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在 1 5 K和 0~ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。 相似文献
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本文采用速率方程讨论了双区共腔双稳激光器获得超短光脉冲的方法及特点。结果表明,采用一般的电脉冲触发,利用双稳激光器的Q开关长延时特性,能够获得质量较高的超短光脉冲。 相似文献
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讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响.采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区,从而获得了980nm工作波长.设计和分析了InGaAs/GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构.多量子阱材料是用MOCVD系统生长,利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量,证明了器件结构的设计和分析是准确的. 相似文献
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讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 ,证明了器件结构的设计和分析是准确的 相似文献