaAs_xP_(1-x)为例,在假定As-P原子在v族点阵位上随机分布情况下,从基本统计理论出发,计算了找到k个As原子的几率F以及能级展宽的宽度与组分的依赖关系.在进一步假定能级展宽服从高斯分布的情况下,计算了混晶半导体中载流子通过深能级中心的热、光发射电容瞬态过程.理论计算和实验结果的很好一致,不但成功地解释了混晶中来自深中心载流子的非指数热发射和俘获电容瞬态过程的物理实质,而且通过对实验结果的拟合还能给出表征混晶半导体中深能级特征的二个重要参数:深能级的展宽宽度E_B和平均热激活能E_T.     

微重力条件下生长GaAs单晶的电学和光学性质研究

用多种实验手段分别对地面和太空生长的掺Te砷化镓单晶的电学、光学均匀性和深能级行为进行了实验研究.初步结果表明:在太空进行再生长的GaAs单晶电子浓度比原地面生长的籽晶小一个数量级,电子浓度由地面晶体到太空晶体的过渡是陡变的;DLTS测量发现太空单晶中存在两个电子陷阱,分别位于导带下0.27eV和0.60eV处,深能级密度为浅施主N_D的10~(-3)-10~(-4);少子注入未观察到空穴陷阱;用太空GaAs单晶为衬底制备的25个单异质结(SH)二极管,具有一致的I-V和发光特性,这反映了太空晶体的均匀性优于地面晶体.此外,还对太空生长GaAs单晶电子浓度降低的可能原因、深能级行为以及太空生长高质量晶体的前景作讨论.