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用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致. 相似文献
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电信网络向下一代网络(NGN)演进是其发展的必然趋势,传统电信运营商只有顺应潮流才能不断发展。介绍了NGN在中国的试验情况,从业务需求、网络现状以及技术发展的角度分析了电信网络向NGN演进的必然趋势,讨论了传统电信运营商采用NGN所面临的几个问题,并对网络演进提出几点建议。 相似文献
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固定移动融合(FMC)在十年前就曾被提出来,近两年来,随着用户业务需求的不断提升,运营商为了走出所面临的困境,在固定移动融合方面做出了很多努力,同时,随着技术的进步和移动对固定替代的加速,FMC成为通信领域的研究热点. 相似文献
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