柠檬酸对氯氧镁水泥的改性

为了拓宽氯氧镁水泥(MOC)在建筑、道路等行业的应用,向MOC中掺入柠檬酸,分析了柠檬酸对MOC抗压强度、耐硫酸盐侵蚀性、耐水性、相组成、热稳定性、凝结时间和微观形貌的影响。结果表明:MOC中掺入柠檬酸提高了水化产物5相含量和耐水性;降低了MOC的抗压强度、热稳定性及总孔隙率;延长了MOC的凝结时间。此外,掺入柠檬酸的MOC浸泡在硫酸钠溶液28 d后提高了MOC的耐水性,MOC强度保留系数达到0.8。     

锂离子电池Si@G负极材料的制备及性能研究

采用化学气相沉积法,制备了石墨烯厚度可控的硅@石墨烯核壳结构复合材料。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和恒电流充放电等表征,研究了石墨烯厚度对复合材料形貌、结构以及电化学性能的影响。研究结果表明:更厚的石墨烯壳层,虽然会降低复合材料的比容量和首次库仑效率,但是可以显著提高电化学稳定性。当石墨烯壳层约为12 nm厚时,40次循环后充电比容量达到1 069.8 m Ah/g,循环保持率为81.2%,而纯Si样品仅为23.5%。这归因于石墨烯对硅体积效应的缓冲及其优异的导电性能。     

基于金属基复合材料的硅通孔热应力仿真分析

硅通孔(TSV)技术是三维集成电路中的关键技术,对信号传输以及热量的传导起到关键的作用,其热可靠性的问题一直都是研究热点。基于Comsol Mulitiphsics平台,通过有限元仿真分析,研究了金属基复合材料对TSV热应力的影响。并进一步研究了在不同通孔直径以及不同TSV高度下,碳纳米管(CNTs)、碳纳米管铝(CNTs/Al)以及碳纳米纤维铜(CNFs/Cu)等复合材料和传统金属材料的等效热应力情况。结果表明:与传统金属材料相比,金属基复合材料CNTs/Al以及CNFs/Cu均能有效降低TSV的热应力,提高TSV的热可靠性;并且对于CNTs含量不同的金属基复合材料,其TSV的等效热应力也会有所不同,需综合考虑合理选择CNTs的含量。     

不同屏蔽措施对电磁干扰抑制的研究

开关器件对地寄生电容是共模电流流通的主要路径,产生的传导EMI会对设备形成不利影响。以充电机水冷散热器为例进行分析,利用金属静电屏蔽特性采取两种措施降低电磁干扰。一种是在开关器件与散热器之间的导热硅脂间插入一接直流0 V地的金属层;另一种是对水冷散热器结构进行改造,将金属水箱分为两部分,利用绝缘密封安装槽连接这两部分,其中一块金属水盖接到直流0 V地上,另一块水盖通过机壳接地。仿真结果表明采用所述方法均能有效地抑制传导共模电流,而后一种方法能达到更好的效果。     

李家峡水电站泄水道缺陷修复处理

李家峡水电站上游来水丰富,汛期泄水历时长,泄水量大,运投多年后出现泄水道底板、边墙多处冲蚀破坏。针对泄水道缺陷原因和修复施工效果的评析,优化选择了微膨胀防裂硅粉混凝土、环氧砂浆和胶泥等修复材料。根据修复后泄水道运行情况,表明本工程选择的泄水道缺陷修复方案、材料及施工工艺可在高海拔、高水头、高流速的类似工程中推广应用。     

合成条件对电解锰渣制备水化硅酸钙的溶解性能与溶解动力学的影响

系统研究了由电解锰渣制备水化硅酸钙(C-S-H)材料过程中反应pH值、反应温度、晶化时间等因素对合成C-S-H材料的溶钙性能与溶解动力学的影响。结果表明,C-S-H材料的溶钙性能与溶解动力学与反应制备过程中反应pH值、反应温度、晶化时间等因素紧密相关,在反应pH值为12.0、反应温度为100℃、晶化时间为10 h的条件下制备所得的C-S-H材料溶钙能力最强,溶出钙离子浓度为11.52 mg/L,溶钙速率常数为0.076 54,C-S-H材料在水溶液中的钙溶出过程符合Avrami型溶出动力学模型。     

快速凝固高硅铝合金加热过程中的组织转变

利用气雾化法制备高硅铝合金粉末,采用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)等现代测试手段,分析快速凝固高硅铝合金不同粒度粉末微观组织和结构特征,研究在不同加热温度和保温时间条件下针状富铁相的转变特性及β-Si相的粗化行为。结果表明:快速凝固高硅铝合金组织主要以基体上分布有大量细小的颗粒状和针状相为特征,合金粉末在加热过程中,随着温度的升高和保温时间的延长,颗粒β-Si相有粗化趋势,针状非平衡富铁相转变为棒状或颗粒状平衡相。通过台阶式连续加热模拟试验可获得针状相基本消失且颗粒β-Si相未发生明显粗化的组织。     

基于端面耦合的InP基激光器/硅光波导混合集成技术研究

针对硅光子集成回路缺少实用化光源的问题,提出了一种1.55μm波段InP基FP激光器芯片、InP基PIN光电探测器芯片与硅光波导芯片集成模块的设计与制备方法。使用CMOS工艺兼容的硅光无源器件制备工艺,设计并制备了倒拉锥型端面耦合器,与锥形透镜光纤耦合效率为36.7%。采用微组装对准技术将激光器芯片与硅波导芯片耦合、UV固化胶固化后耦合效率为35.8%,1 dB耦合对准容差横向为1.2μm,纵向为0.95μm。