全文获取类型
收费全文 | 5895篇 |
免费 | 472篇 |
国内免费 | 226篇 |
专业分类
电工技术 | 405篇 |
综合类 | 378篇 |
化学工业 | 841篇 |
金属工艺 | 406篇 |
机械仪表 | 395篇 |
建筑科学 | 561篇 |
矿业工程 | 309篇 |
能源动力 | 100篇 |
轻工业 | 593篇 |
水利工程 | 199篇 |
石油天然气 | 320篇 |
武器工业 | 52篇 |
无线电 | 676篇 |
一般工业技术 | 379篇 |
冶金工业 | 253篇 |
原子能技术 | 65篇 |
自动化技术 | 661篇 |
出版年
2024年 | 45篇 |
2023年 | 175篇 |
2022年 | 179篇 |
2021年 | 195篇 |
2020年 | 226篇 |
2019年 | 261篇 |
2018年 | 264篇 |
2017年 | 124篇 |
2016年 | 143篇 |
2015年 | 227篇 |
2014年 | 432篇 |
2013年 | 318篇 |
2012年 | 341篇 |
2011年 | 359篇 |
2010年 | 358篇 |
2009年 | 352篇 |
2008年 | 290篇 |
2007年 | 317篇 |
2006年 | 292篇 |
2005年 | 239篇 |
2004年 | 294篇 |
2003年 | 242篇 |
2002年 | 162篇 |
2001年 | 151篇 |
2000年 | 162篇 |
1999年 | 111篇 |
1998年 | 64篇 |
1997年 | 54篇 |
1996年 | 50篇 |
1995年 | 28篇 |
1994年 | 26篇 |
1993年 | 25篇 |
1992年 | 21篇 |
1991年 | 15篇 |
1990年 | 16篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1974年 | 2篇 |
1973年 | 1篇 |
1972年 | 2篇 |
排序方式: 共有6593条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
具有间隙约束条件模式匹配问题是序列模式挖掘问题的基础与核心.无重叠模式匹配是其中的一种方法,当前研究是在间隙为正的精确模式匹配,为了进一步增加匹配的灵活性,本文探索了一般间隙近似无重叠模式匹配问题.本文提出一种有效的求解算法,该算法首先将问题转化为网树;然后为了有效地避免可行解丢失,提出近似监测机制以解决该问题;采用迭代搜索最左孩子策略的方式寻找无重叠出现;之后在网树上剪枝找到的无重叠出现,并迭代上述过程直至没有新的无重叠出现产生.最后本文理论分析了算法的空间复杂度和时间复杂度.大量实验结果验证了本文算法具有较好的求解质量及求解效率. 相似文献
992.
993.
994.
针对无人机在动平台起降时对导航系统提出的导航精度高,解算无人机与动平台降落点的相对定位精度高,体积小及质量小等要求,该文基于捷联惯性导航(SINS)、北斗动动载波相位差分(RTK)技术及采用卡尔曼滤波多源导航信息融合技术,研制了动平台起降无人机导航系统。试验结果表明,系统地理系导航精度:航向≤02°(1σ(σ为方差)),姿态≤0.15°(1σ),水平定位≤0.4 m(1σ), 高度≤0.8 m(1σ);动态下导航系统与移动基准站相对精度:水平定位≤0.05 m(1σ),高度≤0.1 m(1σ)。飞行试验表明,导航系统满足无人机在动平台起降对导航精度的要求。 相似文献
995.
首先分别利用直流电学法、脉冲电学法和微区拉曼光谱法测量了晶格匹配InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度,然后评估了各类评估方法的准确性。结果表明:直流电学法获得的温度值远低于拉曼光谱法,严重低估了HEMT工作时的沟道温度;脉冲电学法获得的温度值有所提升,但受限于水平空间分辨率,平均了源极-漏极之间的温度;微区拉曼光谱法能够准确获得沟道最高温度,但测量过程复杂,不适合评估封装器件。最后,提出了一种基于微光显微镜(EMMI)技术的微光电学法,获得了沟道温度的三角分布关系,得到了与拉曼光谱法一致的实验结果。该评估方法适合于实际生产。 相似文献
996.
在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性。结果表明,在极小电流区(I<1×10-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿。由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加;光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱。在极低温度下(T~40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱;随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加。 相似文献
997.
筒体轴向斜接管区应力状况考察 总被引:1,自引:0,他引:1
对筒体轴向斜接管区的应力分布状况用电测法进行了实验研究。考察了接管轴线与筒体表面法线间夹角ψ、接管外径 d0 、接管壁厚和筒体厚度比 t/ T等结构参数对应力集中系数 K的影响。 相似文献
998.
999.
1000.