循环形变对超细晶铜室温拉伸行为的影响

研究了循环形变处理对等通道转角挤压方法(ECAP)制备的超细晶铜(UFG—Cu)室温拉伸行为的影响．与制备态相比，循环形变处理后UFG—Cu的塑性变形行为发生了明显的变化，在应力—应变曲线上出现流变应力的平台区，在此区域没有应变硬化和颈缩发生，均匀延伸率由制备态的约2％提高到约6％．探讨了该阶段变形的机制以及导致这种变化的可能因素。     

低氢含量工业纯钛循环变形的微观结构Ⅱ.氢化物的溶解和应变诱发氢化物的形成

对均匀弥散分布着γ氢化物的低氢含量的工业纯钛进行循环疲劳试验．发现滑移带能够穿过氢化物的共格界面，使氢化物发生塑性剪切变形．由于位错周围的氢气团能够在位错的拖拽下，随同位错一起运动．所以位错的运动能够促使氢原子沿滑移带扩散．滑移带穿过氢化物的过程伴随有氢原子沿滑移带的扩散，材料中原有的氢化物在滑移带的冲击下，由于局部的氢原子浓度太低，而重新溶解．同时位错也会带着氢气团在氢化物处塞集，引起氢原子的局部富集；并导致应变诱发氢化物的产生．研究表明这个可逆相变过程由位错运动诱发的氢原子扩散所控制．     

[001]多滑移取向铜单晶体的循环形变行为：Ⅰ.循环应力—应变响应

本文在一个较宽的塑性应幅范围内研究了「００１」多滑移取向铜单向循环形变行为。结果表明,「００１」晶体的循环形变行为明显不同于「００１」和「１１１」多滑移取向的铜单晶体。「０１１」晶体具有产低的初始硬化速率,即使在较高的塑性应变幅下,初始硬化速率也无明显变化。     

[■12]双滑移取向铜单晶体的循环应变硬化及饱和

本文在塑性分切应变幅（γpl）为1．3×10-4－7．2×10-3范围内研究了双滑移取向铜单晶体的循环形变行为当γpl＜2×10-3,晶体的初始硬化速率θ0.2较低,几乎与应变幅大小无关。当γpl＞2×10-3,θ0．2随γpl的增加而显著增大．　晶体的循环应力－应变（CSS）曲线在5×10-4＜γpl＜4×10-3范围内呈现一个明显的平台,平台区的范围与单滑移晶体相比明显缩短,但平台区对应的饱和应力相近．和晶体虽然同处于标准取向三角形的001／边上．但其循环形变行为存在明显的差异,可归结为各个滑移系相对于晶体轴的几何位置不同,从而造成不同的滑移形变特征     

高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响

对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的「１２３」取向的疲劳Ｃｕ单晶体,进行了高密度脉冲电流处理,结果表明,高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态,使驻留滑移带局部消失,理论计算同时表明,高密度脉冲电流处理能提高Ｃｕ单晶疲劳寿命。     

Ti-49.6Ni合金在拉压对称循环载荷下的电阻-温度曲线

用电阻法测量了固溶后Ti-49.6Ni形状记忆合金的相变行为,马氏体逆相变具有明显的相变温度点;在降温过程中没有发生R相变。在该热处理制度下材料疲劳后,在升温过程中没有明显的逆相变温度点;在降温过程中出现R相变。电阻-温度曲线特征发生明显规律性变化,提出一种解释这一现象的微观机制。     

高周疲劳条件下高强钢临界夹杂物尺寸估算

依据Murakami的“夹杂物等效投影面积模型”估算了在高周疲劳条件下一定硬度（或强度）高强钢的“临界夹杂物尺寸”．估算结果表明,随着钢硬度（或强度）的增加,“临界夹杂物尺寸”逐渐减小;“临界夹杂物尺寸”也受构件表面机加工粗糙度的影响,表面越光洁,这个尺寸也越小．从本文几种钢的实验数据以及其它已发表的数据都可以间接证明,估算的临界尺寸是合理的．     

一种铜三晶体及双晶体的循环形变行为

对取自同一块晶体的铜三晶（Ｔｃ）和双晶（ＢＣ）试样进行了恒塑性应变幅控制对称拉压疲劳实验,轴向塑性应变幅范围１．０×１０(－４)≤　≤　４×１０(－３)。结果表明,在低应变幅下,三晶及双晶试样的初始循环硬化曲线几乎重合。在较高应变幅下,三晶试样的硬化曲线高于双晶试样的硬化曲线且随着应变幅的增加差距增大。三晶体的循环应力应变（ＣＳＳ）曲线明显高于双晶的ＣＳＳ曲线。不论对ＴＣ还是ＢＣ试样,当　１＜１．５×１０(－３)时,轴向饱和应力随着的增加而缓慢上升,而当＞１．５×１０(－３)时,轴向饱和应力则随着Ｅｐｌ的增加快速上升。两曲线都无明显的平台区出现．表面形貌观察表明,在低应变幅下,三晶交点（ＴＪ）对各晶粒的主滑移有阻碍作用,在高应变幅下,在三晶交点附近,由于各晶粒的应变不相容性而产生的内应力导致了多滑移系统的启动．上述力学结果同表面形貌观察相一致。另外,在＞７．０×１０(－４)情况下,三晶交点处产生了微孔洞     

DD8单晶镍基高温合金热机械疲劳后γ/γ''''界面位错网产生内应力的计算

计算了DD8单晶镍基高温合金在同相(IP)和反相(OP)热机械疲劳(TMF)后γ／γ'相界面上产生的位错网的内 应力.结果表明:IP TMF条件下, γ／γ'相界面上产生的位错网可以释放掉大部分错配应力,同时因位错网的存在导致了γ' 沉淀相发生了明显的筏化现象. OP条件下产生的层错未造成基体内应力分布的不同,因此未发生γ'沉淀相的筏化.