ECR-CVD方法生长a-SiNx:H薄膜的研究

使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4 80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性.结果表明:随着NH3流量的增加,氮化硅薄膜的生长速率呈下降趋势,这主要是由于等离子体中的气相前驱成分之一硅基团浓度的不断下降所导致的;随着NH3流量的增加,薄膜中键合了较多的具有较高电负性的N原子是Si-N和Si-H伸缩振动发生蓝移的主要原因.红外光谱的定量计算表明所制备的氮化硅薄膜具有相对较低的H浓度,约15%左右.文中对氮化硅薄膜的生长机制也进行了讨论.     

SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征

本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1波数向820 cm-1波数移动,拉曼光谱中出现了较明显的波数为480 cm-1的非晶硅的TO声子峰;实验发现,使用NH3作为前驱体所制备的膜中较N2具有更低的H含量;SiNx薄膜的光学带隙和折射率可以通过前驱体的流量比进行调制,实验结果表明光学带隙随着Si:N比率的增加而明显降低,从5.0 eV变化到2.5eV,而折射率则从1.9变化到2.2左右.     

沉积温度对a-C:F薄膜结构与热稳定性的影响

在不同的沉积温度下，利用CHF3和C2H2为气体源，在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(-C：F)薄膜，为了研究其热稳定性，薄膜在500℃的真空中作了退火处理。测量了退火前后其电学、光学性质的变化，使用FFIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温度的变化，分析了性质同结构之间的关联。结果表明，在高的沉积温度下制备的薄膜中的F／C比较低，CF2和CF3键成分较少而以CF键成分为主，其交联程度高，因而具有较好的热稳定性。     

使用ECR苯等离子体沉积含氢非晶碳薄膜

用苯作工作气体。在一个电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ）．对苯等离子体作了质谱分析,发现苯分解后形成的主要基团是Ｃ２Ｈ４等,而不是常规甲烷放电的ＣＨ３。这将影响膜的结构。实验中还考察了沉积参数,如功率、气压、流量、基片温度对膜的沉积速率的影响。实验表明：沉积速率随微波功率、气压和流量的增加而上升;随温度的升高先升后降,存在极值,对制备的膜作了氢含量     

众包系统中基于双向拍卖的诚实多任务分配机制

现有的众包任务分配模型大都假设仅存在一个任务请求者,难以满足存在多个任务请求者的应用场景.因此,该文假设众包系统中存在多个任务请求者,且每个任务请求者或工人在每轮任务分配中可以请求或完成多个任务,并在此基础上设计了适用于众包系统的双向拍卖机制,以激励众包任务被高效地完成.首先,将对多个任务感兴趣的工人抽象为多个虚拟工人,以低报价优先匹配原则,设计了一个高效任务分配机制;根据统一定价原则,为其设计了诚实的定价机制.然后,通过理论分析,证明了所设计的机制可以满足诚实性、个体理性以及收支平衡这3项经济学特性.最后,通过仿真实验结果验证了所设计机制的有效性.     

锂离子电池高电压正极材料LiNi0.5Mn1.5O4的铬氧化物表面包覆研究

LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4材料由于其高压放电平台、高能量密度、低成本和环境友好等特点备受关注。本文针对LiNi_(0.5)Mn_(1.5)O_4与电解液间存在的界面副反应等问题,采用表面包覆铬氧化物的方法对其进行改性。系统研究了铬氧化物包覆量对材料电化学性能的影响,其中以Cr为1.24wt.%的铬氧化物包覆的材料具有优异的倍率性能,在大电流5C下的比容量为107mAhg~(-1),明显高于未包覆材料(75mAhg~(-1))。电化学阻抗图谱表明,铬氧化物包覆能够有效降低材料表面的电荷转移阻抗。     

Abnormal Enhancement of N2+ Emission Induced by Lower Frequency in N2 Dual-Frequency Capacitively Coupled Plasmas

Nitrogen dual-frequency capacitively coupled plasmas(DF-CCPs) with different frequency configurations,i.e.,60/2 MHz and 60/13.56 MHz,are investigated by means of optical emission spectroscopy(OES) and a floating double probe.The excited nitrogen molecule ion N + 2(B) is monitored by measuring the emission intensity of the(0,0) bandhead of the first negative system(FNS) at 391.44 nm.It is shown that in the discharge with 60/13.56 MHz,the N + 2 emission intensity decreases with the increase in pressure.In the discharge with 60/2 MHz,however,an abnormal enhancement of N + 2 emission at higher pressure is observed when a higher power of 2 MHz is added.Variation in the ion density shows a similar dependence on the gas pressure.This indicates that in the discharge with 60/2 MHz there is a mode transition from the alpha to gamma type when a higher power of 2 MHz is added at high pressures.Combining the measurements using OES and double probe,the influence of low frequency on the discharge is investigated and the excitation route of the N + 2(B) state in the discharge of 60/2 MHz is also discussed.     

ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜的结构与介电性质

使用80％Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利肝微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx／a-C：F／SiOx多层膜。傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实。热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8％。实验结果表明了ECR-CVD制备的SiOx／a-C：F／SiOx多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料。     

前驱气体CH_4、N_2的流量比对CH_x膜Raman谱的影响

沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的。本文着重探讨了ＣＨ４、Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用了Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。