X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用

本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果．     

GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究

在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。     

双区共腔双稳激光器超短光脉冲输出特性分析

本文采用速率方程讨论了双区共腔双稳激光器获得超短光脉冲的方法及特点。结果表明,采用一般的电脉冲触发,利用双稳激光器的Q开关长延时特性,能够获得质量较高的超短光脉冲。     

GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究

在研究GaAs/GaAlAs半导体激光器淬灭效应过程中,我们发现其中一种结构的淬灭型半导体激光器的输出表现为一对共轭的双稳特性,我们认为这种双稳现象是由共腔双波导模式淬灭效应引起的。     

GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱

通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子器件对材料的要求.     

GaAS/GaAlAs pnpn负阻激光器异质基区输运特性及载流子限制因子

本文从求解连续方程出发,分析了作者们参与研制的GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中含有双异质结激光器结构的晶体管异质基区的输运特性,讨论了各自的影响.求得了激射有源区中载流子限制因子的分析表达式.     

钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器

采用钨丝做掩模，进行倾斜的离子注入优化电流限制区，制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件。该器件的最低阈值电流为1．4mA，串联电阻约207Ω，输出光功率超过1mW。     

聚合物热光相移器件的研究及其应用

给出了垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性 ,调制特性用解析计算和电路模型模拟两种方法得到 ,解析计算和电路模型模拟的结果一致 ,实验证实了电路模型的正确性     

MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义．我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析，理论与实验得到了较好的吻合．     

垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性

给出了垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性,调制特性用解析计算和电路模型模拟两种方法得到,解析计算和电路模型模拟的结果一致,实验证实了电路模型的正确性.