全碳化硅功率模块开关瞬态特性及损耗研究

为了加快全碳化硅功率模块的实际工程应用,针对全碳化硅模块开通关断过程中电压电流变化率、栅极电压耦合、开通损耗和关断损耗开展了分析,并与传统IGBT功率模块进行了对比分析。在全碳化硅功率模块双脉冲试验的基础之上,研究了不同电压电流等级下开关瞬态特性和开关损耗,提取试验参数,获得了电压电流应力大小,为全碳化硅功率模块的工程应用提供有效参考。     

全范围内中点电位平衡的三电平变换器调制策略

中点电位的平衡是保证中点钳位型三电平变换器安全可靠运行的必要条件。因此,提出了一种可在全功率因数、全调制度范围内维持中点电位平衡的调制策略。该调制策略的特征为在1个开关周期内只有3次开关动作,并提出了适合于该调制策略的中点电位恢复算法。与基于载波的脉宽调制和虚拟空间矢量调制方法相比,所提出的调制策略能在很大程度上降低开关损耗,并且具有较好的输出电压波形质量和较强的中点电位控制能力与恢复能力。最后,通过实验对比了现有的调制策略,验证了所提调制策略的可行性和优越性。     

1200V 200A Si/SiC混合模块性能对比研究北大核心CSCD

提出了一种SiC混合模块,相比传统的Si IGBT模块,将Si续流二极管替换成SiC SBD。两种模块的额定参数均为1 200V/200A,在相同的测试条件下,分别测试其动、静态参数及波形,对比研究测试数据,混合模块中二极管反向恢复损耗可以降低84%,总的开关损耗可以降低40%。提取模块的寄生电感数值为13.3nH,结合动态测试波形,混合模块可以满足正常使用。     

飞兆半导体推出1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

1200V IGBT能够降低微波炉、电磁电饭煲和其它电磁炉的系统工作温度飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高     

一种用于三电平逆变器的SVPWM调制方法研究

本文从二极管箝位型三电平逆变器的基本结构出发，分析其输出状态，推导出六角形空间电压矢量图。然后从一种改进的，可以减小开关损耗，避免高的dv／dt三电平空间矢量PWM调制策略出发，建立了基于Matlab的详细仿真方案，验证了方案的可行性。文章给出了扇区判断的算法流程图，脉冲生成模块的内部结构图，其中的扇区判断的算法和脉冲生成方法对于用DSP实现三电平SVPWM具有重要的参考价值。     

PWM IGBT变频器的损耗

提出了一种计算ＰＷＭ ＩＧＢＴ变频器正向损耗和开关损耗的新方法，该方法在计算精度和计算的复杂性之间寻托到一种比较合理的方案。有些计算过程还能应用到双极性晶体管式ＭＯＳＦＥＴ中。     

快速空间矢量PWM控制算法的研究

分析了电压空间矢量PWM的基本原理,提出了一种改进的基于空间矢量PWM的快速算法。把参考电压经2/3坐标变换,根据三相参考电压的符号和作用时间来判断扇区,该算法不需要正弦函数和反正切函数计算。同时通过零矢量作用时间的适当分配可以连续调整不开关扇区的位置,使开关损耗达到最小,且程序运算速度明显提高。经仿真证明了其可行性。     

一种用于推挽式电压型逆变器的低损耗无源吸收电路

提出并实现了一种推挽式PWM电压型逆变器用无源吸收电路;设有独立的放电回路让缓冲电容器上的能量部分地回馈到直流电源中,高频放电能量不会叠加在输出电压上;缓冲电容器的电压被钳位,使得推挽电路特有的倍压不会在吸收电路上造成额外的损耗。给出吸收电路参数的设计准则和计算实例,在200VDC和30kW级的中压中功率逆变装置中发挥了推挽拓扑的优点。理论分析和实验验证了所提方法的有效性。     

基于最小开关损耗的SVPWM调制技术

分析了空间电压矢量（SVPWM）的基本原理，给出了SVPWM技术的几种优化措施，并在此基础上提出一种根据负载功率因数角动态分配零矢量的方法。理论分析和仿真结果表明。采用该方法能达到最小开关损耗。     

SiC肖特基二极管在大功率PFC中的应用

有源功率因数校正(Active Power Factor Correction,简称APFC)是大功率电源应用的一项关键技术.分析了Boost PFC电路中半导体器件的开关损耗以及SiC肖特基二极管的工作特性.SiC肖特基二极管可以有效降低开关损耗,并有助于大功率APFC电路实现高频率应用.在一台3.6kW的样机上,利用SiC肖特基二极管实现了150 kHz的开关工作频率.