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101.
层序单元体系域划分及勘探意义   总被引:3,自引:3,他引:0  
体系域是层序地层学理论体系中的重要概念,在隐蔽油气藏的勘探中,勘探家们极为重视低位体系域。但体系域的成因意义、是否有不同级别层序的体系域以及如何划分,在实际工作中认识不一致。结合勃海湾盆地的勘探实例,分析体系域的成因机制、组合特征和勘探规律,认为:体系域是基准面变化等因素作用的产物,不同级别的层序都发育着与其对应的体系域:一般情况下,三级层序对应的体系域单元与含油气层的规模相匹配,但四级层序对应的体系域才是隐蔽油气藏赋存的有利部位。图5参6。  相似文献   
102.
介孔材料制备及研究进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
介孔材料是一类孔径分布在1.5~50nm之间的多孔材料,具有比表面积大,孔隙率高,孔径分布窄,孔排布有序的特点,在催化、分离等领域具有广阔的应用前景。综述了介孔材料近些年在制备、应用、机理等方面的最新进展与前景展望。  相似文献   
103.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.  相似文献   
104.
刘佐濂  何清平  林展 《现代电子技术》2006,29(3):139-141,144
介绍了一种视频信号转换系统,本系统能将医学专用显示设备上播放的非标准单色模拟视频信号转换为标准电视视频信号、标准SVGA视频信号,也可直接输出标准数字视频信号。使非标准单色模拟视频信号能够在通用隔行或逐行显示设备上显示,解决了医学系统产生的视频信号在教学、演示或传输方面的需要。本系统在多家医院试用,达到设计功能。  相似文献   
105.
单片机中断多优先级的软件扩展方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了解决MCS-51系列单片机只能由IP寄存器设定两级优先级的问题 ,文中给出了利用软件对中断优先级进行扩展的方法 ,同时给出了高于两个优先级的多优先级软件扩展程序。  相似文献   
106.
介绍如何利用AutoCAD开发适合电气专业使用的CAD系统,通过编制电气CAD的功能菜单,构造电气元件库,增强CAD的专业性能。编制电气CAD可以有效地统一本单位电气制图标准,方便电气工程师使用CAD进行专业设计。  相似文献   
107.
提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。  相似文献   
108.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
109.
吴辉 《现代显示》2006,(5):46-48
介绍液晶显示器EDM12864B的原理及其在单片机控制下的简单应用。  相似文献   
110.
许晖  安源  金光  马梦林 《半导体光电》2006,27(5):611-613,627
分析了光电平台的工作环境和角振动对成像质量的影响,应用空间机构学原理和减振理论,设计了一种既具减振功能又能抑制角位移的无角位移减振机构。对减振机构的减振机理及运动特性进行了分析,并利用三维建模软件和MSC.Visual Nastran 4D仿真分析软件对该减振机构进行了三雏实体仿真分析,通过输出的仿真数据及曲线检验无角位移减振原理的正确性。  相似文献   
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