我国红外探测器材料的研制概况

在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,以资比较。     

InSb中杂质Cd的开管充氮箱法扩散

本文介绍了用于n-InSb上扩散Cd的开管充氮箱式扩散系统和工艺.该工艺是在总结硅器件箱法扩散特点的基础上,结合我们的具体情况设计研制出的,它具有自己的特色.通过试验得出Cd在InSb内的扩散系数D=D_0cxp(-AE/kT),其中D_0=4.22×10~(-4)cm~2/s,△W=1.38eV.     

锑化铟位错显示中后处理的效果

本文提出了半导体锑化铟单晶位错显示中对样品处理的一种新方法,并通过大量的实验证实了这种方法的可行性。这种方法无须象传统方法那样对样品进行严格的研磨、抛光,将制作、显示一个样品所需时间由原来的80min左右缩短为5min左右。本方法具有迅速、准确、简单可靠等特点,可供研究晶体缺陷时参考。     

工作温度对锑化铟探测系统作用距离的影响

针对工作温度对光伏型锑化铟探测系统作用距离的影响,通过将特定器件的载流子输运与热噪声方程结合,得到温度与器件归一化探测率的关系,并将其提升到系统级,得到工作温度变化条件下,系统作用距离模型;在模型的基础上,设定探测条件并进行仿真,得到系统作用距离随工作温度变化曲线,分析了温度对系统作用距离的影响;为验证模型准确性,设计并进行了不同温度条件下系统作用距离的实验,对比了仿真与实验结果,并分析误差原因,得出该模型符合实际情况的结论,对改善系统工作环境及优化使用方法有重要意义。     

InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究

传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术。     

台面PN结InSb红外探测器响应时间研究

分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟(In Sb)红外探测器,实验制备了台面p~+-on-n结构的探测器。通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合。采用脉冲响应测试了In Sb探测器的响应时间(0.3μs),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距。     

低成本铅盐焦平面列阵

目前的中波红外探测器，如锑化铟、碲镉汞和硅化铂探测器，都需要使用昂贵的、笨重的和耗电的低温制冷器或者昂贵的多级热电制冷器。对于成本、功率、尺寸及可靠性都很重要的一些应用来说，这些探测器是不适合的。这些应用需要的是一种低成本的非致冷中波红外探测器。     

溅射条件对InSb薄膜方块电阻的影响

本文介绍了用射频溅射技术制备ＩｎＳｂ薄膜的方法，探索了溅射电压，工作气压，衬底温度及其片电压等条件对膜的特性和结构的影响，着重讨论了溅射条件对膜方块电阻的影响，并初步得出其变化规律。     

InSb磁阻型传感器在弱信号识别中的噪声抑制方法

洒文以ＩｎＳｂ磁阻型传感器在磁性油墨识别鉴伪点钞机中的应用为例，介绍了在较强干扰环境下提高信噪比的电路方法。文章讨论了ＩｎＳｂ磁阻型传感器的工作原理和利用电桥输入的差动大器抑制电源纹波和高频噪声的方法。并针对点钞速度给出了信号提取滤波器通频带的计算方法，以及在带内分离强干扰的实用电路。利用这些信号处理电路，可以大幅度地提高整机性能，或在满足信号识别性能前提下，降低ＩｎＳｂ传感器的指标要求。     

InSb磁敏传感器及其应用（上）

ＩｎＳｂ是一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，与其它半导体材料相比，具有较高的电子迁移率。因此，它不但适合制作霍尔器件和传感器，而且适合于制造磁敏电阻和传感器。本文简要介绍了ＩｎＳｂ材料的特点，磁敏感效应，各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。