新的非平面Flash Memory结构

提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的flash memory单元结构,该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构.对于栅长为1.2μm flash单元,获得了在Vg＝15V,Vd＝5V条件下编程时间为42μs,在Vg＝-5V,Vs＝8V条件下的擦除时间为24ms的高性能flash单元,这一新结构的编程速度比普通平面型快闪存储器要快很多.这种新结构flash单元在高速应用场合下具有很好的应用前景.     

梧州市河西防洪堤岸坡稳定探讨

针对该防洪堤工程的地形地质条件，着重讨论了影响岸坡稳定的因素，提出了堤防设计应注意的问题。     

925合金在饱和H_2S盐水中的腐蚀电化学特征

利用塔菲尔(Tafel)极化曲线测试方法和电化学阻抗(EIS)测试方法,研究了镍基合金925在饱和H2S盐水环境下腐蚀过程不同时段的电化学行为。结果表明:在饱和H2S盐水作用下,试验开始至第9 d时腐蚀电位一直在降低,最低-418 m V,随后腐蚀电位逐渐升高,第17 d时腐蚀电位达-301 m V,而腐蚀电流在第5 d之前降低至1.2μA,第9 d升高至2.57μA,之后一直降低1.55μA。电化学阻抗谱显示高频区的容抗弧越来越小,扩散特征增强,可能是形成的腐蚀钝化膜不够致密。综合分析认为试验进行5 d后原有的氧化膜破坏,开始形成新的保护膜,9 d后合金钝化效果明显,合金耐腐蚀性增强。     

高填土防洪堤设计中的稳定分析问题探讨

通过梧州市河东防洪工程西江段和梧州市河西防洪堤已建的工程实例,探讨高填土防洪堤设计中的稳定分析问题.     

高填土防洪堤设计中的稳定分析问题探讨

通过梧州市河东防洪工程西江段和梧州市河西防洪堤已建的工程实例，探讨高填土防洪堤设计中的稳定分析问题。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

梧州河东防洪堤筑堤新技术应用

介绍经受超100年一遇洪水考验的梧州河东防洪工程西江堤的筑堤新技术。     

GPS手机芯片厂商任重道远

基于GPS的定位服务已经在人们的生活中得以实现,并且正在不断拓展.但是在终端产品方面,虽然市场上提供GPS相关产品的系统厂商相当多,但在关键零组件或模块上,仍存在相当大的门坎,能提供同时满足成本与功能需求的厂商仍屈指可数,以下介绍市场上三家主要的厂商.     

CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究

嵌入式Flash Memory要求低的工作电压．采用反应离子刻蚀技术，用CF4气体在低功率下对硅片做预处理，再热生长薄氧化层，从而在氧化层中引入F，降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV，隧穿电流增加，从而可以在低压下提高Flash Memory的编程效率．     

面向"信息化"的自动化专业教学体系改革与实践

介绍了西安交通大学自动化专业的教学现状，对自动化专业存在的问题进行了深入研究分析。提出对自动化专业的学生，应具有很高的信息获取、信息传递、信息处理和信息利用等方面的能力。在此基础上，提出了新的教学计划、课程体系和实验建设方案。此项工作建立在陕西省教改项目和我校行动计划建设项目研究工作的基础之上。论文还简单介绍了实验建设的进展情况。