高频开关电源的发展和趋势

目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用于以电子计算机为主导的各种终端设备、通信设备等几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。目前市场上出售的开关电源中采用双极性晶体管制成的100kHz、用MOS-FET制成的500kHz电源，虽已实用化，但其频率有待进一步提高。要提高开关频率，就要减少开关损耗，而要减少开关损耗，     

半导体技术的新挑战：封装与系统设置

提高功率密度和性能，同时降低成本，从来都是功率半导体技术的前进方向。本文指出，在可预见的未来，这个趋势还将继续下去，并且新型半导体材料的发展甚至会加剧这一趋势。传统的硅材料与诸如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料的一个共同发展趋势是提高电流密度，并且需要逐步实现高达200℃的更高工作温度。主要受要求高得多的负载和温度循环能力的限制，如今的封装技术尚不能处理高于200℃的温度。另一个共同发展趋势是，各种新老材料的半导体都致力于加快开关速度，以降低器件内部损耗，从而提高电流承受能力。本文还表明，朝着这个方向发展，降低开关损耗的潜力巨大（约7倍），并且阐述了在低电感连接技术方面，封装和系统设置面临的挑战。     

Vishay推出高功率密度、高系统效率的新款FRED Pt整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出27个采用小尺寸、低高度SMPC(TO-277A)eSMP系列封装的新型4 A~10 A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。这些通过AEC-Q101认证的整流器具有极快和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向压降,可减少汽车和电信应用里的开关损耗和过耗散。这款Vishay Semiconductors FRED Pt整流器的反向电压为100V、200V     

开关损耗与软度的平衡:改善软度是否需要不同型号的芯片?

本文的目的是说明杂散电感对相应芯片的开关性能的影响,旨在提供产品设计指南,并研究具体芯片型号的优缺点。     

英飞凌推出第三代高速IGBT系列

英飞凌科技股份公司近日推出600v和1200V高速3（第三代）IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100kHz的应用需求。     

新型双BUCK恒流源的研究

为解决电源设计中片面追求高频化所带来的一系列问题,设计了一种双BUCK拓扑结构的开关恒流源。分析了其工作原理,并用Saber软件对电路进行仿真分析,再通过实验验证了其正确性、可行性和有效性。     

绿色FPS^TM系列功率开关——提高效率并减小EMI

飞兆半导体公司的新款FPSTM系列产品FSQ0765R和FSQ0565R，可帮助设计人员获得更高的效率以及满足EMI规范。这些功率开关均采用飞兆半导体专有的谷底导通、混合控制及固有频率调制技术，与传统的硬开关转换器拓扑相比，能够降低多达500mW的开关损耗和5dB的EMI。这满足了加州能源委员会、欧盟行为准则和高能效电器组织制定的能源规范。     

8S/8S2/15S/15S2TH06FP：600V PFC高频整流器

Vishay推出四款新型600V FRED Pt超高速整流器，这些器件具有快速、稳定的反向恢复时间及低正向压降，可减少高效PFC及SMPS应用中的开关损耗。四款新型器件专为高效PFC及高功效SMPS应用进行了优化，可作为台式电脑、服务器、宽屏PDP与LCD、混合系统、UPS及太阳能系统的适配器。     

两电平和三电平逆变器的新模块化似零电压软换流电路的分析和设计

提出了一个直流负总线辅助谐振电路(NBARC)与新型直流侧谐振电路镜像对称对模块设计, 用以实现两电平和三电平逆变器的软换流.NBARC的电路拓朴减少了功率器件的数目并降低了对器件的功率额定值的要求.为两电平逆变器零电压开关设计并分析了基本NBARC谐振电路,这个电路拓朴和模块设计方法被扩展到一个谐振模块镜像对称对电路,用以钳夹直流侧电压,并实现三电平逆变器的软换流.提出软换流允许在似零电压状态下实现,并分析了残余换流电压对于逆变器开关损耗的影响.模块方法允许软开关电路被设计成标准逆变器的可选附加块,可以把传统的逆变器转变为软开关逆变器.实验结果验证了电路分析和实现.