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采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高电光转换效率,制备980nm波段发光器件及1×16列阵芯片,发射谱线半宽≤4.8nm,注入电流为50mA时,发射功率为0.7mW.对列阵芯片用探针进行在线检测,器件均有良好的发光特性.接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性,谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节.通过腐蚀器件顶部DBR的方法调节入射镜反射率,可以分别实现具有单片集成结构的谐振增强型发射和接收器件的优化设计. 相似文献
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研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系. 相似文献
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GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收,也影响多量子阱中光生载流子的漂移过程.光电流谱的线形用 P~-/n~+结的耗尽模型进行了分析,并计入了入射光强度在光传播过程中由于产生吸收跃迁而发生的衰减.光电流谱峰与激发光谱峰的斯塔克位移提供了多量子阱中电场分布的信息,并证明了耗尽区模型的正确性. 相似文献
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在测量较深能级和最浅能级两种情况时,导纳谱(DLAS)得到的速率值具有完全不同的含义.对于前者,DLAS和DLTS结果一致,给出能级的热发射深度。△Eem;对于后者,DLAS和Hall结果一致,给出能级的热平衡深度△E_(eq).当深中心的晶格弛豫很大时,这种区分十分重要.用DLAS和DLTS技术测量了LPE法生长的n-ca_(0.7)Al_(0.3)As:Te 中的具有复杂性质的DX中心,可以分辨两个能级,△E_(em)分别为~0.35eV和~0.20eV,△E_(eq)分别约为0.10eV和36meV. 相似文献
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亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器 总被引:4,自引:0,他引:4
报道了InGaAs应变量子讲垂直腔面发射激光器(VCSEL)的室温连续工作。在MBE生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡,实现了原位厚度监测;采用阶梯型分布布拉格反射器(DBR)及腐蚀倒台面结构,降低了器件串联电阻。对于2×3μm2的台面结构VCSEL,室温连续工作阈值电流一般为1.5mA,最低达到0.7mA,阈值电压为2.5伏,输出功率达到0.5mW,激射波长为0.94um,量子效率为12%。 相似文献
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倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵 总被引:2,自引:2,他引:0
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。 相似文献
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可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种可以实用的侧墙式GaAs量子线及其列阵结构.沿〔01-1〕方向腐蚀条形的(311)A衬底上,分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成.用光栅刻蚀方法,制备了横向周期为1μm、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵.阴极荧光谱研究表明:在5K下,发光主要来自量子线区域,在两侧的量子阱区域只有很弱的发光峰;认为低温下载流子主要束缚在量子线区域,在量子阱区域也有少量载流子被外延层涨落产生的局域态所束缚.随温度升高到85K以上直至室温下,只能观察到来自量子线区域的发光峰.这是由于束缚在量子阱局域 相似文献