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利用一株除磷酵母菌在除磷过程中表面形成局部富磷区域的现象,将其引入到结晶除磷中,开发了酵母菌诱导强化磷酸铵镁(MAP)结晶协同除磷新体系。以A2/O污泥浓缩池富磷上清液为处理对象,探究了pH、Mg/P、N/P、反应时间和搅拌强度对该体系除磷效能的影响,采用扫描电子显微镜能谱仪(SEM-EDS)、X射线衍射仪(XRD)分析结晶产物的形貌及晶型。结果表明,酵母菌诱导强化MAP结晶体系处理A2/O污泥浓缩池富磷上清液的最优参数如下:pH=10.0、Mg/P=2.0、N/P=2.0、反应时间=30 min、搅拌强度=300 r/min,出水磷浓度可低至1.71 mg/L,除磷率为97.14%。结晶产物分析结果表明,酵母菌分泌的大量胞外聚合物(EPS)可以吸附废水中的PO43--P和Mg2+,在菌体周围形成富磷区域,进而以酵母菌为晶核形成MAP结晶产物,实现磷的去除与回收。 相似文献
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目的 麦胚孵育过程中蛋白酶将蛋白质水解成肽和氨基酸,多肽具有明确的生理活性和营养调节作用。本研究以麦胚为试验原料,采用微波辅助预处理的方法,研究孵育的温度、时间、pH及料液比4种因素对孵育后的蛋白酶活力及多肽含量的影响。 方法 通过单因素和响应曲面试验进行工艺条件优化。 结果 与未进行微波辅助预处理的样品相比,微波辅助处理(600 W, 10 s)能显著提高孵育后样品中的蛋白酶酶活力(约9.4倍)和肽含量(约3.1倍)。经过微波辅助处理后,孵育温度为51.5℃、pH为4.0、时间为6.33 h、料液比为1:7时,蛋白酶活力达最高为3826.24 U/g;孵育温度为45.0 ℃、pH为4.8、时间为8 h、料液比为1:7时,肽含量达最高为262.63 mg/g。 结论 微波辅助处理能有效的激活麦胚孵育液中的内源性蛋白酶活性,促进蛋白水解反应,显著提高孵育后的肽含量。该研究结果为麦胚多肽的制备新工艺开发提供了研究基础。 相似文献
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地下岩体结构经常遭受到地震、爆炸、冲击振动等产生的动力扰动,利用3D打印技术的优势研究冲击荷载下岩体动态力学性能对实现3D打印技术在工程领域的应用具有重要意义。采用φ50 mm的变截面霍普金森压杆(SHPB)装置,对含预制裂隙的3D打印岩体试样进行动态单轴压缩试验。研究结果表明:试样的动态抗压强度随着预制裂隙倾角的增大呈现出先减小后增大的趋势,当预制裂隙倾角为30°时试样强度最小,当预制裂隙倾角为90°时试样强度最大。与3D打印岩体试样的静态单轴压缩强度对比发现,3D打印砂性材料具有明显的率效应,当应变率为139.65 s-1时,3D打印岩体试样的动态抗压强度是静态抗压强度的4.34倍。预制裂隙缺陷在一定程度上加剧了试样的能量耗散和破碎过程,并且30°倾角预制裂隙对试样能量耗散和破碎结果的影响程度最大。同时,3D打印岩体试样的能量耗散过程与破碎块度表现出明显的自相关性,所用的3D打印砂性材料的宏观破碎结果与能量耗散之间的关系与天然岩石材料有一定相似性,为今后3D打印材料模拟天然岩体应用于动态力学试验的可行性奠定了基础。 相似文献
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随着计算机技术以及并行求解技术的发展,区域分解方法越来越多地应用于计算电磁学的各个领域.针对微波管中的永磁聚焦系统仿真,该文提出一种基于有限元的非重叠区域分解方法,其引入一种新型传输条件,并采用内罚的方式推导出有限元弱形式.该区域分解法的最大优势是不需要引入多余的未知量,并且最终集成的有限元矩阵满足对称正定性,适合采用预处理共轭梯度法进行矩阵方程的求解.该文仿真了多个微波管永磁聚焦系统,并与商业软件Maxwell进行了详细的对比,结果表明所提出的区域分解方法和Maxwell精度相当,却拥有着更加优越的计算性能. 相似文献
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近年来,通过优化飞行程序降低机场飞机噪声影响成为机场环境保护的重要研究方向。文章首先建立了基于飞机“噪声-功率-距离”数据的噪声计算模型,介绍了平均飞行航迹以及连续爬升运行(Continuous Climb Opera-tion, CCO)离场程序的相关理论,最后以大型国际机场为实例,使用飞机平均飞行航迹进行噪声预测,运用综合噪声模型计算出噪声影响面积并绘制噪声影响等值线图,比较了CCO离场相对常规的标准仪表离场(Standard Instru-ment Departure, SID)的降噪效果。结果表明,CCO离场程序可有效降低机场噪声影响,在高噪声级影响区域的降噪效果更佳。 相似文献
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应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。 相似文献