新春2月 6地热卖旺菜集锦

顾客口味挑剔,在经济危机到来的特殊时期尤甚于平常,如何应对尴尬局面?既要节能降耗,又要菜品质量走高,危机中如何赚到盆满钵满?如何既降成本又不影响销售状况?本期特选菜品30余道非常时期各地旺店热销旺莱,助您捕获菜品赢利、推新的灵感。     

扫描电镜和能谱仪联用检测黏胶长丝污染丝

以黏胶长丝中出现的黑点丝和锈点丝作为研究对象,用扫描电镜和能谱仪联用对其进行表面形貌、截面结构观察及元素分析。结果表明:出现黑点丝和锈点丝的丝条结构没有变化,但是表面有明显杂质,分析杂质成分主要是铁锈、机械油、碳素笔笔油及灰尘等物质。从截面观察可见污染丝与正常黏胶长丝截面无明显差别,均光滑平整,无折点,说明丝的表面受到污染,但其内部结构并未发生变化。     

化工企业安全仪表系统实施策略探讨

针对化工企业如何合理、有效、经济地实施安全仪表系统(SIS),从风险评估及安全等级评定、设计原则、系统设置方案、联锁逻辑关系、现场仪表配置等方面,对SIS的实施策略进行分析和探讨。     

数字视频编码器图像质量的评估分析

编码压缩的数字视频应用越来越广泛。数字视频编码器直接影响着所还原数字视频图像的质量,本文介绍了数字视频编码器图像质量评估分析的主观评价。以及客观测量分析方法,并进行了总结分析。     

浅谈基于双向HFC网络架构的互动电视常见故障及解决办法

基于双向HFC网络架构的互动电视常见故障主要有互动机顶盒内置CM工作异常、互动功能网络延时大、点播功能出现中断等．本文简单介绍几类故障的成因及结合案例提出解决办法。     

MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.     

等离子点火技术在300 MW机组中的应用

等离子点火技术是一种有效节油锅炉点火,稳燃和调试用油的重要手段,对降低发电成本,节约油资有重大意义。文章介绍了青海华电大通发电有限公司2#等离子点火装置的安装调试、点火启动应注意的事项,同时介绍了等离子点火技术的工作原理,该技术的应用实现了锅炉无油点火,符合安全、环保、经济的现代企业经营理念。     

化工部大化肥信息与控制交流网会

第四届年会于1989年8月11日在辽河化肥厂召开。大化肥厂、部分中化肥厂和碱厂的40余名代表出席了本届年会。部化肥司、情报所、自动化所、化工建设工程(集团)总公司、经济信息中心也派代表出席了会议。于喜圣付司长自始至终与代表们一起交     

SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制

用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.     

美国霍尼威尔公司来华现场服务技术总结

美国霍尼威尔公司(下称 H 公司)的代表,于一九七九年五月二十六日至五月三十一日,在泸州天燃气化工厂进行现场服务和技术交流。现将有关问题总结于下。(一)霍尼威尔公司仪表在我国使用及该公司仪表损坏率概况一、霍尼威尔公司仪表在我国使用概况: