新型多功能漏电保护器芯片的设计

利用数模混合信号CMOS工艺实现了一种新型漏电开关保护器芯片.与传统的模拟电路保护芯片相比,这一芯片充分利用了数字电路带来的好处:降低了功耗,采用"定时延"方法大大提高了保护控制的精度,集成了电源的过压、过载保护功能以及自动重合闸功能,提供了适应不同应用环境的可编程性,同时对每一个输入的漏电信号都进行有效性检测,减小漏电保护器的误触发率,提高了抗干扰能力.     

一种新型低功耗多功能漏电保护器芯片的设计

提出了一种新型漏电保护芯片,使用0.6μm CMOS工艺、数模混合信号设计.与传统的漏电保护芯片相比,该设计功耗低(10mW),数字延时响应确保控制保护的精确性,且实现了多功能集成(如漏电/过压/过流的检测与保护,自动切换).此外通过可编程端,该芯片可以用在三级保护的不同场合,同时运用数字电路对输入信号的检测,提高了芯片的抗干扰性.     

一种1.8 V低功耗2 GHz预分频电路的设计

描述了一个应用于高集成度2 GHz频率综合器的预分频电路的设计,预分频电路中D触发器采用了源极耦合逻辑电路结构,可以提高电路工作频率,同时有效减小开关噪声和电路功耗.预分频电路采用TSMC 0.25 μm IPSM CMOS工艺实现,Spectre仿真表明,在1.8 V的电源电压下,经过优化的预分频电路能够在各种工艺条件和温度下正常工作,整体功耗为6.2 mw(单个D触发器功耗仅为1.8 mW),满足手持设备的要求.     

42"PDP平板显示器扫描驱动IC及其生产工艺的实现

在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42″数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片.该芯片及其制作工艺不仅实现了Bipolar,CMOS和高压功率DMOS器件的良好兼容（BCD工艺）,而且采用工艺与电路设计互相匹配的交互方式完成了高低电平位移电路和高压输出驱动电路及其器件的设计,有效提高了芯片的性能,减小了芯片的面积.测试结果表明该芯片功能正常,性能良好,各项技术参数基本达到国外同类产品指标.在低压5V和高压160V的情况下工作,完全满足42″PDP显示系统的需求.     

应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺

介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0 μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV pMOS器件和薄栅氧HV nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入（HV N阱和PDA）和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV nVDMOS和HV pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力     

基于STC89C516RD的视频信号采集与合成

针对具有二值倾向的图像：提出了以STC89C516RD单片机为核心,利用视频信号行同步脉冲作为中断信号源,通过时序逻辑电路,实现视频信号的快速采集与合成。具有硬件简单、图像处理数据量少等特点,为单片机进入图像识别控制领域提出了一种新的设计思想。     

气体微机电传感系统中的片上ESD保护

摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构.这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极.本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局.这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实.测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试.     

高压BCD集成电路中高压功率器件的设计研究

高压功率集成电路的设计与制造因其具有的高技术难度而极具挑战性。所谓高压功率集成电路 (HV-PIC) ,是指将需承受高电压 (需达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。文中以器件模拟软件 Medici为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了高压 BCD电路中高压功率器件的设计问题 ,其中包括器件结构、掺杂浓度、结深等主要参数及其它一些技术因素对器件耐压的影响 ,并给出了相应物理意义上的分析。根据这一设计 ,在国内进行了一块高压功率 BCD集成电路的试制 ,经测试 ,耐压超过 660伏 ,输出功率 40 W,且电路的其它器件参数达到设计值 ,IC电路整体功能正常 ,所有参数达标     

我国高校学分制本土化及影响因素分析

学分制是高等教育发展历程中的重要产物,在各国得到了广泛的适用和发展,在高校人才培养中发挥着重要作用。中国学分制本土化经历了较为曲折漫长的历程,各高校从形式上基本实现了学年制向学分制的转变,但是也面临着一些困境。最大限度发挥学分制功能,不仅要借鉴国外先进经验,还应对学分制在中国本土化进程中的重要影响因素进行分析,包括高校外部的经济、文化环境,以及高校内部的管理体系、资源保障、课程、学生以及教师等多方面因素。研究并分析这些因素对推进和完善学分制有着更为重要的意义。     

深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究

研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。