GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱

在10K至292K温度范围内测量了GaAs/GaAlAs多量子阱结构的激子吸收谱.观察到轻、重空穴对应的激子吸收峰(LH和HH)及台阶状态密度.研究了轻、重空穴激子吸收峰的能量间隔及激子吸收峰的温度特性.发现多量子阱样品的LO声子展宽系数为6.1meV,比体GaAs的展宽系数略小.样品用国产MBE设备生长,采用化学选择腐蚀技术除去GaAs衬底.     

非对称法布里－伯罗腔光调制特性分析及高对比度GaAs／AlGaAs调制器

本文分析了非对称法布里－伯罗腔（ＡＳＦＰ）调制特性，得出了反射率为零的条件．设计生长了常通和常关两种高对比度反射式调制器件，测量了它们的电调制反射谱，理论与实验比较符合．     

亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器

报道了ＩｎＧａＡｓ应变量子讲垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的室温连续工作。在ＭＢＥ生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡，实现了原位厚度监测；采用阶梯型分布布拉格反射器（ＤＢＲ）及腐蚀倒台面结构，降低了器件串联电阻。对于２×３μｍ２的台面结构ＶＣＳＥＬ，室温连续工作阈值电流一般为１．５ｍＡ，最低达到０．７ｍＡ，阈值电压为２．５伏，输出功率达到０．５ｍＷ，激射波长为０．９４ｕｍ，量子效率为１２％。     

GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究

通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.     

倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵

报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。     

Mach-Zehnder型有机极化聚合物电光调制器

制备了一种以三层聚合物为波导材料的Mach-Zehnder型电光调制器,其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．主要制备工艺为：旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反应离子刻蚀．以1.3μm和1.55μm半导体激光器为光源,以光纤耦合输入脊波导调制器,从输出端得到很好单模近场图,其中从Y型两分支波导输出的光强基本相同．同时在示波器中得到清晰的调制信号．     

Mach-Zehnder型有机极化聚合物电光调制器

制备了一种以三层聚合物为波导材料的 Mach- Zehnder型电光调制器 ,其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料 .主要制备工艺为 :旋涂制备波导薄膜、电晕极化、光刻和氧反应离子刻蚀 .以 1.3μm和 1.5 5μm半导体激光器为光源 ,以光纤耦合输入脊波导调制器 ,从输出端得到很好单模近场图 ,其中从 Y型两分支波导输出的光强基本相同 .同时在示波器中得到清晰的调制信号 .     

RCE光电探测器顶部DBR的优化

对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型（简称RCE）光电探测器进行了物理分析和实验研究,由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同,通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR,改变顶镜反射率,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器,实现VCSEL与RCE探测器的单片集成．     

关于蒸煮锅内表面裂纹成因分析

对蒸煮锅内表面裂纹的产生原因进行了分析，提出了蒸煮锅的设计、制造特殊要求和定期检验重点。     

垂直腔面发射激光器的研究开发现状及其应用

由于人们对超长距离、超高速光纤网络和高性能、低成本光互连网以及光学存储密度不断提出更高的要求，从而诞生了垂直腔面发射激光器（VCSEL）。它具有常规半导体器不可替代的极其优良的性能，因此受到国内外科技界和企业 高度关注，一直蓬勃发展，在短短的12年间，其在结构、材料、波长和应用领域都到迅速发展，部分产品已进入市场，本文尝试对VCSEL的器件性能，开发现状及应用作一简要概述。