退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响

采用原子层沉积技术制备Al2O3薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响.利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al2O3介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度...     

自积分型读出电路构成红外焦平面阵列的性能分析

针对自积分型读出电路和６４元线列ＩｎＳｂ红外探测器构成的焦平面阵列的性能，进行了分析、推导和计算，得出了焦平面阵列各项性能指标的表达式及其同探测器、读出电路参数之间的关系，并验证了部分结论。分析结果与其他几种形式读出电路构成的焦平面阵列有通用性。     

STH系列多组份红外分析仪及其应用

本文介绍了以锑化铟作为检测元件的单组份、双组份和三组份红外分析仪的技术参数、工作原理、特点以及在热处理气氛控制中的某些作用。     

优质锑化铟晶体和探测器组件

本文介绍采用（２１１）方向生长的ＩｎＳｂ晶体，在均匀性方面有明显的改善，用此晶体制造的３～５μｍ光伏探测器组件，有优越的性能，该产品已提供用户使用８年之久，性能一直保持稳定。     

大直径锑化铟单晶位错控制研究

本文采用的晶体生长装置具有特别的生长室结构,其外壳为不锈钢水套,可保证生长室与外界热隔离,使晶体生长不受外界干扰;另外,生长室尺寸较大,外壳直径为500mm,可使用外径达Φ100mm的坩埚;又采用了自动等径控制技术,因而可生长出大直径(Φ30～45mm)的锑化铟单晶。通过调整生长室内的温场,有效地控制了锑化铟单晶中的位错数量,得到了位错密度非常小的锑化铟晶片(EPD<10~2cm~(-2))。     

锑化铟磁阻式接近开关特性分析

介绍了锑化铟磁阻式接近开关的结构及工作原理,设计了信号处理电路,并对接近开关的动态特性进行了测试和分析.实验表明:该接近开关具有良好的动态特性,径向间距为4mm时,接近开关动作距离为8.13 mm,回差距离和重复定位精度分别不大于0.06 mm和0.04 mm.该接近开关灵敏度高,稳定性好,结构简单,成本低,可以规模化生产,用于铁磁性材料检测和控制.