InSb抛光片表面粗糙度分析

研究了影响InSb抛光片表面的粗糙度的因素,通过实验数据及理论分析,用化学机械抛光的方法有效的降低了InSb抛光片表面的粗糙度。     

量子阱晶体管研究获突破

英特尔公司与QinetiQ公司在基于锑化铟（InSb）技术的量子阱（quantum-well）晶体管的预研领域取得重大突破，有望将摩尔定律（Moore’s Law）的效用拓展到下一个十年。     

低成本铅盐焦平面列阵

目前的中波红外探测器，如锑化铟、碲镉汞和硅化铂探测器，都需要使用昂贵的、笨重的和耗电的低温制冷器或者昂贵的多级热电制冷器。对于成本、功率、尺寸及可靠性都很重要的一些应用来说，这些探测器是不适合的。这些应用需要的是一种低成本的非致冷中波红外探测器。     

InSb中杂质Cd的开管充氮箱法扩散

本文介绍了用于n-InSb上扩散Cd的开管充氮箱式扩散系统和工艺.该工艺是在总结硅器件箱法扩散特点的基础上,结合我们的具体情况设计研制出的,它具有自己的特色.通过试验得出Cd在InSb内的扩散系数D=D_0cxp(-AE/kT),其中D_0=4.22×10~(-4)cm~2/s,△W=1.38eV.     

我国红外探测器材料的研制概况

在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,以资比较。     

锑化铟光伏探测器中的应力感应漏电问题

用一个栅极可控二极管器件来研究外加应力对锑化铟(InSb)p~+/n光伏红外探测器的漏电影响。通过实验证实了外加应力与栅极之间在其对电流-电压(I-V)特性的影响方面是等效的。在p~+/n结附近,外加栅电压与感应电荷载流子密度之间引入一个显式解析关系式,并在液氮温度下、在一种栅电压和适宜应力下,利用瞬时测量I-V特性技术,取得了相当于某一给定应力下的局部感应表面及体内电荷载流子密度。对在压电-半导体器件中因栅电压或因应力感应所致的漏电位置也作了讨论。     

锑化铟凝视红外成象器件技术发展现状

本文描述在3～5μm光谱范围内工作的凝视红外成象系统用的单片128×128元锑化铟阵列。制作阵列只需4次光刻,与先前的设计相比,其响应率提高5倍,在同样大小晶片的产量可增加14个。这种较高的灵敏度表明能大大改进热成象。