径向间距对锑化铟磁阻式接近开关性能的影响

设计了基于锑化铟磁敏传感器的接近开关和信号处理电路,并对不同径向间距下接近开关性能进行了研究,分别分析了动作距离、复位距离以及差程与径向间距的关系.实验结果表明:径向间距为3 ～7 mm时,接近开关的动态性能良好,径向间距为4 mm时,接近开关性能最佳,动作距离高达8.14 mm,回差距离小于0.05 mm,重复定位精度小于0.04 mm.     

锑化铟磁阻式接近开关特性分析

介绍了锑化铟磁阻式接近开关的结构及工作原理,设计了信号处理电路,并对接近开关的动态特性进行了测试和分析.实验表明:该接近开关具有良好的动态特性,径向间距为4mm时,接近开关动作距离为8.13 mm,回差距离和重复定位精度分别不大于0.06 mm和0.04 mm.该接近开关灵敏度高,稳定性好,结构简单,成本低,可以规模化生产,用于铁磁性材料检测和控制.     

准全方位InSb-In磁阻式振动传感器

本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器.其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的InSb-In磁敏元件构成,将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间.经实测,磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件,输出信号相位差在00～1800之间,信噪比在30dB～32dB范围内.当温度-400C～800C之间变化时,信号处理电路输出稳定可靠.     

磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器

发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后,对脉冲变化的红外光的照射,它的输出信号增强了。采用灵敏度K1＝3．6,K2＝1．02（B＝0．3T）的两个磁阻元件,在B＝0．15－0．2T偏磁系统中,用峰值波长λp=940nm的红外光脉冲照射,可使输出电压比没有偏磁时增大3倍以上,输出信号电压（S）与本底噪声电压（N）之比为25：1（S／N＝28db)。     

锑化铟红外焦平面阵列制备技术

锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程。出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代。按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子注入技术和外延技术。目前国内成熟的光敏芯片成结技术为热扩散技术。国外主流厂家在热扩散、离子注入、外延工艺方面都已研发成熟,并投入实际生产。着重介绍了三种工艺技术的优缺点及配套的焦平面阵列结构设计。     

锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究

设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术,包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺,针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响, 改进后的工艺在脱水处理后 采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。     

锑化铟红外热像仪测温的大气修正计算

基于红外辐射理论,推导出了红外热像仪测温的基本公式;根据锑化铟的光谱响应度,计算出了锑化铟红外探测器的响应电流与被测物体真实温度的数值关系;进一步的计算出了在大距离上大气传输导致的红外热像仪的测温相对误差值.     

自积分型读出电路构成红外焦平面阵列的性能分析

针对自积分型读出电路和６４元线列ＩｎＳｂ红外探测器构成的焦平面阵列的性能,进行了分析、推导和计算,得出了焦平面阵列各项性能指标的表达式及其同探测器、读出电路参数之间的关系,并验证了部分结论。分析结果与其他几种形式读出电路构成的焦平面阵列有通用性。