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41.
利用气相外延技术在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度CdZnTe衬底上的外延结果发现,CdZnTe衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>CdZnTe晶向的衬底,(111)Cd面CdZnTe衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面CdZnTe衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。 相似文献
42.
采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2. 相似文献
43.
离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进 总被引:1,自引:1,他引:0
高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻蚀角度和使用三栅离子源,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碲镉汞刻蚀图形的剖面轮廓并计算了深宽比.分析了这些工艺方法对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于获得高深宽比的离子束刻蚀沟槽的实验结果. 相似文献
44.
45.
简要分析路基与桥台连接处的沉降差,结合秦沉客运专线工程实例,介绍采用级配碎石处理路桥过渡段的施工工艺,检测标准和方法,提出使用该处理方法的优点。 相似文献
46.
以转炉钢渣为原料,通过高温重熔获得不同碱度渣样并开展H2O/CO2氧化试验,在获得H2/CO气体能源的同时改善渣样磁性,提升渣综合利用率。试验结果表明,随着碱度增加,析出主要物相从橄榄石到镁蔷薇辉石最终向硅酸二钙转变,与此同时,固溶在其中的RO相逐渐溶出。相同亚铁含量下,高碱度渣样能够大幅度改善氧化反应效率,碱度1.83渣样最高产气量为H2 (32.3 cm3/g)、CO (22.1 cm3/g),反应率分别达到了83.7%、57%,碱度1.13的渣样反应率分别仅为 40.5%、32%。氧化后的渣样磁选效率均有提高,碱度2.13渣样从14.85%增加到78.75%。 相似文献
47.
48.
49.
由于冷却油供油路中出油不均匀,使得油槽中存在大量漩涡或空气,造成轴瓦上半部分的油膜无法形成或形成不均匀,从而在运行过程中产生了油膜压力波动。同时,由于轴瓦轴向摆动的灵活性较差,轴瓦上半部分与滑转子间隙较小,轴瓦只有上半部分与滑转子接触,致使轴瓦表面单位面积受力过大。上述两种原因造成的瓦面上半部分应力幅值增加,使轴瓦产生了疲劳破坏。为此,利用光学显微镜和直读光谱仪对轴瓦巴氏合金的组织和成分进行了分析,在此基础上,提出了适宜的改进措施。实践表明,轴瓦金相组织中再无区域性偏析、聚集和组织分层现象出现,Cu6Sn5分布均匀,Sn Sb未发生区域性偏析,组织形貌与两种硬相Sn Sb和Cu6Sn5的总量符合要求。通过对轴瓦衬垫结构进行改进,使得轴瓦摆动的灵活性加大,轴瓦和滑转子之间形成了稳定的油膜,从而使轴瓦受力均匀,运行平稳。 相似文献
50.
随着人们对城市生态环境的要求逐渐提高,发展园林城市已是大势所趋?在园林城市的建设过程中,园林植物与园林建筑的配置就成了当前亟待解决的问题,其处理方式是否科学合理,直接决定了当前园林建筑与园林植物的发展程度?本文通过对园林建筑与园林植物配置的深入研究,并就园林建筑如何进行植物配置进行了详细论述? 相似文献