陕南小城镇安置社区地域适应性评价模型与应用研究

2011年,陕西省委省政府对陕南三市深受自然灾害和贫穷困扰的240万群众实施移民搬迁,安置社区的建设成为了搬迁中的重心工作之一。本文以陕南小城镇安置社区为研究对象,建立地域适应性评价模型,运用层次分析法计算评价因子权重并综合各层因子评价标准的判断得出结果。通过分析评价结果,为社区策划与设计提供思路与建议。本研究初步构建一套基于陕南小城镇安置社区的评价标准,以促进安置社区的建设,并帮助居民提高其对社区实际策划、设计、管理的认知。     

伺服转台智能PID复合控制算法研究

伺服转台大多采用间接驱动方式,以减速机作为传动装置,针对该系统具有间隙、摩擦等非线性特征,以位置环作为研究对象,引入复合控制的思想,提出了一种智能PID控制算法,可根据误差大小和运动趋势来改变P、I、D三个参数值,从而有效的对转台伺服系统的转轴进行实时控制。实验结果表明该算法响应速度快,跟踪性能好,抗外界干扰能力强,可较好地提高控制精度。     

一种模糊PID控制器在BLDCM系统中的应用

直流无刷电机(Brushless Direct Current Motor,BLDCM)控制是电机控制中的重要问题之一,将一种模糊PID控制器用于直流无刷电机BLDCM控制,PD型模糊控制器的输出信号作为模糊PID控制器积分环节的输入信号,利用模糊PID控制器能够自适应地调节PID控制参数的性能,实现对BLDCM控制系统运行控制。仿真实验结果表明,与一般PID控制器相比,模糊PID控制器控制下的BLDCM电磁转矩输出脉动幅值较小,转矩信号变化稳定,系统输出电流波动频率降低。     

GB/T33541-2017《珠宝玉石及贵金属产品抽样检验合格判定准则》

<正>近年来,我国珠宝玉石产业的市场潜力大,发展环境好,增长速度快,但是存在的问题也比较多,市场竞争尚需规范,标准化建设有待完善。为了培育和规范珠宝玉石首饰市场,我国相继出台了_系列国家或行业标准,例如《珠宝玉石名称》《珠宝玉石鉴定》《钻石分级》等,但是对珠宝玉石首饰行业的质量核查仍存在漏洞,因此,2017年3月9日发布的GB/T 33541-2017《珠宝玉石及贵金属产品抽样检验合格判定准则》     

基于CMOS数字工艺的低噪声传感器接口电路

设计了一种应用于超低频率的低噪声MEMS传感器接口电路。该电路利用斩波技术降低1/f噪声,并利用MOS电容替代模拟无源元件等方法,使之与数字工艺相兼容。采用CSMCCMOS 0.5μm 2P3MCMOS工艺,实现了增益为36dB的读出电路。该电路的等效输入噪声功率谱密度为13μV/(Hz)~1/2,3阶交调失真为-33.6dB。电路的功耗为10mW。     

一种红外焦平面读出电路数字模块的设计

介绍了一种红外焦平面读出电路数字模块的设计与实现。该模块可以提供系统正常工作所需的时序,包括行选列选、采样保持等。此外,该模块还可以进行输出模式的切换,实现多路输出,提高输出帧频。介绍了多路输出的Verilog算法、电路的整体结构和时序,并给出了整个系统的仿真结果。设计的模块采用华润上华CSMC 0.5μm DPTM单阱CMOS工艺流片成功,验证了设计的正确性。测试结果表明,对64×64的阵列,四路输出时,输出帧频可以达到240fps,可应用于车辆夜视领域。     

陈大鹏:中国服装产业未来更加美好

回顾与展望,在这样一个全新的时间节点,中国服装产业经历了怎样的发展,又将走向何方?作为中国服装协会会刊,本刊专访了中国纺织工业联合会副会长、中国服装协会会长陈大鹏。中国服饰:您如何评价2020年中国服装行业发展总体情况?受疫情影响,行业经历了怎样发展,有哪些发展亮点?陈大鹏:整体而言,面对全新的发展环境和疫情压力,2020年我国服装行业依然呈现出敢于面对挑战、勇于创新发展的昂扬面貌和态势,这是我国服装行业持续发展宝贵的精神财富。     

固井工具自动试压系统的研制

在我国,目前都是采用固井水泥车等简易试压系统在各大油田固井工具试压,这是一种没有安全防护设施的试压方式,其过程中存在安全隐患,压力测试和记录也不方便。由此我们研制了固井工具自动试压系统。这个系统能自动检测固井工具的密封性能和抗压强度,有效地改善了国内各油田固井工具试压系统设备简陋,及不安全的隐患。系统由计算机远程监控,实现了固井工具压力测试,数据采集与校正整体运作。实践证明,该系统是固井作业最安全有效的先进检测装置之一。     

TiN/TaN 厚度变化对nMOSCAP栅叠层有效功函数的影响

We evaluated the TiN/TaN/TiA1 triple-layer to modulate the effective work function （EWF） of a metal gate stack for the n-type metal-oxide-semiconductor （NMOS） devices application by varying the TiN/TaN thickness. In this paper, the effective work function of EWF ranges from 4.22 to 4.56 eV with different thicknesses of TiN and TaN. The thinner TiN and/or thinner in situ TaN capping, the closer to conduction band of silicon the EWF is, which is appropriate for 2-D planar NMOS. Mid-gap work function behavior is observed with thicker TiN, thicker in situ TaN capping, indicating a strong potential candidate of metal gate material for replacement gate processed three-dimensional devices such as FIN shaped field effect transistors. The physical understandings of the sensitivity of EWF to TiN and TaN thickness are proposed. The thicker TiN prevents the A1 diffusion then induces the EWF to shift to mid-gap. However, the TaN plays a different role in effective work function tuning from TiN, due to the Ta-O dipoles formed at the interface between the metal gate and the high-k layer.