600MW机组锅炉后屏过热器泄漏原因分析和预防

某电厂600 MW直接空冷机组锅炉后屏过热器泄漏停机处理完成后启动再次泄漏.通过检查和分析,后屏过热器第1次泄漏是由于异种钢焊口焊接质量差,第2次泄漏是由于第1次泄漏停机后未采用热炉带压放水和第2次启动过程中操作不当,导致后屏过热器形成水塞,造成局部短时过热爆管,并提出了消除方法和预防措施.     

InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心

应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。     

南京长江漫滩区软硬不均地层盾构掘进关键技术

结合南京地铁3号线TA03标京新村站-泰冯路站区间土压盾构施工工程实例，通过分析土压盾构在长江漫滩区软土和软硬不均地层的施工重难点及掘进应对措施，最大限度防止地表沉降、结泥饼和喷涌及降低刀盘异常磨损来提高掘进效率、降低施工成本，为后续在类似典型地层中盾构施工提供借鉴和参考。     

VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

一种高精度欠压保护电路的研究与设计

文章分析了常用欠压保护电路的设计原理及特点,根据实际需求和常用电路存在的不足,设计了一种改进型的高精度欠压保护电路方案,通过验证确定欠压保护电路原理的可行性。     

两种热电分离式基板导热性能的对比研究

基于热电分离式设计理念，开发出FR4/Cu与FR4/AlN两种高导热散热基板，并利用SMT工艺将13Ｗ的Osram S2W型LED灯珠分别与上述两种散热基板焊接后组装成LED模组，利用半导体制冷温控台恒定散热基板底部温度后，使用结温测试仪对LED的结温进行了测试，同时借助直流电源和积分球分别对LED的总功率和光功率进行了测量后得到了模组的热功率值。最后根据LED结温测试结果与热功率值计算得出了模组的热阻值，并在此基础上对两种基板的散热性能进行了对比研究。结果表明，FR4/AlN基板的散热性能较之FR4/Cu基板稍逊，当使用FR4/Cu基板散热时，LED的结温和热阻分别是49.72 ℃ 、2.21℃ /Ｗ，当使用FR4/AlN基板散热时LED的结温和热阻分别是51.32 ℃、2.32℃/Ｗ。     

新钢11号高炉炉身顽固结厚原因分析及控制

分析了新钢11号高炉炉身中上部结厚5年多,结厚物的形态变化和形成机理,通过深料线操作、布料矩阵调整、增加鼓风量、优化用焦结构、提高铁水温度、振动筛改造等日常操作手段保证了高炉生产的稳定顺行并成功将结厚物脱落,为今后如何抑制高炉炉身结厚指明了方向.另外,描述了结厚物脱落时高炉炉况、炉衬及冷却壁温度、渣铁成分等方面变化,为今后出现同类炉况提供了判断依据,方便高炉操作者及早发现,及早采取措施,避免炉凉等异常炉况出现,减少经济损失.