短周期GaAs／AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

我们制备了Ｍ＝２，４，６和１０的一系列短周期（ＧａＡｓ）Ｍ／（ＡｌＡｓ）Ｍ厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱．对这些样品的光频介电函数港进行了分析，并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对Ｍ＝４，６和１０的超晶格样品作出的，并给出相应的介电函数谱曲线．在光子能量３．５～４．５ｅＶ范围的Ｅ１峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征，与理论计算结果相一致实验谱中的Ｅ１峰比理论谱要强些，不同Ｍ值的超晶格样品之间的Ｅ１峰之差异也大于理论结果。     

关于“P~ 注入硅损伤层的椭圆偏振术研究”一文的讨论

贵刊第2卷第2期刊登了钱佑华等的论文“P~( )注入硅损伤层的椭圆偏振术研究”.这工作及近年来我国的一些工作,采用椭圆偏振术对离子注入进行了研究.这些研究中,对实验结果的解释和分析,出现不同的看法和模型.我在这里对[1]文提出一些讨论意见,希望有助于工作的深入.     

用椭圆偏振光谱法研究溅射无定形硅的光学性质

利用椭圆偏振光谱仪测定了无定形硅在可见光范围的光学常数.对不同工艺条件下由射频溅射制备的无定形硅样品进行测量,获得了n-λ、k-λ关系的数据,并由此计算出光学能隙、介电常数和反射率.文中还比较和讨论了本实验结果与别人用反射率法测得的蒸发制备无定形硅的结果.     

光电子能谱研究表面氧对三种金属-GaAs(110)界面的影响

用紫外光电子能谱(UPS)和x光电子能谱(XPS)研究了十分之几单层(ML)的氧化学吸附在GaAs(110)清洁解理面后,对随后淀积的金属与GaAs所形成的界面的影响。实验表明,表面氧不仅在金属覆盖的初始阶段(少于0.2ML)阻止金属原子或成团金属与衬底的直接作用,而且在金属(包括贵金属银、金和活泼金属铝)覆盖量增加时,延滞了金属与衬底的混杂或直接作用,氧的存在又延迟了三维岛状结构的形成。虽然化学行径与铝不同的银和金在氧化的GaAs表面有不少相似,但从自旋轨道分裂峰出现的差异中,包隐着两种界面的差别。     

椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用

介绍了椭圆偏振光谱（ＳＥ）的原理,给出了椭偏仪在离子注入半导体的辐照损伤研究中的应用和局限。研究表明,结合其它分析手段并建立精细的椭偏模型。椭圆偏振光７谱能定量测量各层结构的厚度、成分、气孔率和光学常数。     

硅粗糙表面的椭偏法研究和改进的OL模型

测量了研磨-退火硅样品的椭偏光谱,用OL模型和有效介质理论进行分析,发现椭偏谱的差分既不完全符合OL模型又不完全符合有效介质理论.我们发展了OL模型,把OL模型和有效介质理论结合起来,提出了一种改进的OL模型,特征上较好地与实验结果符合.     

Te离子注入GaAs的穆斯堡尔谱研究

<正> 对GaAs注入施主型杂质离子Te(或Se,S),在高注入剂量下经高温退火后仍有大量注入原子不能电激活。过去,利用穆斯堡尔谱(简称MS)研究GaAs中Te有过一些工作。William-son等测量了LEP掺125Te的GaAs的MS,Schroyen等及Niesen等测量了129Te注入GaAs的MS,均发现经一定温度退火后GaAs中有相当多的Te不处在代位式。但对非代位式的原因有不同判断,曾提出过的模型有Ga2Te3沉淀、Te-空位组合体和TeASVGa对等。故此问题仍需进一步研究。     

C~+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较     

Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

用椭偏光谱仪首次在光子能量为2.15.2eV的范围内,测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO3(BST)薄膜的椭偏光谱.建立适当的拟合模型,并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质,用最优化法获得了所有样品的光学常数(折射率n和消光系数k)谱及禁带能Eg.比较这些结果,初步得到了BST薄膜的折射率n、消光系数k和禁带能Eg随退火温度变化的变化规律.     

Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

用椭偏光谱仪首次在光子能量为2．1－5．2eV的范围内,测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO3(BST)薄膜的椭偏光谱。建立适当的拟合模型,并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质,用最优化法获得了所用样品的光学常数（折射率n和消光系数k）谱及禁带能Eg比较这些结果,初步得到了BST薄膜的折射率n、消光系数k和禁带能Eg随退火温度变化的变化规律。