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1.
微波介质陶瓷及器件研究进展   总被引:53,自引:9,他引:44  
杨辉  张启龙  王家邦  尤源  黄伟 《硅酸盐学报》2003,31(10):965-973,980
现代移动通信、无线局域网、全球卫星定位系统等技术的革新,对以微波介质陶瓷为基础的微波电路器件提出了更高的要求,各种微型化、高频化、片式化、模块化的新型微波介质陶瓷器件及相关介质陶瓷得到迅速发展。综述了近几年在高介电常数、高频、低温烧结微波介质陶瓷方面的进展,对不同材料体系的离子取代、离子置换、低熔点烧结助剂对微波介质陶瓷结构、介电性能的影响进行了分析讨论。概述了介质谐振型、叠层型、功能模块型微波介质陶瓷器件的研究和生产情况,重点论述了与低温共烧技术相关的介质陶瓷、器件及模块的进展,探讨了材料特性、微波器件结构与微波特性之间的关系,并指出了今后微波介质陶瓷及器件的发展方向。  相似文献
2.
陶瓷基复合材料天线罩制备工艺进展   总被引:24,自引:2,他引:22  
天线罩是高超音速寻的制导导弹前端的重要部件,必须具有防热、透波、承载等多种功能。介绍了高超音速导弹天线罩候选材料二氧化硅、氮化硼和氮化硅的基本性能,综述了颗粒增强、纤维增强和叠层结构的陶瓷基复合材料天线罩的制备工艺与力学、介电性能,分析了陶瓷基复合材料天线罩研究存在的问题,指出了发展方向。  相似文献
3.
PZT/P VDF 压电复合材料的制备及其性能研究   总被引:24,自引:9,他引:15       下载免费PDF全文
用氧化物一步合成法制备了PZT 粉末, X 射线衍射测试结果显示, 它是Zr/T i 为52∶48 的纯四方钙钛矿型结晶相, 并用SEM 观察了PZT 粉末的形貌; 用热分析仪测试了PVDF 的固化温度; 在自制模具上采用模压/烧结工艺获得了六种含PZT 不同体积含量的PZT/ PVDF 复合材料; 对其介电性和压电性的测试表明, 随着PZT体积含量的增加, 电性能参数呈非线性增大, 当PZT 的体积份数超过70% 时, 介电常数E和压电常数d33值迅速增加, PZT 体积份数达到90% 时, 其电性能参数与纯PZT 值接近, 但此时复合材料的脆性较大, 已没有实用价值。  相似文献
4.
热固性聚苯醚树脂在高频印制电路板上的应用   总被引:20,自引:2,他引:18  
霍刚 《中国塑料》2000,14(5):14-22
介绍了高频印制电路板基材的介电性能要求和热固性聚苯醚树脂基材的制备 ,详细讨论了制备热固性聚苯醚树脂的两条技术路线及其树脂体系的特性 ,以及热固性聚苯醚树脂基覆铜板的特性 ,并简要介绍了热固性聚苯醚树脂基覆铜板的应用情况。  相似文献
5.
低温燃烧合成钛酸钡及其陶瓷介电性能研究   总被引:20,自引:4,他引:16  
低温燃烧合成钛酸钡粉体的工艺是一种能够直接在低温合成四方相纳米钛酸钡粉的方法。在硝酸盐和柠檬酸体系中,以推进剂化学为理论依据,实验得出各反应物间的最佳摩尔配比,考察了前驱体溶液pH值等对反应过程和最终产物的影响。应用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜等对粉体的结构、形貌进行了分析。结果表明:在约250℃点火燃烧合成生成晶粒度在50nm以下无杂质相的四方相钛酸钡粉。同时对纯钛酸钡陶瓷的介电性质进行了研究,结果得到高介电常数的BaTiO3陶瓷,其Curle温度为129.32℃,峰值为10870。  相似文献
6.
共聚改性氰酸酯树脂及其性能   总被引:20,自引:0,他引:20  
利用环氧树脂和双马来酰亚胺树脂做改性剂,对氰酸酯树脂进行共聚改性,通过对粘度的测量描述了共聚树脂的固化反应情况。性能测试表明内聚改性氰酸酯树脂的冲击强度比纯氰酸酯树脂自聚体提高了2倍多,可达12.3kJ/cm^2,热变形温度高达235℃,并具有优异的介电性能,如10kHz 介电常数为2.25,介电损耗角正切<10^-4。共聚树脂中的配比和固化条件对性能有影响。  相似文献
7.
环氧树脂改性研究进展   总被引:15,自引:1,他引:14  
本文从35篇以参考文献综述了国内环氧树脂在提高绝缘性、提高耐湿热、增韧增强和提高阻燃改性等方面的最新研究进展,并对改性环氧树脂的优缺点和改性机理进行了探讨。  相似文献
8.
微波介质陶瓷的研究现状与发展趋势   总被引:13,自引:2,他引:11  
微波介质陶瓷是现代通信技术中关键基础材料,它的应用越来越受到人们的重视。介绍了低介电常数、中介电常数、高介电常数三类微波介质陶瓷的研究现状,并根据材料设计的思想对高性能微波介质陶瓷的发展趋势进行了探讨。  相似文献
9.
BaTiO3烧结陶瓷的微结构及介电性能研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
以超重力反应沉淀法制得的纳米BaTiO3为初始粉体,在不同温度烧结得到BaTiO3陶瓷。分别用SEM和阻抗分析仪测试陶瓷微结构和介电性能。结果表明:陶瓷微结构尤其晶粒尺寸对陶瓷介电性能影响极大;烧结温度低于1250℃时得到细晶粒陶瓷(d=300~400nm),表现出明显的低介电常数和相变弥散的特征;烧结温度达1250℃时得到陶瓷超出细晶粒陶瓷范围,烧结温度为1300℃时,得到陶瓷晶粒尺寸为3~4μm,室温介电性能优于粗晶粒陶瓷。  相似文献
10.
晶粒尺寸对Ba0.80Sr0.20TiO3陶瓷介电铁电特性的影响   总被引:11,自引:4,他引:7  
杨文  常爱民  杨邦朝 《硅酸盐学报》2002,30(3):390-392,397
利用微波烧结技术和传统烧结技术制备了晶粒尺寸在0.8~15μm的Ba0.80Sr0.20TiO3陶瓷,并对样品的介电特性和铁电特性进行了测试,分析了晶粒尺寸对材料介电和铁电性能的影响,实验结果表明,微波烧结技术可以有效地控制Ba0.80Sr0.20TiO3陶瓷的晶粒尺寸,晶粒尺寸降低,材料的介电常数大幅度提高,弥散指数降低,在外电场作用下,材料介电常数呈现明显的非线性效应,晶粒尺寸的大小对非线性效应产生影响,随晶粒尺寸的降低,材料的矫顽电压,剩余极化和自发极化都有所提高。  相似文献
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