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提出了一种新型的Schottky体接触结构 ,能够有效抑制部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应 .这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+ p结和二次侧墙 ,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现 .模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOInMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应 ,漏端击穿电压也有显著提高 .这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积 ,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容 . 相似文献
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对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm. 相似文献
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正The polysilicon p-i-n diode displays noticeable process compatibility and portability in advanced technologies as an electrostatic-discharge(ESD) protection device.This paper presents the reverse breakdown,current leakage and capacitance characteristics of fabricated polysilicon p-i-n diodes.To evaluate the ESD robustness,the forward and reverse TLPⅠ-Ⅴcharacteristics were measured.The polysilicon p-i-n diode string was also investigated to further reduce capacitance and fulfill the requirements of tunable cut-in or reverse breakdown voltage. Finally,to explain the effects of the device parameters,we analyze and discuss the inherent properties of polysilicon p-i-n diodes. 相似文献
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硅基有机发光微显示像素驱动电路设计 总被引:1,自引:1,他引:0
由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路. 相似文献